ITO/Ag/AgNW新型复合透明导电薄膜性能研究

采用磁控溅射和湿法涂布技术制备了一种ITO/Ag/AgNW结构的新型复合透明导电薄膜。研究其光学、电学等性能发现:ITO/Ag/AgNW薄膜在400~700nm的平均透过率高于ITO/Ag/ITO薄膜,且方块电阻远小于ITO/Ag/ITO薄膜,达到6.9Ω/□;耐弯折性能测试后,其方块电阻约增加62%,达11.2Ω/□。研究结果表明,这种新型的复合透明导电薄膜具有低阻、高透及耐弯折良好的特性,在柔性显示领域具有一定的应用潜力。     

太阳能光电-光热综合利用系统

太阳能储量巨大,分布广泛,清洁安全。但太阳能光伏发电存在成本较高和能量转化效率较低的问题。因此本文提出太阳能光电-光热综合利用方式。通过聚光降低成本,通过分频综合利用提高系统效率。在分频利用技术上,寻找具有特定吸收发射特性的纳米流体流经光伏电池上层．吸收光伏电池不能加以利用的部分能量。此外,利用光学薄膜,将光伏电池可利用的波段反射给光伏电池,其余部分的能量透射用以其他形式的能量转换。文章对两种太阳能光电-光热综合利用系统进行了设计和探索。结果表明,通过光电-光热综合利用能够对太阳能利用效率实现有效提升。     

二氧化硅基质中包埋硅纳米晶薄膜的光学性质研究

本文采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）的方法，在不同的SiH4和CO2气体流量比率（GFRRSC）下，制备了基质中包埋硅纳米晶的二氧化硅薄膜。微区拉曼光谱计算结果表明，随着GFRRSC降低，硅晶粒平均尺寸逐渐减小。吸收光谱的计算结果表明，由量子限制效应所致光学带隙随着GFRRSC降低而逐渐展宽。在1．4eV～2．4eV能量区间发现多个发光峰。在低温下（80K）观测到声子参与的发射光谱，表明在1．7eV附近的发光峰源于Si-O振动模式参与的Si-SiO2界面的跃迁。     

火焰原子吸收光谱法测定乳粉中的锌与铁

<正>通常乳粉中锌与铁的含量较低,为了增加儿童对锌与铁的摄入量,目前市售的母乳化乳粉和婴儿乳粉中多加有这两种元素,测定乳粉     

银纳米线透明导电薄膜在触控单元的应用与挑战

采用卷对卷涂布机湿法涂布制备的银纳米线薄膜,其薄膜方阻可低至40Ω/□以下,在400～700 nm可见光波段透过率89%以上,环境测试性能稳定,高温高湿及抗紫外(QUV)测试,方阻变化率小于15%,耐弯折性能优异,可满足触控设备的柔性化,大尺寸化的发展需求。同时研究发现,采用黄光湿法刻蚀银纳米线薄膜,传统刻蚀液无法有效刻蚀银线。采用激光干法刻蚀时,刻蚀沟道宽度与银线长度相当,则存在沟道阻抗变化较大的问题。这些问题阻碍了银纳米线薄膜的产业化应用,需尽快解决,使银纳米线薄膜真正成为柔性化可穿戴触控设备的重要透明导电材料。     

纳米流体太阳能电热联产系统性能研究

提出了一种具有选择性吸收功能的直接吸收式油基纳米流体太阳能电热联产系统,采用油基二氧化钛纳米流体匹配硅光伏电池板以实现对太阳辐射的分波段利用.通过求解辐射传递方程和能量守恒方程,分析了该系统在不同聚光强度和工质循环速率条件下的工作性能.通过与传统电热联产系统中光伏模块工作温度、循环流体出口温度、光热转换效率,以及光电转换效率的比对,验证了该系统能够在维持良好的光伏电池热管理的同时获得相对高品位热能收集.结果表明,在入射光强小于200 kW/m2工况下,该系统中的光伏电池板的工作温度能够维持在330K以下,其系统总的有效输出能相较于采用导热油作为循环工质的传统电热联产系统可实现16％ ～58％的效率提升.     

基于DAC概念的改进型聚光电热联用系统

基于DAC技术对传统的聚光电热联用系统(CPV/T)进行优化设计,采用水为吸热工质与常规硅太阳电池相结合对太阳能辐射进行分波段利用,分别完成光热转换和光电转换。对该改进CPV/T系统建立了辐射传递模型和能量平衡模型:首先,对太阳能辐射在系统中的传递过程进行了分析;而后对系统的光热单元和光电单元工作温度进行了计算。计算结果显示该系统光热单元温度不再受光电单元工作温度限制,随着聚光比的增加该系统光热单元可产出高温热能,其吸热工质出口温度可达到108℃,而相应的光电单元工作温度低于69℃,同时通过试验对系统光电性能进行了对比分析;最后对该CPV/T系统效率进行分析,得到其光热转换效率为32%,光电转换效率保持在8.6%～10.5%之间。     

银纳米线薄膜化学焊接工艺

目的为解决银纳米线(AgNWs)薄膜应用中存在较高节点电阻的问题,在不改变AgNWs薄膜透过率的条件下,利用卤化盐对AgNWs薄膜进行化学焊接,以降低AgNWs薄膜的表面方阻,并提高AgNWs薄膜的耐弯折性能。方法通过化学焊接方式对AgNWs薄膜进行改性处理,分析AgNWs薄膜化学焊接工艺的相关参数。如化学焊接试剂的选择,盐浴时间的优化,以及AgNWs墨水添加不同比例的PVA对其薄膜化学焊接效果的影响。结果研究得到最佳AgNWs薄膜化学焊接工艺,在AgNWs墨水中添加2份PVA,摇匀后涂布成膜,将AgNWs薄膜在质量分数为10%的NaCl溶液中浸泡60 s,用纯水反复清洗3次,每次10 s,之后用氮气吹干。化学焊接后,AgNWs薄膜的方阻下降了35.1%,方阻均匀性为9.0%。结论AgNWs薄膜经过化学焊接后,薄膜方阻和均匀性得到优化,光学性能保持不变,且外观良好,为其在柔性显示和电磁屏蔽领域应用奠定了技术基础。     

超细银纳米线的制备技术研究

为了使银纳米线透明导电薄膜具有更优异的光电性能,需要降低银纳米线的直径。以传统的多元醇法为基础,通过引入一种有机试剂安息香,作为还原Ag~+的还原剂,提高了反应的活性,能在较低温度下进行银线合成,因此对银线横向生长起到抑制作用;同时加入溴盐,Br~+在Ag核表面的吸附有助于通过静电平衡作用控制银线线径。此方法制备的银纳米线直径更细,通过SEM对样品进行了表征,结果表明,产品直径达到13 nm左右,且长径比大于1 000。     

AgN Ws薄膜光子烧结的工艺研究

通过分析AgNWs薄膜光子烧结工艺的相关因素,如墨水中高分子有机物配比和光子烧结相关工艺参数。得到适应AgNWs薄膜光子烧结的最佳墨水分散液1. 0 mg/mL HPMC,0. 2 mg/mL海藻酸钠和0. 4 mg/mL CMC; AgNWs薄膜的最佳光子烧结工艺是电压500 V,脉冲时间是275μs和反复21次;烧结后AgNWs薄膜方阻下降15%,均匀性从40%下降到15%。研究表明,AgNWs薄膜经过光子烧结后,电学性能得到优化而光学性能基本保持不变,为其在柔性显示方面的应用奠定了基础。