镱薄膜高压传感器的准静态压阻特性研究

采用真空蒸发技术在聚酰亚胺、云母、陶瓷及基板上制作了镱薄膜传感器,研究了该传感器在７０ＭＰａ～２ＧＰａ范围内准静态单轴压缩载荷下电阻－压力的变化关系。结果表明该传感器精度高、重复性好、工艺简单。     

全球半导体与封装的市场规模预测

<正> 根据全球各个市场调查公司的估测,2001年至2002年的全球半导体市场规模的增长率从-6%至6%都有,其中以 SIA 估计最为乐观(6.3%),而 In-Stat 最为悲观(-5.7%)。相比2001年衰退30%以上,2002年将是一个经济缓慢恢复的一年,普遍     

战场上高背景噪声下的话音检测动手术

本文通过分析语音和枪炮噪声的短时特征，提出了一种在高背景噪声下检测语音的方法。实验表明，该方法能在较低的信噪比条件下准确地检测出话音信号，且计算简单，硬件处理容易，可靠性高，适合于战时通信的需要。     

低温烧结制备BaO-Nb2O5系微波介质陶瓷及性能研究

通过控制原料配比及添加不同成分的添加剂,在较低温度下采用固相烧结法合成了BaO-Nb2O5系微波介质陶瓷。通过改变原料配比及添加B2O3、CuO等添加剂,该类陶瓷的烧结温度可降至850℃左右。改变粉料的预烧温度也使得微波介质陶瓷的最终性能有一定的改变。结果表明,BaO:Nb2O5(摩尔比)为2.42:1的粉体经过1000℃预烧后,添加一定量的添加剂可在875℃下烧成,并具有如下微波介电性能:εr为41.23,Q×f为21500GHz,τf为6.2×10-6℃-1;实验证明该类陶瓷满足低温共烧陶瓷(LTCC)的工艺要求并可以与银电极共烧。     

基于小波包分解的交流腐蚀信号时频表征方法

建立了基于小波包分解的腐蚀信号时频表征方法,讨论了分解序列与子频带频率递增顺序的不一致性,及小波包的选择对表征结果的影响.结果表明该方法能有效地表达交流腐蚀信号的非线性特征,可作为交流腐蚀研究的基本表征方法.     

电子封装技术的发展趋势

本文重点介绍了 BGA,CSP 及 IC 基板的发展现状与趋势。BGA 与 CSP 是20世纪封装技术的两个新概念,它们的出现极大地促进了表面贴装技术(SMT)与表面贴装元器件(SMD)的发展和革新,成为高密度、高性能、多功能及高 I/O IC 封装的最佳选择之一。     

IC封装材料市场发展分析

本文主要阐述了当前全球 IC 封装材料市场的发展形势,并由此分析了 IC 封装的技术发展趋势。     

电磁波带隙材料的低温共烧陶瓷技术制备及性能

根据共面紧凑型光子晶体的原理和HFSS仿真结果设计了禁带位于超宽带(UWB,3.1～10.6 GHz)范围的EBG(电磁波带隙)结构,然后采用低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出了设计的EBG结构。利用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了所制EBG结构的微观结构,结果显示烧结体中陶瓷与银电极结合良好。另外,经HP8720ES矢量网络分析仪测试发现其电磁波禁带位于4.0～5.5 GHz,深度大于20 dB。     

低温共烧陶瓷工艺制备EBG定向天线

通过低温共烧陶瓷(LTCC)工艺制备出禁带位于超宽带(UWB)范围的电磁波禁带(EBG)天线陶瓷基板,其电磁波禁带位于4.0~5.5 GHz。在基板上制备了片式天线,在微波暗室中对天线方向性进行测试。结果发现,与没有EBG结构的片式天线相比,其在H面主瓣方向上的增益提高了约4 dB,背瓣方向辐射强度平均降低了10 dB左右,证明EBG结构能够有效改善天线在空间辐射的方向性。     

低温共烧陶瓷工艺制备EBG定向天线

通过低温共烧陶瓷( LTCC)工艺制备出禁带位于超宽带(UWB)范围的电磁波禁带(EBG)天线陶瓷基板,其电磁波禁带位于4.0～5.5 GHz.在基板上制备了片式天线,在微波暗室中对天线方向性进行测试.结果发现,与没有EBG结构的片式天线相比,其在H面主瓣方向上的增益提高了约4dB,背瓣方向辐射强度平均降低了10 dB左右,证明EBG结构能够有效改善天线在空间辐射的方向性.