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2.
本文结合实例,详细的介绍了现今在工业控制领域广泛使用的ABB公司的MP200、AC400和AC450等DCS系统的通讯,以及它分类、原理和它们的实现。 相似文献
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4.
分析了辽宁省水利信息化发展的现状,指出了该省建设智慧水利平台的基础以及存在的问题;结合工作实际,着重介绍了智慧水利平台的智慧点,以及平台建设的主要内容和相关先进信息化技术,指明了开展辽宁省智慧水利平台建设的重要意义。 相似文献
5.
崔宁 《河北建筑工程学院学报》2014,(4):113-115
对一类具有双线性传染率的SEIQS模型进行了研究,得到了系统的基本再生数R0.结果表明:R0≤1时疾病消失,无病平衡点全局渐近稳定;当R01时病毒持续存在,系统存在唯一的地方病平衡点并且全局渐近稳定.最后通过仿真验证了系统极限环的存在性. 相似文献
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7.
工业监测数据中正常与异常状态数据一般存在非平衡性,而传统的过采样非平衡数据处理方法往往在解决非线性、高维含噪的非平衡问题时不能获得满意的模式分类效果.本文利用流形学习的非线性降维,提出一种流形嵌入过采样方法,为有机结合流形学习与过采样的非平衡数据模式分类方法提供了统一框架.研究结果表明:该方法采用过采样平衡数据在流形空间的低维嵌入数据直接完成模式分类,可以减小流形嵌入空间到原始数据空间反映射的计算代价和模式分类成本.另外,流形学习可以有效保持原始数据结构特性,在流形嵌入空间的过采样可以实现更符合原始数据特性的非线性插值.面向TE过程和矿山微震2种具有不同规模和特性的非平衡工业监测数据集,F1指标分别平均提升了21.94%和37.34%,AUC指标分别提升了37.85%和10.64%,从而验证了所提方法在解决较大数据规模的非平衡模式分类问题时,具有稳定良好的分类效果. 相似文献
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9.
研究了不同界面修饰层对酞菁氧钒(VOPc)薄膜晶体管性能的影响。通过AFM图谱分析不同界面修饰层上VOPc薄膜的生长行为,通过半导体参数测试仪测试分析不同界面上器件的电学特性。实验结果表明,十八烷基三氯硅烷(OTS-18)修饰后生长的VOPc薄膜,比正辛基三氯硅烷(OTS-8)和苯基三氯硅烷(PTS)修饰后的薄膜晶体尺寸更大、质量更优;基于OTS-18修饰的底栅顶接触型VOPc有机薄膜晶体管,在4种结构器件中具有最高的场效应迁移率(0.51cm2/V·s),相对于未修饰的器件迁移率提高了近40倍。较长的烷基链能够有效地隔绝VOPc分子和二氧化硅之间的相互作用,利于形成大晶粒尺寸、少缺陷的优质薄膜,获得高迁移率的TFT器件。绝缘层表面自组装单分子层的厚度对其上薄膜的生长行为和相应器件的性能影响极为明显,这一结论对有机半导体薄膜生长和器件制备具有指导意义。 相似文献
10.
建立了一类具隔离项和人口动态变化的新的SEIS模型,得到了平衡点的渐近稳定条件,讨论了系统的Hopf分岔和极限环. 相似文献