超宽带大功率合成器设计北大核心CSCD

在80 MHz~1 GHz频段,单个功率管输出功率能达到100 W以上,为研制输出功率400 W的功率放大器,文中设计了四路功率合成器。该合成器需要实现功率容量大、工作频带宽、体积小的设计目标。在功率容量方面,文中采用悬置带状线结构,其功率容量远远大于微带线结构;在工作频带方面,采用切比雪夫九节阻抗变换器,将工作带宽拓宽为80 MHz~1 GHz;在体积方面,文中合成器的功率合成部分采用Y型节级联实现四路功率合成,阻抗变换部分采用切比雪夫阻抗变换器进行阻抗变换,该结构相较于磁环巴伦功率合成器,不但具有损耗小、平坦度高的优点,而且通过将阻抗变换器设计成曲折的形状,进一步缩小了合成器体积。仿真与实测结果显示该合成器在80 MHz~1 GHz范围内还具有较高的平坦度,合成效率可达90%以上。     

电喷雾质谱法示踪钨回收过程离子的转化路径

将环隙式离心萃取器(ACCs)与电喷雾飞行时间质谱(ESI-TOF-MS)相结合，在线监测了回收过程中的钨萃取行为(宏观)和钨形态的转化路径(微观)，发现宏观萃取反应和微观离子形态转化同时发生并相互补充。伯胺N1923萃取钨在144 s内即可达到萃取平衡，萃取率高达98%以上，同时，酸钨比n(H)/n(W)是一个关键变量，当酸钨比n(H)/n(W)=2.4时，全流程钨回收率超过93%。最后，得到了基于钨形态监测的萃取机理，同时，减少原料液中W1含量，增加W10含量，可有效提高钨回收效率。     

面向消费类电子产品的自动化生产线成组技术

针对现代消费类电子产品快速更新换代的现状, 介绍了该类产品的自动化生产线成组技术,阐述了通过度量消费类电子产品相似性和派生性特征,对产线进行成组编码的原理,研究产线工位单元的建模方法,描述了建模内容,并通过有无装载板的产线结构,论述了产线成组编码集成的途径和方法.     

异构分层无线网络中基于逗留时间的动态流量均衡算法研究

为使异构分层无线网络能服务更多的移动用户,提出了一种基于逗留时间的动态流量均衡算法.该算法首先根据用户移动模型计算其在小区内的逗留时间,然后基于小区呼叫到达率和重叠覆盖小区的流量状态来确定一个周期内呼叫转移的数量,最后依据逗留时间门限值将重负载小区中满足条件的呼叫转移到轻负载的重叠覆盖小区中.为降低切换呼叫掉线率,还对异构网间的呼叫切换策略做了改进.仿真实验结果表明,本算法在新呼叫阻塞率和切换呼叫掉线率等性能指标上比传统方法有显著的提高.     

流量比对等离子体基团分布和薄膜结构的影响

使用光强标定的发射光谱(AOES)测量了CHF3／C6H6混合气体的微波电子回旋共振(ECR)放电等离子体中基团的分布状态。实验发现随着CHF3流量的增加，成膜基团CF、CF2、CH等的相对密度增大，而刻蚀基团F的密度也会增加，从而使得a—C：F薄膜的沉积速率降低。同时红外吸收谱(IR)分析表明，在高CHF3流量下沉积的a—C：F薄膜中含有更高的C—F键成分。可见在a—C：F薄膜的制备中CHF3／(CHF3 C6H6)流量比是重要的控制参量。     

用CMOS工艺实现VSR光电集成接收机的途径

介绍了10Gbit／s速率的甚短距离光传输系统VSR(Very Short Reach)中的接收机。分析了几种有希望用于VSR系统的CMOS工艺兼容的光电探测器。提出用CMOS电路实现VSR光电集成(OEIC)接收机的可能性和实现方法。     

重复压裂气井产能模拟研究

由于重复压裂气井原有裂缝的失效程度难以评价。导致重复压裂气井的产能预测常常有很大的误差。为此，根据重复压裂气井的压前产量和舍水率，拟合了原有裂缝的有效率，在考虑新裂缝和原有裂缝共同作用的情况下，建立了气、水两相平面二维的裂缝-油藏数学模型，通过对模型的数值求解，对重复压裂气井进行了产能评价。研究表明，在考虑新、老裂缝共同作用下的产能评价方法，能更为准确地预测重复压裂后的生产动态情况，对压裂时机的确定、压后经济效益的预测都具有重要的指导意义。     

气敏材料的研究进展

从气敏材料种类，制备方法，改善气敏材料缺陷的手段等方面介绍了气敏材料的研究进展，论述了气敏材料研究中的新动向，展望了它的未来发展。     

源气体流量比对F-DLC薄膜结构的影响

以高纯石墨作靶，CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石（F-DLC）薄膜。拉曼光谱表明，CHF3相对流量的增加会引起薄膜的D峰与G峰强度之比I（D）/I（G）减小，晶粒增大，芳香环结构出例下降。红外吸收光谱分析证实了这些推论，指出这是由于薄膜中氟含量上升的结果。