图像硬件处理

介绍了一种由硬件实时处理图像的方法。详细叙述了硬件系统的设计原理和实现方式，并给出了实现的程序流程图。该硬件系统具有电路简单，可靠性高，低功耗，体积小，可推广性等特点，具有较高的实用价值。     

一种红外弱小目标检测新方法

研究天空背景下红外运动弱小目标的检测。对红外序列图像进行累积后进行小波分析，再采用自适应门限处理，使用小波反变换将背景中低频分量和高斯噪声去除，再采用非线性滤波，最后再使用累积的方法找出目标，并得到目标航迹。实验结果表明，该方法能有效地检测定位运动红外弱小目标，并具有很强的抗噪声性能。     

电子镇流器中的波峰因数过流保护电路

提出一种波峰因数过流保护电路．利用外部低端驱动管的导通电阻来实现谐振电感电流的采样,并且通过对波峰因数的测量实现过流检测,完成对谐振电感的过流保护,从而延长电子镇流器的使用寿命．基于0.5μm BCD工艺,在典型情况下,通过Cadence Hspice工具仿真验证,结果表明该电路能够可靠实现对谐振电感的过流保护．     

一种适用于高速电路中SSN抑制的紧凑型电磁带隙新结构

该文根据电磁带隙(EBG)结构的带隙形成机理以及共面EBG结构的等效电路,提出了一种适用于高速电路中同步开关噪声(SSN)抑制的紧凑型EBG结构,使用Ansoft HFSS对该结构进行仿真分析。仿真结果表明在抑制深度为-30 dB时,阻带范围为0.6-6.4 GHz,阻带带宽为5.8 GHz,与传统的L-bridge结构相比,阻带带宽增加了1.8 GHz,相对带宽增加了45%,实现了较低的带隙中心频率以及较宽的阻带带宽,并用Ansoft Designer通过时域仿真验证该结构具有较好的信号完整性。     

用于APFC的低功耗MOSFET驱动电路设计

设计了一款用于驱动有源功率因数校正外部功率MOSFET的驱动电路.该电路包括电平移位和图腾柱输出级两个部分.电平移位采用电流镜结构,通过控制偏置电流降低电路功耗.图腾柱输出级通过加入死区时间降低功耗,并将高压P管的栅电压箝位在6 V和11 V之间,不仅能够降低功耗,也节省了版图面积.基于0.4μm BCD工艺,采用HSPICE仿真结果表明,在VDD为14 V,开关频率为75 kHz时,整体电路的功耗约为7.34 mW,并节约了15%的版图面积.     

基于FPGA的零误差大数阶乘算法的设计与实现

随着大数据时代的到来,人们对超高精度科学计算的需求日益迫切,其中一个难点是大数阶乘问题.斯特林公式作为计算大数阶乘的传统近似方法,远不能在精度上满足要求,其它的阶乘算法可以实现较高的精度,但以牺牲大量存储空间为代价.本文提出一种具有零误差的大数阶乘算法,可以根据问题规模优化存储空间,利用并行计算的思想和FPGA的优势来提高计算速度,测试结果表明,所提出的算法具有较好的时空效率,可以应用在如大数阶乘计算器等诸多领域.     

一种扩展蘑菇型EBG结构阻带带宽的新方法

该文根据蘑菇型电磁带隙(EBG)结构的等效电路原理提出一种插入交指电容的方法,实现扩宽蘑菇型EBG结构阻带宽度,并设计一种T型交指电容EBG结构验证该方法的有效性。-30 dB时该结构相对于蘑菇型EBG结构,阻带下截止频率从0.9 GHz降到290 MHz,带宽从6.1 GHz提高到7.1 GHz。在不改变EBG结构单元面积,并增加交指单元层数和降低单元厚度的情况下,通过仿真验证该方法可有效提高抑制同步开关噪声的能力。     

一种感兴趣目标区域自动插值算法

针对探地雷达成像需要自动放大感兴趣目标区域,同时抑制其他背景区域问题,提出了一种感兴趣目标区域自动插值方法．该方法通过二次统计检测地下目标的水平位置,且自动分割测线,之后用菱形模板预处理目标测线,用统计方法自动检测出目标深度位置,并对目标区域进行相关增强,最后对感兴趣的目标区域用实时插值方法放大,同时抑制背景．在不同的应用场合可选取相应模型,不仅实现感兴趣目标的自动检测,而且对目标区域实现自动增强,有利于目标定位和识别．实测数据表明该方法具有很好的适应性和可靠性．     

新型同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔

针对碳纳米管填充的硅通孔(TSV)的信号传输性能优化问题,提出一种新型的基于同轴型混合碳纳米管填充的硅通孔结构.在内外层管束交界处的耦合电容的基础上,提出新型TSV结构的可变参数等效电路模型,并基于TSV在三种不同应用层次上的尺寸参数,通过此电路模型分析新型TSV中的信号传输性能.分析结果表明,在0～40 GHz内与单一类型碳纳米管填充的TSV相比,所提出TSV结构具有更小的插入损耗与更短的上升时延,并随TSV的尺寸增大优势更加显著.最后,对所提出TSV结构进行时域眼图仿真,仿真结果表明其在高速集成电路中可以满足对信号完整性的要求.     

1.5×10-6/℃高阶参考电压曲率补偿电路

针对带隙参考电压基准温漂问题设计了一款高阶补偿电路,并采用0.5 μm BCD工艺进行了验证.电路采用零温度系数(TC)电流实现一阶补偿,同时采用具有正温度系数(PTC)的双极型晶体管(BJT)实现了高阶补偿.采用HSPICE软件进行了仿真,结果表明,所设计的电路参考电压正常值为1.8V.另外,设计的电路具有1.5×10-6/℃的温度系数,在低频上具有55 dB电源抑制比(PSRR),从1.8～5 V具有0.4 mV/V的线性调整率,并得到20 fV2/Hz的输出噪声水平.提出的电路已应用在一款电源管理芯片中,且该电路可应用在多种便携式电子产品中.