GaInP应力补偿层在InAs/GaAs量子点中的初步应用

利用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)技术生长了双层InAs/GaAs量子点,并将GaInP作为应力补偿层引入到其中,采用原子力显微镜(AFM)对量子点的结构和生长质量进行了表征与分析。实验结果表明,应变补偿层的采用可有效改善第二层量子点质量:(1)面密度最高可达7.5×1010 cm-2,而没有应变补偿层的样品的面密度仅为5.8×1010 cm-2;(2)缺陷岛密度可从不采用应变补偿时的9.6×107 cm-2降低至2.8×107 cm-2;(3)量子点的均匀性和尺寸也明显改善。此外,不同应变补偿层厚度比较实验结果显示,厚度过高或过低的应变补偿层都不能起到很好的补偿作用,取1~3nm之间为佳;不同GaInP补偿层组分的比较实验结果表明,Ga组分为0.566的样品补偿效果比0.606的样品更好。     

三种方法分析光伏发电上网电价

与常规能源发电相比,目前光伏发电电价还不具备竞争优势,制定一个合理的上网电价是推动我国光伏产业健康发展的关键。上网电价取决于光伏电站的建设和运营成本,而影响光伏电站投资成本的因素很多,如太阳能辐射量、器件和设备价格、电站规模、项目融资方式、贷款利率、政府补贴额定等,很难制定出统一的上网电价。本文从具体实例出发,在云南某地拟建一个10MW的单晶硅并网光伏电站,将辐射量、设备价格、电站规模及财务参数等因素都具体化,从电站的建设到运行,考虑所有影响投资成本的因素来计算建设成本。然后利用财务分析中的净现值法、内涵报酬率法、项目回收期法三种方法分析计算相应的较为合理的光伏发电上网电价,比较三种方法得到的结果,讨论不同因素对电价的影响效果。     

1MW高倍聚光光伏发电并网系统的设计

本文选云南石林地区为电站场址,通过对高倍聚光光伏组件选择、光伏阵列运行方式选择、光伏阵列设计及布置方案、并网逆变器选型等光伏发电系统构成方面进行了研究设计.分析得出该电站的理论年发电量为170.07万kWh,具有良好的经济效益和环保效益.     

用VGF法生长6英寸锗单晶中籽晶熔接工艺研究

采用垂直梯度凝固(VGF)法生长单晶时,其温度梯度较低,生长速率较小,目前已成为生长大直径、低位错密度晶体的主流技术之一.在VGF法生长单晶的过程中,籽晶的熔接工艺直接影响着单晶生长的成败.研究了拉速器速度、保温时间及石英棉用量对6英寸(1英寸=2.54 cm)锗单晶VGF生长中籽晶熔接的影响,并确定了最佳的籽晶熔接工艺.研究结果发现,当拉速器速度为3～4 mm/h、保温时间为75～100 min、石英棉用量为15～20 9时,实现了对籽晶熔接工艺的精准控制,熔接长度为12～22 mm,位错密度小于500 cm-2,有效地降低了生产成本,提高了生产效率和单晶率.     

半导体生产含砷废水处理回用工程

采用沉淀法—电絮凝法—气浮法—膜分离法四段组合工艺对含砷废水进行处理,原水含砷180~230mg/L,经该工艺处理后出水含砷0.03 mg/L,去除率99.9%。工程运行实践证明:该系统运行稳定、处理效果高,产出的清水用作生产用循环冷却水,大大降低了生产成本。