论消防工程专业施工的几个基本问题

消防工程专业施工企业体现专业设计、专业施工、专业维护的特点,对保障建筑工程消防安全起很大作用。但伴随着消防工程专业施工队伍的不断扩大,消防施工企业在内部管理、质量责任等方面也遇到一些新的问题和困难。为此,就消防工程专业施工中的质量责任、规范市场等方面作以下论述。     

在线虚拟网络实验系统命令行提示技术的研究与实现

基于B/S模式虚拟网络实验系统,提出并实现了实验操作过程的命令行提示技术。该技术利用了.NET环境下的Windows Forms以及C#编程语言,实现了在用户配置命令过程中动态地显示可匹配的完整命令符,解决了计算机网络初学者对网络设备配置命令不熟悉而导致实验效率低下的问题。     

低成本多晶硅片表面织构的研究

采用化学腐蚀液织构了经磷吸杂处理后的多晶硅片。利用SEM分析了化学腐蚀后多晶硅表面形态,并通过反射谱测试分析了多晶硅片表面的陷光效果。实验结果表明：经酸腐蚀后的样品表面分布着均一的“蚯蚓状”的腐蚀坑,且反射率较低。在400-1000nm波长范围内,反射率可达22．75％;生长了SiN,薄膜后,反射率减小至8．33％,比原始硅片的反射率低20．96％。     

一种触摸屏电极薄膜定位与缺陷检测方法

电极薄膜表面的污渍缺陷检测是工业生产触摸屏过程中一个必要环节,利用图像采集系统结合数字图像处理进行检测,可以将薄膜按结构特征和缺陷分布情况分为两部分;按不同区域特点分别采用背景差分算法和局部增强算法进行缺陷检测,从而解决了传统的人工检测耗时、耗力、不精确等问题,提高了生产效率。     

UMG多晶硅片的少子寿命

利用微波光电导衰减方法,研究磷吸杂、热氧化以及氮化硅钝化后快速热退火等工艺对物理冶金法制备的UMG硅片少子寿命的影响。实验发现:磷吸杂可有效改善冶金法硅片的少子寿命,其优化的条件是950℃处理4h;经热氧化处理后,少子寿命有所下降;氮化硅钝化后快速热退火处理可提高少子寿命,其优化的条件为800℃退火30s。     

刚柔耦合弹性筛分机理与动力煤3mm分级试验

动力煤广泛应用于电力、冶金,建材以及化工等领域,筛分是动力煤加工利用的关键环节。随着采煤机械化的发展,其细粒含量逐渐增加,当物料水分较高时易造成颗粒团聚,筛分作业难以进行,因此开展黏湿动力煤高效干法深度筛分至关重要。传统干法筛分过程多为6 mm分级、甚至13 mm以上分级,原煤入选比例低,造成资源浪费和环境污染等问题,降低其分级下限是目前亟待解决的技术难题。传统筛面为刚性筛面和弹性筛面,前者容易造成物料卡堵,后者在筛分过程中筛面局部易发热老化,大大降低筛分效率和筛机处理能力。为提高黏湿动力煤3 mm干法高效筛分效果,笔者提出了刚柔耦合弹性筛分方法。采用振动测试手段研究了刚柔耦合弹性筛面运动学特性,阐明了筛面的运动行为与弹性区域形变规律,揭示了刚柔耦合弹性筛分机理。采用多因素逐项试验方法,探究了处理能力与外水含量对动力煤3 mm刚柔耦合弹性筛分过程的影响规律与机制。结果表明:弹性区域较刚性区域位移幅值增加87. 69%,加速度幅值增加98. 08%;随处理能力的增加,综合分离指数呈先升高后降低的趋势,处理能力为2. 00 kg/s、物料外水含量为6. 13%时,综合分离指数在89. 00%以上;外水含量的增加导致综合分离指数降低,外水含量升至11. 01%时,综合分离指数达78. 92%,表明刚柔耦合弹性筛面可实现黏湿动力煤3 mm的干法高效筛分。     

温岭观岙污水厂一期工艺诊断及二期扩建方案研究

温岭市观岙污水处理厂现有一期工程的规模为7×104 m3/d,采用氧化沟工艺,出水水质执行国家二级排放标准.通过系统化的工艺诊断发现,一期工艺的脱氮除磷效果不甚理想,出水NH3-N、TN和TP浓度不能稳定达到未来的一级B标准要求.因此,建议修理或更换表曝机及相关主要设备、调整工艺运行参数、改造成MO工艺、增加化学除磷单元.同时,对二期扩建工程的生物智能控制系统进行了研究,从合理的管路布置和管径大小、精确的在线仪表、优良的鼓风供气系统三方面提出了功能实现要求,以期达到生物工艺过程控制和节能减排.     

桐庐综合市场消除整改的设计体会

桐庐综合市场的消防整改工程从设计方案到施工图设计是根据消防部门的整改要求，结合建筑物的实际情况，并在深入调查研究的基础上，按现行的防火设计规范合理设计的消防系统，对设计应注意事项作了介绍。     

闭式自动喷水-泡沫联用系统在大型地下汽车库的应用

结合工程实例,介绍了大型地下车库闭式自动喷水泡沫联用系统的适用范围和系统组成,以及有关系统设计计算、设计要求和解决措施等问题.     

冶金法n型多晶硅磷、硼吸杂实验的研究

研究了冶金法n型多晶硅片磷吸杂、硼吸杂效果及其机理。研究发现,经1 000℃/4h磷吸杂后,硅片平均少子寿命从1.21μs提高到11.98μs;经950℃/1h硼吸杂后,平均少子寿命从1.52μs提升到10.74μs。两种吸杂处理后,硅片电阻率从0.2Ω.cm提高到0.5Ω.cm。结果表明,两种吸杂工艺使得硅片表面形成的重磷、重硼扩散层对金属杂质有较好的吸杂作用,从而减少载流子的复合中心,改善多晶硅片的性能。