LAPS控制和测试系统的设计和实现

光寻址电位传感器(LAPS)是一种基于电解质溶液-绝缘层-半导体(EIS)结构的光、机、电一体化的传感器系统,主要用于进行生物化学多参数测量.主要简述了LAPS的基本原理,并且在此基础上设计和实现了整个LAPS控制和测试系统,包括流通系统、LED光源阵列、单片机控制系统等部分,为生物化学多参数分析提供了检测平台.     

光纤生物传感器的展望

<正> 生物传感器由分子识别和信息传感两部分组成。从传感信息的载体来看,大致可以分两大类:(1)生物电化学传感器;(2)生物光化学传感器。后者的主要方面略述如下: (1)生物发光法: 如用生物发光法测ATP。在生物体中ATP是存储能量的,ATP在荧光素和荧光素     

Ta2O5氢离子敏感薄膜的研究

一、引言随着 H~+—ISFET 的理论研究的深入,人们越来越认识到作为敏感栅的介质膜对器件的灵敏度、响应时间、线性范围、稳定性等是至关重要的。目前对 H~+敏无机薄膜的研究十分活跃。广泛开展了 SiO_2、Si_3N_4、Al_2O_3、Ta_2O_5、ZrO_2、TiO_2、IrO、PtO等许多材料的研究。松尾正之评述薄膜的 H~+选择性是 SiO_2相似文献   

MEMS工艺制备pH-ISFET/REFET功能膜研究

微电子技术的快速发展,促使硅基传感器向着集成化、微型化、可批量加工方向发展.对于pH-ISFET集成芯片而言,如何以MEMS工艺制备性能优良的pH功能膜,是其发展的关键.目的：以适合批量加工的MEMS工艺研制pH功能膜;方法：在小尺寸集成芯片的基础上,以MEMS工艺分别制备Ta2O5材料的pH敏感膜,PTFE材料的pH钝化膜;结果：在pH1～12范围内,Ta2O5膜pH-ISFET对H＋的灵敏度达56mV/pH,PTFE膜REFET对H＋的响应仅为0.13mV/pH;结论：采用MEMS工艺,可对以标准CMOS技术加工的ISFET集成芯片系统,进行后续加工,从而实现传感器芯片系统的全过程批量加工.     

悬浮栅结构ISFET动态特性的HSPICE仿真

通过对ISFET敏感机理的理论分析,根据表面基模型,建立了悬浮栅结构ISFET器件的HSPICE动态行为模型,对ISFET器件的动态特性进行仿真得到时间响应曲线,并探讨了薄膜等效电阻、薄膜等效电容、互连线寄生电容和寄生电阻等因素与动态特性中延迟时间和迟滞等不理想因素的关系,为ISFET/REFET差分结构集成传感器芯片设计提供理论指导.     

用于氨氮检测的三维微纳氨气传感芯片及系统研究

该文设计并制备了一种多层微结构的安培型氨气三维微纳传感芯片,并构建了以此微传感芯片为敏感单元的氨氮检测系统,探索了使用安培型氨气微传感器检测氨氮的方法。该微传感芯片采用微纳加工工艺制备,使用聚合物键合工艺在较低温度下实现了微传感器多层结构的封装。使用纳米铱作为传感器的敏感材料,其具有良好的电催化氧化能力,可使传感器具有较高的灵敏度。对Ag/AgCl微参比电极的稳定性进行了考察。使用自行设计的氨氮检测系统对氨氮样品进行检测,对微传感器的时间响应特性、浓度响应特性、重复性及选择性进行了测试和分析。实验结果表明,在0.5~10 mg/L的测试范围内,检测电流与氨氮浓度保持良好的线性,灵敏度为1.62 A/(mg/L),线性相关系数为0.995,重复性偏差为5.73%。同时,传感器显示出良好的选择性。     

微阵列光寻址生化传感器系统性能研究

该文介绍一种基于电解质溶液-绝缘层-半导体(EIS)结构的光、机、电一体化的微阵列光寻址电位传感器系统(LAPS)。文中研讨了LAPS的基本原理和微阵列光寻址电位传感器系统的制造。通过实验证明了芯片厚度、调制频率、曲线线性度对系统性能的影响,获得多种生化参数的光寻址测试结果。     

聚合物在pH-ISFET研究中的应用

聚合物具有许多无机物没有的特性,已被越来越多地应用到pH-ISFET中,主要体现在4个方面,即pH敏感膜、pH钝化膜、结构材料及封装材料。在介绍pH-ISFET工作机理的基础上,分析了其对功能薄膜的要求,总结、比较了各种用于pH-ISFET的聚合物的特性、制备方法及其应用。     

THE ABNORMAL PHOTOCONDUCTION RESPONSE OF α-Si:H FILMS WITH SANDWICH STRUCTURE

A series of curves of the photoconduction response under different field strengths and dif-ferent degrees of illumination has been measured and investigated.It is found that the rise and decaycurves are abnormal under weaker fields.Analysis of these curves of photoconduction response showsthat either rise curves or decay curves are composed of a spike-like and a quasi-exponentialform.Considering the above fact,we suggest that these phenomena are due to the change of dis-tribution of the space charges in a-Si:H films,when illumination turns on or off.It is felt that thispaper is of special significance for photosensitive materials with low mobilities and high resistivity.