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利用溶胶-凝胶法制备了Mn掺杂和Mn,Li共掺ZnO室温铁磁性半导体,分别采用X射线衍射(XRD),X光电子能谱(XPS),紫外-可见分光光度计(UV-VIS)和振动样品磁强计(VSM)研究了添加Li微鼍掺杂物对Mn掺杂ZnO的晶体结构、电子价态、能带宽度和铁磁特性的影响.结果表明:添加Li微量掺杂物明硅提高了Mn掺杂ZnO的铁磁特性,使Mn掺杂ZnO的饱和磁化强度提高了31.52%;Li+存在于Mn掺杂ZnO晶体结构的间隙位置,晶胞参数a和c略有增加,晶粒尺寸减小;Mn离子均以+2价存在,没有Li和Mn氧化物杂质相的存在;同时,添加Li微量掺杂物使Mn掺杂ZnO的能带宽度减小了0.144 eV,载流子发生变化.铁磁性的提高归因于Li的引入导致ZnO晶格中的间隙电子掺杂和间隙缺陷的产生及载流子的变化,以及Mn2+-Mn2+间接铁磁性交换耦合的增强. 相似文献
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采用定向凝固方法制备了Ni47Mn32Ga21多晶合金,通过XRD谱和金相照片研究合金的结构,通过对合金磁化强度与温度关系、电阻与温度关系、磁化曲线和磁感生应变曲线的测量分析,研究了合金的相变、磁化特性及磁感生应变特性。结果表明:Ni47Mn32Ga21合金在室温(298K)时为四方结构马氏体相,晶格参数a=b=0.593 8 nm,c=0.553 1 nm。合金的马氏体相变起始温度Ms和终止温度Mf分别为309 K和295 K,逆马氏体相变起始温度As与终止温度Af分别为306 K和319 K,居里温度TC为365 K。室温无压力下,Ni47Mn32Ga21合金有较好的双向可恢复磁感生应变,其饱和磁感生应变值达到-700×10-6。 相似文献
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利用溶胶-凝胶法合成了名义组分Zn0.993-xMn0.007LixO(x=0,0.005,0.02)粉晶,分别采用SEM,EDX,XPS,XRD,UV-VIS和VSM对样品的形貌、成分、晶体结构、光学特性和磁性进行了研究。结果表明:Li的引入明显提高了Zn0.993Mn0.007O的室温磁化强度。当x=0.005时,Li以间隙原子的形式进入ZnO晶格,结晶性能下降,磁化强度的提高归因于ZnO晶格间隙电子掺杂和缺陷,使Mn2+-Mn2+间接铁磁性交换耦合增强;当x=0.02时,Li以替代原子形式进入ZnO晶格,相对于x=0.005其结晶性能提高,磁化强度的提高归因于ZnO中空穴载流子的增加,空穴载流子来自于Li+的受主作用。 相似文献
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以Co、Zr和B4C粉末为原材料,通过燃烧合成技术制备了Zr C-ZrB2/Zr Co3B2复合材料。采用DSC、XRD和SEM探索了Co含量对Co-Zr-B4C体系反应行为和产物的影响,并分析了该体系相转变路径。结果表明,随Co含量的增加,燃烧温度和产物的颗粒尺寸逐渐降低。Co-Zr-B4C体系的相转变路径为:Co+Zr+B4C→Co+Zr+B4C+Co Zr→Co+Zr+B4C+Co Zr+Co Zr2+Co B+Co13B7+Zr C+ZrB2→Zr+Co Zr+Co Zr2+Co B+Zr C+ZrB2+Zr Co3B2→Zr C+ZrB2+Zr Co3B2。 相似文献
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利用大功率电子束物理气相沉积设备,采用单靶蒸镀方法制备厚度为0.3mm的自由态TiAl合金板,并对制备态样品进行不同温度(650~950℃)的真空退火处理。借助X射线衍射仪、扫描电子显微镜及透射电子显微镜分析退火处理对相组成及微观组织结构的影响。结果表明:Ti,Al元素饱和蒸气压的差异导致富Ti成分区和富Al成分区沿板材截面呈现交替变化,其组成相为α_2-Ti_3Al,γ-TiAl和τ-TiAl_2;在650~950℃温度区间退火24h后,由于Al向Ti中扩散,呈现明显的界面融混和晶粒粗化,导致有序相含量的降低,其层状结构的退化受到孔洞形成、晶粒长大以及层间吞噬的影响。 相似文献