超导体核辐射探测器的探测原理

一、引言对于某些核辐射探测器,降低它们的工作温度便可得到较好的探测器性能,例如硅和锗探测器,当工作温度为77K时,能量分辨可提高很多。一些金属和它们的氧化物在极低温度下成为超导体,利用这种超导现象有可能得到性能极好的探测器,也有可能比现在已实用的半导体(?)测器的能量分辨要提高一个量级。高分辨测量有可能在许多领域内得到应用。关于在极低温度下((?)IK)对超导体核辐射探测器已有一些评论,这里仅介绍超导体核辐射探测器的探测原理。     

大面积硅锂漂移探测器制备及其性能

制备了大面积硅锂漂移探测器,其性能为:探测器的灵敏面积123.6 cm~2;灵敏层深度2 mm;在室温和300 V反向偏压的工作条件下漏电流小于20 μA;对~(241)Am 5.486 MeV α粒子的能量分辨(FWHM)为77.67 keV。     

被污染Au-Si表面势垒探测器性能的恢复方法

金硅面垒半导体探测器是带电粒子能谱测量和α,β放射性强度测量的重要探测元件。这种探测器具有近似理想的伏安特性、噪声低、入射窗薄、线性好、脉冲上升时间短,能量分辨好等优点;另外又能做成各种几何形状如园形、矩形、环形、条带阵列以及探测器耗尽厚度可根据工作需要直接制备出厚为几微米到几毫米的全耗尽探测器;还可通过较灵     

γ探针在前哨淋巴结探测中的地位和作用

目的 探讨γ探针（γ－Probe)在前哨淋巴结探测中的地位和作用，并对中国原子能科学研究院研制的γ放免探测仪的性能进行测试和评估。方法：71例经临床证实的乳腺癌病人进行了前哨淋巴结的γ闪烁显像和γ探针定位探测。γ探针的性能重点测试定位灵敏度和空间分辨。灵敏度用点源测试，用高于本底计数10倍所对应的活度（Bq)表示。空间分辨用点源伸展函数（FSF）半高宽（FWHM）表示。γ探针在乳腺癌患者的体表测量分4个区域：前哨淋巴结区、注射区、本底区及腋窝区，用于评估γ探针在病人实际探测中的灵敏度和空间分辨。结果 γ探测仪FGDP型的灵敏度为1480Bq，空间分辨为4mmFWHM。临床应用可明显鉴别前哨淋巴结与注射区、本底区和其他部位淋巴结。结论 γ探针是一种探测前哨淋巴结的安全、简便、可靠的方法。γ放免探测仪FGDP可用于前哨淋巴结探测，其主要性能指标满足临床要求。     

超导核辐射探测器及其应用

超导核辐射探测器已研究了40多年。现在已发展到这样的程度,对低温超导体核辐射探测器,1988年以来对~(55)Fe 5.9keV X射线FWHM已达到45eV,就77K温区的高Tc超导体核辐射探测器来说,经过短短三四年的努力,在实验上已观测到对核辐射的响应。随着高Tc超导体薄膜生长技术的不断改进,高Tc超导薄膜性能的不断提高, 并与半导体器件工艺的结合,在不久的将来会有重大的突破。 本文介绍超导体核辐射探测器的发展概况、工作原理,目前已达到的水平和它的应用前景。     

哈尔滨市人民政府为完善建筑企业劳动保险费用统筹管理办法又制订《补充规定》

哈尔滨市人民政府,为了保证《哈尔滨市建筑企业劳动保险费用统筹管理办法》更好地贯彻落实,及时收缴立统筹的劳动保险费用,保证离、退休建筑职工的生活,进一步促进社会的安定团结局面,最近又     

离子注入在核辐射探测器中的应用

半导体的离子注入,就是使杂质元素(如硼,磷,砷)的离子,在加速电压的作用下达到5～100千电子伏的能量,对半导体衬底进行轰击,以得到所需要的杂质浓度的方法。离子束在半导体领域内的应用早已发现,而且一直在进行研究。1948年首先报道了用离子束使半导体电导类型转变的实验;1952年发表了用各种不同的气体离子轰击硅表面可     

硅位置灵敏探测器

半导体位置灵敏探测器是探测带电粒子位置的一种探测器,它具有位置分辨率和能量分辨率高、线性好的优点。在核物理实验和研究工作中——鉴别粒子,角度校正,核极化测量,裂变碎片和重离子的测定以及衰变反冲物的角分布测量等方面得到了广泛的应用。国外研制这种器件的单位较多。目前已达到的水平为:在器件整个长度上满刻度的线性为1%;位置分辨率为0.1毫米;能量分辨率对5.486兆电子伏的α粒子半宽度为50千电子伏;几何尺寸为30×8,40×8,50×8毫米~2。我们所研制的硅位置灵敏探测器见图1。     

一种大容量开关电源并联系统均流技术的研究

提出了一种按平均电流值自动均流的实用电路。其中开关电源模块采用电压和电流控制的双回路控制模式,使得输出电流得到有效控制,从而使开关电源的各模块达到均流的目的,提高了整个电源系统的可靠性,具有一定的实用性。