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1.
采用0.8μm标准数字CMOS工艺(VTN0=0.836V,VTP0=0.930V),设计并流片验证了具有宽工作电压范围(3~6V),可作SOC系统动态电源管理芯片内部误差放大器应用的单电源CMOS运算放大器。该误差放大器芯核同时具有适合低电压工作,并对工艺参数变化不敏感的优点。对于相同的负载情况,在3V的工作电压下,开环电压增益AD=83.1dB,单位增益带宽GB=2.4MHz,相位裕量Φ=85.2°,电源抑制比PSRR=154.0dB,转换速率Sr=2.2V/μs;在6V工作电压下,AD=85.1dB,GB=2.4MHz,Φ=85.4°,PSRR=145.3dB,Sr=3.4V/μs。 相似文献
2.
随着深亚微米集成电路技术的发展,集成电路的规模越来越大,工作频率越来越高,并正朝着系统集成的方向发展,因而在模拟速度,模拟精度和可模拟的电路规模等各个方面对电路仿真技术提出了新的要求。近年来,各种新的电路仿真方法和仿真系统用相继脱颖百出,并将取代那些传统的,已经无法适应深亚微米技术发展的电路仿真器。 相似文献
3.
4.
采用真空蒸发的方法交替沉积Ag和TCNQ分子制备了Ag TCNQ金属 有机络合物薄膜 ,并研究了多种外加电压激发下膜的电阻转变特性。发现在转变过程中存在着一种能量效应 ,即当外电压超过某一阈值后 ,完成转变的能量不变。对此现象的可能解释是薄膜内分子在一定的外部电场能量诱导下发生重排 ,致使电导率发生跃变 相似文献
5.
两种具有电双稳态的全有机络合物 总被引:9,自引:0,他引:9
首次发现两种在室温下即具有电双稳态的全有机(有机-有机)络合物,分别称为MCA+TCNQ和BBDN+TCNQ。它们可在真空中制备成薄膜,在数伏电压的作用下,从高电阻至低电阻的跃迁时间小于100ns,因此可作为一次写入的存储器材料。根据我国目前最小刻线宽度的水平,可望在1.6cm2的SiO2平面上做出64Mb的存储器。 相似文献
6.
对于集成电路设计、生产过程中的多目标、多约束统计优化问题,本文提出了“合格率足够高”的优化宗旨,并从概率论的基本原理出发,结合集成电路的特点,导出了一种合格率的近似表述方法,提出的变权重Monte Carlo法编程简便,效率高。采用这些优化策略设计的集成电路合格率优化系统取得了比较好的结果。 相似文献
7.
针对开关电源噪声干扰的问题,提出了一种新颖的降低开关电源噪声的方法,使用削顶正弦波代替传统的脉冲驱动方式,有效降低了开关过程引起的EMI噪声.通过对开关噪声的分析,提出了噪声的数学模型,并使用Matlab将提出的方法与传统的方案进行对比,研究结果表明,该方法具有较好的电磁兼容性和较低的晶体管开关损耗.还设计了实际的驱动电路,实验证明该方法在噪声控制与损耗控制之间获得了良好的平衡,实现了电源系统的良好运行. 相似文献
8.
采用单辊快淬法制备Fe40Co40Zr10B9Cu1、Fe40Co40Zr10B9Ge1和Fe40Co40Zr10B9Ag1非晶合金薄带,并对3种合金在不同温度下进行热处理.利用差热分析仪(DTA)和X射线衍射仪(XRD)等测试手段对样品的热稳定性及微观结构进行研究.结果表明:Fe40Co40Zr10B9Cu1、Fe40Co40Zr10B9Ge1和Fe40Co40Zr10B9Ag13种合金的激活能分别为262.4、267.6和252.3 k J/mol,说明Cu元素、Ge元素和Ag元素的添加对合金的热稳定性影响不大,Ge元素的添加最有利于提高合金的热稳定性.3种合金的晶化过程相似:非晶→非晶+α-Fe(Co)→α-Fe(Co)+Zr Co3B2+Fe(Co)3Zr. 相似文献
9.
针对传统边缘检测算法的不足,分析路面裂缝低信噪比特点,提出了一种基于相位信息与区域空间关系的路面裂缝检测方法。首先,利用相位信息计算成对像素的相似性,并引入空间关系,使得位于边缘同侧的相似性增强,异侧的相似性减弱,然后应用谱方法进行聚类,完成裂缝边缘提取。实验结果表明方法有效。 相似文献
10.
针对实验室资源紧张、功能单一,不利于共享的现状,开发出基于Web的多功能实验室管理系统,该系统采用PHP开发工具、MYSQL数据库以及YII框架,实现了用户管理、汇报管理、预约管理、实验室信息、设备管理、项目管理和课程实验管理等方面功能。通过实际应用,所构建的多功能实验室管理系统响应快、可扩展性好,提高了实验室设备使用效率,减少了实验室管理人员工作量和实验室运行成本。 相似文献