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1.
基于DTW改进算法的孤立词识别系统的仿真与分析   总被引:5,自引:0,他引:5  
林波  吕明 《信息技术》2006,30(4):56-59
传统的DTW算法在进行孤立词语音识别时着重于时间规整和语音测度的计算,而没有对数据的可靠性和有效性进行分析。本文提出了一种改进的端点检测算法,并采用一种改进的DTW算法,在计算机上进行了仿真。实验结果表明采用改进后的DTW算法有效的降低了识别时间和存储数据量,提高了系统性能。  相似文献   
2.
练兴  朴香兰  朱慎林 《化工进展》2003,22(Z1):107-110
介绍了溶剂浸渍树脂的制备及性能,阐述了溶剂浸渍树脂在产物提纯和废水处理等分离过程中的应用,并对使用溶剂浸渍树脂处理含酚废水进行了初步研究.  相似文献   
3.
涡轮搅拌桨反应器混合过程的数值计算   总被引:1,自引:1,他引:0  
利用CFD方法计算单层涡轮反应器搅拌槽内流体混合过程的速度场和浓度场,研究物料在搅拌槽内的混合过程,以及不同监测点对混合时间的影响。结果表明,搅拌槽内物料的混合主要受槽内流体的流动形式所影响;混合时间的长短与监测点位置有关;在搅拌桨的桨叶附近进行监测所得到的混合时间较短,在液面附近进行监测所得的混合时间较长。在实际生产和试验中,应注意对监测点位置的选取。  相似文献   
4.
选取具有代表性的碳钢、不锈钢、镀锌碳钢、铝、钛和铜挂片,在某企业不同部位投放后进行为期半年的大气腐蚀试验,得出了在半年期中的腐蚀规律。在此基础上,对每种金属材料的腐蚀特点进行总结,并对大气腐蚀的各种影响因素进行分析,提出了行之有效的防护措施。  相似文献   
5.
降低成品油二次物流运输成本的思考   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了传统成品油进货和管理模式存在的诸如成品油物流以行政区划、中问环节多、信息化程度不高、运输路线未优化造成物流成本提高等问题。提出要降低成品油二次物流运输成本,当务之急是加强成品油物流的信息化建设;调整管理模式,打破行政区域界限,开展经济辐射半径内的库站物流配送;引进竞争机制,打破运输垄断,一、二次物流结合,大、小车型搭配,提高运营效率;做好运杂费全面预算、核算及运行费用的过程控制。  相似文献   
6.
MPTA型原油脱金属剂的工业应用   总被引:2,自引:2,他引:0  
在对高金属含量原油进行初步评价的基础上,利用SH—Ⅰ型电脱盐试验仪对自主开发的MPTA型原油脱金属剂进行了原油脱金属的实验室研究。结果表明,当MPTA型脱金属剂加入量为250μg/g时,钙的脱除率可达97.4%,并且对其它金属元素,如镍、铁、钠、锰、铝和钒也有明显的脱除效果。该剂在山东恒源石油化工股份有限公司重交沥青车间500kt/a的电脱盐装置上进行原油脱金属工业试验的结果表明,经过二级电脱盐处理后,钙的脱除率达到99.1%,钠的脱除率为94.6%,铁的脱除率为82.9%,并可在一定程度上降低原油中镍和铜的含量。使用MPTA型原油脱金属剂显著降低了一、二级电脱盐装置的电场电流,有利于炼油厂的节能降耗。  相似文献   
7.
运动饮料配方设计概论   总被引:7,自引:0,他引:7  
运动中,人体生理发生一系列的变化,包括水分损失、血糖/糖原消耗、电解质损失等,导致运动中/后的疲劳和运动能力下降。以运动中人体生理特点为基础,通过讨论运动前/中/后补充水、碳水化合物及电解质的问题,论证了运动饮料配方设计的原理依据。  相似文献   
8.
采用超高真空电子束蒸发法制备了新型高 K栅介质-非晶 ZrO2薄膜. X射线光电子能谱 (XPS) 中 Zr3d5/2 和 Zr3d3/2 对应的结合能分别为 182.1eV和 184.3eV, Zr元素的主要存在形式为 Zr4+,说明薄膜由完全氧化的 ZrO2组成 ,并且纵向分布均一.扩展电阻法( SRP)显示 ZrO2薄膜的 电阻率在 108Ω@ cm以上,通过高分辨率透射电镜( HR- XTEM)可以观察 ZrO2/Si界面陡直,没有 界面反应产物 ,证明 600℃快速退火后 ZrO2薄膜是非晶结构.原子力显微镜( AFM)表征了薄膜的 表面粗糙度,所有样品表面都很平整,其中 600℃快速退火样品 (RTA)的 RMS为 0.480nm.  相似文献   
9.
世界原油质量趋势及我国面临的挑战   总被引:3,自引:0,他引:3  
评述了世界原油质量趋势、我国重质油现状以及我国加工含硫原油的现状和前景。  相似文献   
10.
新结构MOSFET   总被引:1,自引:0,他引:1  
林钢  徐秋霞 《微电子学》2003,33(6):527-530,533
和传统平面结构MOSFET相比,新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE),理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET,包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小,这些新结构器件将大有前途。  相似文献   
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