六氟化硫断路器与真空断路器的特性分析

以目前电力系统广泛应用的六氟化硫断路器和真空断路器作为分析对象,从介质特性、结构特性和灭弧特性等几个方面详细介绍了各自的特点。结合运行经验,总结了六氟化硫断路器和真空断路器的优点和缺点。充分了解它们的特性以及优缺点,有助于更合理地选择高压断路器,在实际生产中进行更有效地运行和检修维护。     

基于压电陶瓷动态信息的结构裂纹识别方法

利用压电陶瓷的动态特性和压电系统的动态信息,对铝梁的裂纹损伤进行了分析研究。随着梁裂纹尺寸的增加,压电陶瓷片的导钠幅值下降,且系统固有频率减小。利用导钠幅值的变化和系统的动态信息,可以对裂纹的位置和尺寸大小进行识别。实验证明该方法的有效性。     

深水海底泥浆举升钻井技术及其应用前景

为了解决深水钻井中遇到的问题，由Conoco公司领导的工业联合项目组研发了海底泥浆举升钻井（以下简称SMD）技术。采用该技术进行深水钻井时，隔水管内充满海水，泥浆用小直径管线从海底返回，在返回环空中形成两个压力梯度，实现双梯度控压钻井。文中着重介绍了SMD的理论依据、系统工作原理、系统关键设备以及SMD井控程序的HAZOP分析等。从技术适用性、经济性、装备以及可能存在的风险等方面对该技术在南中国海钻井中使用的可行性进行研究，并展望其应用前景。     

基于混合智能的多Agent个性化信息推荐

在基于Agent的个性化网页推荐中，目前主要有两种过滤方法：基于内容的过滤和基于多Agent合作的过滤。在分析了单独使用这两种方法存在的不足之后，提出了基于改进蚁群算法的聚类分析建立用户模型的算法，并给出了结合两种方法优点的用户模型主动学习算法，最后给出了个性化信息推荐模型及相关算法。     

一种PD雷达动目标模拟与微波测控系统

介绍了一种基于PC／104总线，具有GPIB程控功能，采用无内部微波源体制，通过在雷达载频上调制多普勒频率模型目标速度信息，延迟雷达发射机触发脉冲模拟目标距离信息并具有微波功率精确定标与衰减功能的PD雷达动目标模拟与微波测控系统。     

Finding all hops shortest paths

In this letter, we introduce and investigate a new problem referred to as the All Hops Shortest Paths (AHSP) problem. The AHSP problem involves selecting, for all hop counts, the shortest paths from a given source to any other node in a network. We derive a tight lower bound on the worst-case computational complexities of the optimal comparison-based solutions to AHSP.     

面积坐标法构造含转角自由度的四结点膜元

以四边形面积坐标作为工具,构造了两个含转角自由度的广义协调四边形单元AQ4和lAQ4。它们通过强式分片检验,与同类单元相比,具有很高的计算精度,能消除梯形闭锁现象,有很强的抗网格畸变的能力。     

微机械热对流倾角仪温度补偿技术研究

介绍了微机械热对流倾角仪的工作原理和结构设计,利用有限元分析软件,计算了在不同倾斜状态下二维密闭腔中点热源引起的对流场和温度场,提出了环境温度对热对流倾角仪影响的模型。根据仿真结果,在电路中增加了加热丝恒定温度控制电路,建立了基于软件的环境温度补偿算法,实现了对温度影响的补偿。经测试,环境温度从-40℃变化到60℃时,倾角仪0°输入的温度稳定性为0.07°,10°输入的温度稳定性为0.02°。     

一种PDMS薄膜型微阀的制备与性能分析

通过厚胶光刻工艺在硅片上制备SU-8胶模板，利用该模板制备了高分子聚合物PDMS(Polvdimethvlsiloxane，聚二甲基硅氧烷)微流道和薄膜结构。通过对不同结构的两层PDMS的不可逆粘接得到一种简单的阀结构，在外加气源压力作用下薄膜产生变形实现对微流道的控制。实验测量了微阀的控制气源压力与被控制液体流量之间的关系，说明膜阀的开闭性能良好。根据弹性薄膜的变形理论，对影响微阀性能的参数进行了分析，并提出了几种可行的用于薄膜微阀控制的方法。     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。