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2.
当前基于低轨卫星的导航定位方法研究成为国内外热点,其中基于低轨通信卫星的导航定位技术更是当前研究的重点方向。然而低轨通信星座较低的时空基准精度给导航定位带来了较大的挑战,针对弱时空基准约束的低轨卫星导航定位体制设计还处在研究的初级阶段。本文针对低轨通信星座的导航定位服务需求,基于LEO通信卫星的伪码测距信号与多普勒测频信号,开展精度因子(Dilution of Precision,DOP)及定位精度均方根误差(Root Mean Square Error,RMSE)分析,并对两类测量体制下的低轨通信星座导航定位服务性能进行分析论证。理论分析与仿真结果表明,在设定低轨通信卫星10 m~30 m弱时空基准误差的约束下,多普勒测频体制具有更优的导航定位精度,其周期平滑后的三维RMSE值为1.28 m,相比伪码测距体制下的三维RMSE值优化了86.8%;二维RMSE值为0.99 m,相比于伪码测距体制提升了52.9%。本文提出了一种较为可靠的低轨通信星座多普勒定位方案,为未来低轨通信卫星用于导航定位服务提供了有益参考。 相似文献
3.
4.
以河北优质白麦为原料,研究了微波辐照功率、辐照时间、润麦水分、润麦时间等参数对全麦粉脂肪酶活动度、湿面筋含量的影响,考察了适度微波辐照对面粉粉质特性和糊化特性的影响。结果表明微波辐照能够显著降低(p<0.05)全麦粉的脂肪酶活动度和湿面筋含量。适度的微波辐照(微波功率420 W,辐照时间90 s,润麦水分14%,润麦时间25 min)能够大幅降低全麦粉脂肪酶活动度,同时对其湿面筋含量损伤较小,并提高面粉粉质稳定时间,降低弱化度,增加了面糊峰值粘度和回生值,改善了面筋强度和面糊稳定性,延缓了全麦粉脂肪酸值的升高。 相似文献
5.
为了探讨桑叶提取物的抑菌活性及其物质基础,采用微量稀释法对桑叶70%乙醇提取物的4个萃取部位进行抑菌活性测试并利用气相色谱-质谱联用技术对抑菌活性强的萃取部位进行了成分分析,结果表明桑叶70%乙醇提取物4个萃取部位中石油醚部位抑菌活性最强,其次为乙酸乙酯部位,正丁醇部位和水部位 气相色谱-质谱检测分析石油醚萃取部位的主要成分及其质量分数为植物醇(24.87%)、环二十八烷(18.00%)、棕榈酸(10.20%)、α-亚麻酸(9.06%)、亚麻酸乙酯(7.92%)、硬脂酸(7.14%),另外还含有少量α-生育酚和β-谷甾醇等活性成分. 相似文献
6.
苯(benzene)是一种常见的职业性毒物和环境污染物,主要由其代谢产物氢醌(Hydroquinone,HQ)发挥毒性作用。聚腺苷二磷酸核糖聚合酶[Poly(ADP-ribose)polymerase,PARP]是一类存在于多数真核细胞内的多功能蛋白质翻译后修饰酶,其中PARP-l是研究最早、最为深入的一种。PARP-1在氢醌诱导细胞凋亡中发挥了重要作用。本文从HQ的概述、PARP-1的结构与功能以及PARP-1在HQ诱导细胞凋亡中的作用等方面做一综述,以期对苯暴露引起的各类疾病的防治提供理论指导。 相似文献
7.
磨削速度对碳化硅陶瓷磨削损伤影响机制研究 总被引:1,自引:0,他引:1
碳化硅陶瓷高速磨削过程中,磨粒对工件材料强力冲击,应变率剧增、复杂显微结构对应力波传送响应转变,材料力学行为发生变化,目前高速磨削对材料去除机制影响的物理本质认识还不清楚。为此,开展磨削速度对SiC陶瓷磨削裂纹损伤影响机制研究。通过单颗磨粒磨削SiC陶瓷试验,分析了磨削速度对SiC陶瓷磨削表面形貌、磨削亚表面裂纹损伤深度、磨削力和磨削比能的影响规律。试验结果表明,当SiC陶瓷材料以脆性方式去除时,磨削速度对裂纹损伤影响最为显著,随着磨削速度从20 m/s增加到160 m/s,磨削亚表面裂纹损伤深度从12.1μm快速降低到6μm。采用Voronoi法建立了金刚石磨削多晶SiC陶瓷有限元仿真模型,当磨粒切厚为0.3μm,磨削亚表面损伤以微裂纹为主;当磨粒切厚为1μm时,随着磨削速度增加,磨削亚表面裂纹损伤深度从14.7μm降低到4.6μm,磨削亚表面宏观沿晶裂纹逐渐变为微观裂纹。基于位错理论和冲击动力学理论,揭示了高速磨削过程中位错密度的增加和晶界反射应力波对应力场削弱作用是高速磨削SiC陶瓷裂纹损伤“趋肤效应”产生的机理。 相似文献
8.
当前碳化硅陶瓷类硬脆材料磨削损伤形成机理研究主要是基于经典压痕断裂力学基础理论,然而对于具有复杂显微结构的陶瓷材料,磨削亚表面裂纹损伤形式和萌生扩展机理未必遵循经典压痕断裂力学理论。有鉴于此,重点从陶瓷材料显微结构层面开展碳化硅陶瓷磨削损伤形成机理研究,采用单颗金刚石磨粒轴向进给磨削试验方法,借助聚焦离子束、透射电镜等设备,分析碳化硅陶瓷磨削损伤特点,发现穿晶裂纹具有显著择优取向性,晶界对裂纹萌生具有显著诱导作用、对裂纹扩展具有显著阻碍作用;提出了SiC陶瓷磨削亚表面晶界裂纹系统,揭示了位错在晶界处塞积是晶界裂纹系统产生的机理;随磨削进行,SiC陶瓷磨削亚表面晶界裂纹系统分别经历位错激发、位错运动至晶界处堆积、晶界处微裂纹萌生、晶界处微裂纹扩展汇合形成宏观沿晶裂纹和穿晶裂纹、裂纹扩展至磨削表面形成破碎凹坑五个跨尺度演化过程;基于位错塞积理论建立了晶界裂纹系统一般性的断裂力学模型,解析裂纹萌生与扩展临界条件;建立了晶粒尺度单颗金刚石磨削多晶SiC陶瓷有限元仿真模型,验证了SiC陶瓷磨削亚表面晶界裂纹系统模型的准确性。 相似文献
9.
利用单端暂态量检测单相高阻接地故障的新方法 总被引:3,自引:0,他引:3
提出了基于单端暂态量实现高压输电线路高阻接地故障检测的新方法。由于故障电量变化不明显,高阻接地故障通常难以检测,并且容易受到系统正常操作例如电容器投切的影响。研究表明,输电线路发生单相接地故障时,故障相电流和零序电流经小波变换后的模极大值在同一尺度上的同一位置极性表现为同号,同时有相同的时间特性,可以用来作为接地检测的依据。为提高可靠性,利用高阻接地故障和电容器正常投切时暂态高次谐波分量含量的不同来区分故障与正常投切操作。大量ATP仿真及RDTS实验结果表明,该判据具有良好的性能,能保证电容器正常投切时不误发信号,从而提高电网安全性和可靠性。 相似文献
10.