GaN／AIN量子点结构中的应变分布和压电效应

从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发，采用有限元方法计算了GaN／AIN量子点结构中的应变分布，研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度．结果表明，应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化，使电子聚集在量子点顶部，空穴聚集在量子点下面的湿润层中，在量子点结构中产生显著的极化电场，并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响．     

GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应

从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响.     

GaN-based LED基础光栅结构实现光的表面等离极化增强

The transmitting light in GaN-based LED with 30 nm thickness metal film grating is investigated. We proposed a basic grating structure model to enhance light intensity in GaN material, which was simpler and cheaper. We calculated and analyzed the structure with different parameters, and studied the numerical simulation results of Ag-films/Al-films/Au-films. With a simple A1 or Ag basic grating structure, the 7.4-7.6 times intensity of 550 nm light can be obtained easily, and the enhancement efficiency is better than others.     

基于虚拟现实技术的烟气轮机故障诊断的探讨

烟气轮机是石化企业催化裂化过程中重要的节能设备。首先对烟气轮机常用的故障诊断方法研究现状进行了综述.然后针对目前烟气轮机故障诊断方面存在的问题，探讨了基于虚拟现实技术的烟气轮机故障诊断方法，给出了虚拟现实技术在烟气轮机故障诊断应用中亟待解决的重点和难点问题，为进一步深入研究基于虚拟现实技术的烟气轮机故障诊断方法奠定了基础。     

GaN/AlN量子点结构中的应变分布和压电效应

从Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体压电极化对应变的依赖关系出发,采用有限元方法计算了GaN/AlN量子点结构中的应变分布,研究了其自发极化、压电极化以及极化电荷密度.结果表明,应变导致的压电极化和Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体所特有的自发极化将导致电荷分布的变化,使电子聚集在量子点顶部,空穴聚集在量子点下面的湿润层中,在量子点结构中产生显著的极化电场,并讨论了电场的存在对能带带边的形状以及能级分布的影响.     

装卸桥虚拟样机建模技术

以秦皇岛港口10t×40m装卸桥为研究对象,通过三维建模软件Pro/Engineer和虚拟样机分析软件SIMPACK的结合使用,建立了三维的装卸桥虚拟样机系统。为以后进一步对装卸桥进行运动学和动力学分析奠定了基础。     

量子级联激光器生热的电路模型分析

通过分析量子级联激光器（QCL）中各量子阱的生热及阱间的热流输运情况,得到它的热输运方程,以此为基础类比电路理论建立了等效电路模型,利用matlab和EWB512分别进行理论与电路模拟,得到了它的生热特性,并对可能影响它的生热特性的一些因素进行了分析。     

二维氮化镓中空位缺陷研究

采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，研究了二维氮化镓(2D-GaN)平面和翘曲结构中电中性Ga空位(V_Ga)和N空位(V_N)的形成能、能带结构及电子态特性。采用杂化泛函方法，计算了含Ga空位的2D-GaN(2D-GaN-V_Ga)和含N空位的2D-GaN(2D-GaN-V_N)缺陷体系的电子结构。结果表明，在2D-GaN平面结构中，V_N缺陷形成能量低于V_Ga的能量，说明V_N缺陷更容易形成。在2D-GaN翘曲结构中，V_Ga缺陷形成能量低于V_N的能量，说明V_Ga缺陷更容易形成。在2D-GaN平面和翘曲两种体系结构中，V_Ga均为受主缺陷，V_N均为施主缺陷。研究结果对系统地理解2D-GaN及其缺陷模型的性质有重要意义，为发展基于2D-GaN的大功率器件、深紫外光电器件和光通信等领域提供理论参考。