一种采用精缩机拼接斜线条图形的方法

提出一种由曝光单元拼接斜矩形线条的数学模型,基于该模型编制了一款数据处理程序。利用该数据处理程序和特制的光栏版,使精缩机实现图形发生器的功能,精确拼接出无锯齿状边缘的斜线条图形,为制作特殊的掩模版提供了一种实用的方法。     

不同氮流量比制备纳米Ta-N薄膜及其性能

超大规模集成电路Cu互连中的核心技术之一是制备性能优异的扩散阻挡层.本文采用直流磁控反应溅射在N2/Ar气氛中制备了不同组分比的Ta-N薄膜,并原位制备了Cu/Ta-N/基底复合结构,对部分样品在N2保护下进行了快速热处理(RTA),采用台阶仪、四探针测试仪、原子力显微镜(AFM)、扫描电镜、X射线衍射(XRD)对薄膜形貌结构进行了表征.结果表明,随着N2流量比的增加,薄膜沉积速率下降,表面趋于平滑,Ta-N薄膜热稳定性能及阻挡性能随之提高,而电阻率则上升.氮流量比为0.3制备的厚度为100nm的Ta-N薄膜经600℃/5min RTA后,仍可保持对Cu的有效阻挡;在更高温度下退火,Cu将穿过阻挡层与Si发生反应,导致阻挡层失效.     

单晶硅太阳电池背场欧姆接触的改善研究

采用磁控溅射在扩散工艺后的单晶硅片背面沉积了铝膜,对样品在600～900℃之间进行了快速热处理,利用四探针电阻测试仪、扫描电镜对热处理前后样品的电阻率、形貌等进行了表征,用半导体参数测试仪测量了样品的I-V曲线,计算了铝膜与硅片的接触电阻,并同步与印刷铝浆料样品进行了对比,研究表明,与丝网印刷工艺相比,溅射铝膜具有均匀细腻、电阻率低、接触电阻小等优点.     

一种简单的低频f—V转换器

介绍由一片四运放和少量其它元器件构成的频率—电压转换电路,该电路结构简单,成本低,工作稳定,在48～52Hz的工作频率范围,其误差可作到小于±0.1Hz。     

我国卫生填埋场防渗技术的研究现状及发展探讨

防渗系统是填埋场建设的关键问题之一。从防渗方式、防渗结构、防渗材料等几方面论述了目前我国卫生填埋场防渗技术的研究现状及其应用情况,分析了我国卫生填埋场防渗系统存在的主要问题,并结合当前填埋场防渗系统的研究实际,指出我国填埋场防渗系统建设应进一步改造老填埋场、开发新型防渗材料和提高渗滤液处理工艺。