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用光电子能源谱技术(XPS和UPS)研究了金属Cs和Na与GaAs(100)的界面形成。实验结果表明,Cs和Na吸附在GaAs(100)表面时,衬底As向外扩散,形成混合相。在Na吸附的表面,As扩散程度比Cs吸附的表面大。随着复盖层厚度增加,吸附层开始金属化。 相似文献
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利用同步辐射光发射研究了Sm/GaAs(10)界面形成.高分辨的芯能级谱结果表明,在低覆盖度下(<0.1nm),Sm与衬底的作用较弱,形成较突出的金属/半导体界面.当Sm的覆盖度增加时,As和Ga的表面发射峰很快消失,表明Sm与Ga发生置换反应而与As形成化学键.同时,Ga原子会向Sm膜体内扩散且偏析到Sm膜表面,而As-Sm化合物只停留在界面区域.当Sm膜厚度达到0.5nm时,Sm膜开始金属化.结合理论模型,文中还详细地讨论了界面形成和界面结构. 相似文献
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本文系统研究了段介质和球介质对黄铜矿和黄铁矿磨矿及浮选过程的影响。单矿物、混合矿及实际矿浮选结果表明,段介质可以提高黄铜矿和黄铁矿的浮选回收率,促进铜硫浮选分离。磨矿实验、粒度分布和扫描电镜结果表明,段介质可产生更多尺寸均一、具有棱角且伸长率较高的颗粒,选择性研磨粗颗粒和黄铁矿,有效避免黄铜矿过磨。X射线衍射分析结果表明,段介质能使黄铜矿暴露更多(112)面,使黄铁矿暴露较多(200)面。捕收剂与黄铜矿(112)面的作用能较黄铁矿(200)面更高,因此,段介质可强化黄铜矿和黄铁矿颗粒间的可浮性差异,改善铜硫浮选分离效果。本研究对通过优化磨矿作业条件强化矿物浮选分离提供一定指导意义。 相似文献
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用光电子能谱技术(XPS和UPS)研究了碱金属Cs和InP(100)的界面形成和退火效应。实验结果表明,在覆盖低于0.5ML时,Cs和InP(100)形成突变界面。当覆盖度增加后,Cs-In产生置换反应,界面形成混合相,退火后,Cs一部分脱附,一部分与In产生置换反应而留在InP体内。 相似文献