超宽禁带半导体α-Ga2O3肖特基二极管仿真研究

氧化镓(Ga₂O₃)作为一种新型的超宽禁带半导体材料,与目前常用的半导体材料SiC和GaN相比,具有更大的禁带宽度、更高的击穿场强等优良特性。设计了一种基于α-Ga₂O₃的垂直型肖特基二极管(SBD),采用场板终端结构降低阳极边缘电场强度,研究了不同绝缘材料下阳极附近的电场分布,并探讨了场板结构与长度对其击穿特性的影响。仿真结果表明,在选取HfO₂作为α-Ga₂O₃垂直型SBD场板结构的绝缘材料时,场板结构可以增大该器件的反向击穿电压,最大反向击穿电压可达约1 100 V,对于现实中制备α-Ga₂O₃ SBD具有非常重要的参考意义。     

浅谈高层建筑安装施工协调与配合

本文作者根据高层建筑施工特点,着重从技术,管理两个方面对安装施工的内部,外部配合,协调问题进行了分析,并提出了合理的解决方法。     

科技期刊校对质量管理

1 引言 科技期刊校对质量高低,在很大程度上取决于编辑部的素质.编辑部系统从素质着眼,包括这样三个素质,即人员素质、管理素质和精神素质.     

不同雾流速率下α-Ga2O3薄膜的超声雾化化学气相沉积法外延生长

研究了超声雾化化学气相沉积(Mist-CVD)法外延生长α-Ga2O3薄膜过程中通入雾流速率的调控及其对薄膜生长质量的影响.利用COMSOL Multiphysics软件仿真得到在0.1～0.2 m/s的雾流速率下基板表面具有稳定的雾流和较小的温度变化.对比了通入雾流速率为0.118、0.177和0.251 m/s时所...