SID-2CM型微机同期装置在靖远电厂5号机中的应用及发展

靖远电厂5号机在改造工程中，将原ZZQ-5型自动准同期装置改为SID-2CM型微机同期装置。文章阐明了SID-2CM型微机同期装置的特点和功能，并简述了自动并列技术的发展方向。     

智能型断路器在低压配电系统中的应用前景

介绍了智能型断路器结构的基本原理及在低压配电系统中的应用前景。     

快速热处理对PECVD氮化硅薄膜性能的影响

利用PECVD在硅片上沉积了氮化硅(SiNx)薄膜,将沉积膜后的样品放在N2气氛中进行快速热处理(RTP),研究了不同快速热处理对PECVD氮化硅薄膜件能的影响.采用原子力显微镜(AFM)检测薄膜的表面形貌,利用椭圆偏振仪测量样品膜厚和折射率,利用准稳态光电导衰减法(QSSPCD)测鼋样品的少子寿命.实验结果表明随着RTP温度的升高,薄膜厚度迅速减小,折射率迅速增大;低于500℃热处理时,少子寿命基本不变;高于500℃热处理时,随着温度的升高,少子寿命急剧下降.氮化硅薄膜经热处理后反射率基本不变.     

关联维在高压输电线故障检测与测距中的应用

高压输电线路由于跨度大、所经之处自然环境复杂,因而故障率较高。为及时发现故障并准确定位,可以有效地减少维护的工作量、提高线路的运行水平。能准确、及时地故障测距具有突出的经济意义和社会效益。根据双端行波法的测距原理,采用关联维分析方法对输电线路进行故障检测与测距。通过计算输电线路电压行波的关联维数进行故障检测,进而采用基于变步长的关联维突变时刻搜索算法捕捉故障发生时行波到达线路两端的时间差△t,最后采用双端行波测距法进行故障测距。仿真结果满足电力系统对精确故障定位的要求,验证了方法的有效性。     

新型低压万能式断路器智能控制器的设计

为了缩小低压万能式断路器的体积,使断路器具有内置式可通信及智能化保护功能,迅速而有选择地切除故障元件,设计了一种主要由TMS320F2812芯片组成的新型智能控制器,分别从硬件和软件两个方面阐述了其构成原理和设计方案。在硬件方面,讨论了DSP系统中的关键技术问题;在软件方面,采用了新型自适应电流与电压速断、自适应反时限过电流、交流电压与电流断线自检等保护功能。该系统电路结构简单,便于修改程序,调试方便。     

新型低压万能式断路器智能控制器的设计

为了缩小低压万能式断路器体积,使断路器具有内置式可通信及智能化保护功能,迅速而有选择地切除故障元件,设计了一种主要由TMS320F2812芯片组成的新型智能控制器,分别从硬件和软件两个方面阐述了其构成原理和设计方案。在硬件方面,讨论了DSP系统中的关键技术问题;在软件方面,采用了新型自适应电流与电压速断、自适应反时限过电流、交流电压与电流断线自检等保护功能。该系统电路结构简单,便于修改程序,调试方便。     

AE型、AP型破乳剂破乳效果的研究

本文根据四个油田的五种油样的破乳实验,提出了原油的沥青质和胶质的含量、破乳剂的组成(指分子中环氧乙烷即EO的含量)及分子结构与破乳效果的关系的初步看法。     

快速热处理工艺下金属杂质对铸造多晶硅少子寿命的影响

利用离子注入技术在铸造多晶硅中分别引入铜、铁、镍杂质玷污,用微波光电导衰减(μ-PCD)仪测试技术研究了铜、铁、镍杂质对硅片少子寿命的影响.研究发现:原生铸造多晶硅片和离子注入铜、铁、镍杂质的多晶硅片经1000℃常规热处理2h后少子寿命值都会降低,下降幅度基本一致.原生硅片在低中温条件下,少子寿命值呈现先下降后上升的趋势;当硅片经高温RIP后,其少子寿命值得到明显改善.低中温RTP条件下,经铜、镍杂质玷污的硅片随着退火温度的升高,少子寿命变化不大.高温RTP条件下,经铜、铁、镍杂质玷污后硅片的少子寿命迅速下降.实验结果表明高温RTP能够提高杂质含量较低硅片的少子寿命,而对杂质含量较高硅片的少子寿命有负面影响.     

酸腐多晶硅太阳电池表面织构的研究

多晶硅太阳电池是目前光伏发展的主要趋势,而缺乏有效的表面织构的方法是多晶硅太阳电池发展的一个瓶颈.采用酸腐多晶硅片的方法获得各向同性的表面织构.酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液并用H2SO4进行改良.分别利用扫描电镜(SEM)和光谱响应系统分析了腐蚀后多晶硅片的表面形貌和反射率.结果表明,酸腐多晶硅表面分布均匀的蠕虫状腐蚀坑,反射率很低,在PECVD SiNx减反射膜后反射率大大下降.     

电力工程中输电线路施工项目管理存在的问题及对策分析

探讨了目前我国电力工程中输电线路施工项目管理存在的诸多问题,并提出了强化输电线路施工项目管理的对策.