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文章选用80Au20Sn焊料对微波GaAs功率芯片的焊接技术进行了较为系统深入的研究,通过对共晶焊接设备与真空烧结设备分别对焊接时气体保护、焊片大小、真空工艺过程的施加和夹具设计等因素进行了试验分析。结果表明,以上参数对微波GaAs功率芯片焊接均有显著的影响,在保护气体流量为1.5L·min^-1的氮气保护下,通过施加适当的夹具静压力和金锡焊料熔化时的抽真空应用,AuSn焊料能够充分和快速润湿,实现较高的焊接质量。X射线检测结果表明,微波GaAs功率芯片焊接具有较低的空洞率,焊透率高达90%以上,焊接过程主要通过夹具装配完成,人为影响因素少,成品率高。 相似文献
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三维集成垂直互联技术是实现电子信息系统小型化、轻量化、高密度集成的关键技术,文中将金凸点超声热压技术应用到三维集成多层转接板堆叠工艺中,采用自动侧向剪裁工艺和预整平工艺制备一致性极高的金球微凸点阵列,通过设置合理的超声振幅、压力和温度参数,并优化匹配超声曲线和压力曲线的作用时序,实现硅转接板自底向上高精度、高可靠堆叠,解决超声热压焊接易发生对位焊接偏差、焊点滑移的问题.基于金凸点超声热压技术的三维集成垂直互联技术拥有低温互联、高温使用的优势,避免了多层堆叠时复杂的温度梯度考虑,并可应对多种类型的焊盘体系,无需制备专用凸点下金属(UBM)层,在三维集成系统级封装技术中具有广阔的应用前景. 相似文献
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金铝键合是单片集成电路、微波T/R组件中实现硅芯片与基板互连的最主要手段。它是一种异质键合工艺,不可避免地会在键合界面生成金属间化合物,这也给金铝键合的可靠性带来了严峻挑战。文中研究了一种新型Au-Al键合体系服役寿命评价方法。采用金丝键合的破坏性拉力数据作为判定对象,基于高温加速寿命理论Arrhenius模型和威布尔模型设计Au-Al键合的可靠性评价方案,测试过程易于开展,评价数据直观,系统测试误差小。在室温25 ℃条件下,失效寿命为22.0年;在80 ℃工作温度下,失效寿命为9.1年。该评价方法可为Au-Al键合体系在型号装备中的应用提供支撑,为异质材料键合可靠性评价提供方法参考。 相似文献
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文中采用Au80Sn20共晶焊料对GaAs功率芯片与MoCu基板进行焊接,分析了焊接温度、摩擦次数等工艺参数对共晶焊接的影响,给出了GaAs芯片共晶焊的工艺参数控制要求,通过扫描电镜及能谱仪分析接头的显微组织、元素分布,通过X射线检测仪测定接头的孔洞率,研究GaAs芯片背面和MoCu基板表面的镀层与焊料之间的相互作用以及焊缝的凝固过程.GaAs芯片背面的Au层部分溶解在AuSn焊料中,MoCu基板表面的Au层完全溶解在AuSn焊料中,焊缝与Ni层结合,焊缝由靠近两侧母材的ξ-Au5Sn金属间化合物层和中间的Au-Sn共晶组织组成. 相似文献
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为了提高微波组件金丝键合的可靠性,采用楔形金丝键合工艺进行了金丝互连,通过田口试验方法设计
和试验验证,确定了金丝键合最优化的工艺参数组合。研究结果表明:键合金丝质量的影响因素依次是超声功率、键
合压力和键合时间,优化的工艺参数组合依次为超声功率、键合压力、键合时间,优化的工艺参数组合为超声功率
15、键合压力16、键合时间50;采用优化后的工艺参数进行金丝键合操作,获得了稳定性良好的互连金丝,完全满
足混合集成微波电路金丝键合互连应用的需求。 相似文献
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