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利用0.35μm工艺条件实现了性能优良的小尺寸全耗尽的器件硅绝缘体技术(SOI)互补金属氧化物半导体(FD SOI CMOS)器件,器件制作采用双多晶硅栅工艺、低掺杂浓度源/漏(LDD)结构以及突起的源漏区。这种结构的器件防止漏的击穿,减小短沟道效应(SCE)和漏感应势垒降低效应(DIBL);突起的源漏区增加了源漏区的厚度并减小源漏区的串联电阻,增强了器件的电流驱动能力。设计了101级环形振荡器电路,并对该电路进行测试与分析。根据在3V工作电压下环形振荡器电路的振荡波形图,计算出其单级门延迟时间为45ps,远小于体硅CMOS的单级门延迟时间。 相似文献
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水滑石类插层组装功能材料 总被引:19,自引:4,他引:15
水滑石类(LDHs)化合物是一类典型的阴离子型层状材料。LDHs的构筑单元和结构的可控性和多样性,为此类材料的应用研究提供了广阔前景。以LDHs的层状结构和可插层性为线索,介绍了LDHs的结构特征和制备化学,讨论了阴离子插层LDHs的组装原理和主-客体相互作用,对基于主体层板调控及主-客体相互作用的多种插层LDHs功能材料的制备和应用进行了综述,并对LDHs的结构创新和制备技术的研究方向进行了展望。 相似文献
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云南安益钛磁铁矿选铁试验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
云南安益钛磁铁矿储量巨大,工业开发利用价值巨大。通过工艺矿物学研究可知,原矿主要含铁矿物为钛磁铁矿和钛铁矿,主要脉石矿物为辉石和斜长石,钛磁铁矿的嵌布粒度相对较粗。实验室小型试验采用"弱磁粗选-磁筛精选"流程,控制磨矿细度为-0.074mm含量50%,控制弱磁磁场强度在100~170kA/m区间内,磁筛间距控制为70mm,可获得TFe品位55.85%、回收率为59.16%的钛磁铁矿精矿。扩大连续试验时,控制磨矿细度为-0.074mm含量50%,一段磁选的磁场强度控制为143.31KA/m,磁筛间距控制为70mm,可获得TFe品位53.89%、TiO2品位13.35%,TFe回收率为62.24%、TiO2回收率为51.69%的精矿。 相似文献