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为了满足空间衍射成像系统对大口径、轻量化衍射元件的需求,设计制作了直径为400mm的聚酰亚胺(PI)薄膜菲涅尔衍射元件。通过紫外光刻、离子束刻蚀等微细加工方法在石英基底上制作衍射图形,然后将衍射图形复制到PI薄膜上得到菲涅尔衍射型薄膜元件。结合有限元法探究了薄膜复制过程中热应力的变化规律及降低热应力的方法,分析了影响薄膜衍射效率的因素及薄膜制作误差、温度变化对薄膜成像的影响,最终实现了大面积薄膜与基底的分离,并通过局部氧气等离子体轰击提高了薄膜衍射效率的均匀性。经测试,薄膜菲涅尔衍射元件的厚度约为20μm,在波长633nm处的实际衍射效率平均值为33.14%,达到了理论效率的81.83%,衍射效率的均方根值RMS=0.01。实验结果表明,通过紫外光刻、离子束刻蚀和薄膜复制的方法可以得到大口径、高衍射效率的薄膜菲涅尔衍射元件。 相似文献
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为抑制合肥同步辐射装置U26光束线掠入射单色仪真空紫外波段的高次谐波,在45-115nm波段研究了Si和Al的反射率特性,结果表明:确定的入射角下,Si和Al的反射率随波长的变化有明显的截止,截止波长随入射角减小不断变大.以Si为反射镜材料,设计了两镜高次谐波抑制系统,核心由四组两两平行的平面反射镜组成,确定了每组反射镜的最佳入射角,并给出了该装置详细的结构设计参数.对该系统的高次谐波抑制效率进行计算表明,45-115nm波段的高次谐波抑制比均大于100. 相似文献
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离子束抛光硅片纳米级微观形貌的原子力显微镜研究 总被引:3,自引:1,他引:2
本文报道了用原子力显微镜(AFM)研究多种Ar ̄+离子抛光参数Si(lll)表面的微观粗糙度和三维微观形貌特征,发现用离子束抛光方法可以显著地改善硅片表面的微观粗糙度,抛光效果与离子束能量、束流强度、抛光时间和束流入射角度等有关。用400eV离子能量、100mA束流强度、60°入射角离子束照射2小时后再改用350eV、80mA束流强度以同样入射角照射2小时的样品,在1μm×1μm范围表面微观粗糙度(RMS)值可达到0.3nm左右。而当小入射角(<20°)照射时抛光效果很差,其表面明显地呈现出直径约几十到几百nm凹坑的蜂巢状形貌特征。 相似文献
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通过对几种钼粉料桶搬运方式的对比分析,设计出一种简易的钼粉搬运手动推车,有效解决了现有钼粉搬运费工、费时的缺点。同时为满足钼粉料桶检斤称重的需要,配合搬运小车设置一套地坑及导向装置,提升了检斤称重效率。 相似文献
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氮化硅膜具有对软X射线吸收较小、成膜光滑、强度大和致密性好等优点,因而常选作为窗口材料。本文主要介绍了用于软X射线显微术的氮化硅窗口的制备工艺,给出在国家同步辐射实验室软X射线显微术实验站使用的实验结果。 相似文献
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全息光刻-单晶硅各向异性湿法刻蚀是制作大高宽比硅光栅的一种重要方法,而如何增大光刻胶光栅的占宽比,以提高制作工艺宽容度和光栅质量是急需解决的问题。本文提出了一种热压增大光刻胶光栅占宽比的方法,该方法通过加热加压直接将光刻胶光栅线条展宽。论文详细阐述了其工艺过程,探究了占宽比增加值随施压载荷、温度的变化规律,讨论了施压垫片对光刻胶光栅质量的影响。应用此方法制作了周期为500 nm的硅光栅,光栅线条的高宽比达到了12.6,氮化硅光栅掩模的占宽比高达0.72。热压增大光刻胶光栅占宽比的方法工艺简单、可靠,无需昂贵设备、成本低,能够有效增大占宽比,且获得的光栅掩模质量高、均匀性好,满足制作高质量大高宽比硅光栅的要求。 相似文献
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几种高反膜设计新方法 总被引:2,自引:0,他引:2
现代科技的发展对增反膜提出的要求越来越高,具体表现在两个方面:一是要求在现有基础上进一步提高反射率,拓宽高反膜带宽,二是将高反膜的波长向短波方向延伸至真空紫外~X射线。本文总结了近年来出现的一些思路独特的增反膜设计新方法,包括Needle设计法、Staggered broad-band reflecting multilayers法、Sub-quarterwave multilayers法、Layered synthetic mi-crostructure/quasi-periodic multilayers法、Layer by layer法、带阻挡层的Layer by layer法及Wide range multilayer设计法。给出了这些设计方法的思路,以真空紫外~X射线反射膜为侧重点。对增反膜设计、制作过程中尚存的一些重大问题也进行了阐述。 相似文献
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振幅矢量叠加法分析X射线波带片加工误差对效率的影响 总被引:2,自引:2,他引:0
使用振幅矢量叠加法,通过叠加X射线波带片每一对环带对焦点的贡献,计算和分析了随机环带位置误差、宽度误差、扩散和粗糙度对波带片的效率的影响。用Strehl 比来量化和衡量与理想波带片有偏差的波带片的性能,对两个波带片实例分别用Strehl 极限确定了能容许的4种误差的最大值。计算了Ni软X射线波带片的随机环带位置误差及宽度误差对主焦点效率的影响;计算了SiO2/Ni硬X射线溅射切片波带片的两种材料的相互扩散和粗糙度对衍射效率的影响。结果表明:4种误差越大,主焦点效率越小,对Ni软X射线波带片,随机环带位置误差均方根和宽度误差均方根小于最外环宽度的20%左右时,对SiO2/Ni硬X射线溅射切片波带片,扩散区宽度和粗糙度均方根分别小于最外环宽度的90%和60%左右时,得到的Strehl 比在Strehl 极限之上。 相似文献