河南省灵宝市董家埝银矿原生晕特征及地质意义

董家埝银矿是豫西小秦岭矿集区南成矿带目前发现的唯一大型矿床。为了矿床深部勘查工作的顺利进行,了解有用元素在垂向上的变化规律,选用原生晕地球化学方法,通过典型矿床剖面的原生晕特征研究,实现对深部矿体变化趋势的判断。经计算,确定As、Sb、Ag、Au、Cu、Pb、Zn、Co和Mo等9种元素可作为指示元素,其中As和Sb为前缘晕指示元素,Ag、Au、Cu、Pb和Zn为近矿晕指示元素,Co和Mo为尾晕指示元素。分带指数和浓集指数2种方法计算得出的元素在分带序列上的位置总体趋势一致。用分带指数法确定的主矿体自上而下的原生晕轴向分带序列为Co-Mo-Cu-Au-Sb-Zn-Pb-Ag-As,出现"反分带"现象。结合原生晕地球化学参数变化特征、矿体剥蚀程度研究和理想模型,预测M1-I主矿体向深部仍有较大的延伸。研究成果可以为区域同类型矿化地质体深部的趋势判断和决策提供参考。     

秸秆微晶纤维素用作片剂崩解剂的初步评价

对实验室自制秸秆微晶纤维素用作片剂崩解剂进行了初步评价。参照《中国药典》(2010版)中微晶纤维素的有关规定,评估自制秸秆微晶纤维素的质量;以阿司匹林为模型药物,以市售微晶纤维素(PH-101)为对照,测定秸秆微晶纤维素的溶胀性、崩解性。结果表明,自制的秸秆微晶纤维素质量符合《中国药典》有关规定,且溶胀性和崩解性优于市售微晶纤维素(PH-101),可用作片剂崩解剂。在秸秆微晶纤维素含量为20%时,崩解速度最快。     

噻吩在镍基非晶态合金上的吸附和脱附

应用静态吸附、动态吸附、程序升温脱附和程序升温还原等实验方法，考察了噻吩在Ni基非晶态合金上的吸附和脱附行为。常温下，噻吩分子首先吸附在清洁的Ni表面，并立刻被活化，发生氢解反应，C-S键断裂，释放出烃类部分，S留在Ni原子上。噻吩可以在Ni基非晶态合金表面发生强度不同的化学吸附。弱化学吸附的噻吩可以脱附；强化学吸附的噻吩不会脱附，而在高温下发生氢解反应。     

分层注水井智能测试调配技术试验评价

注水井智能测试调配技术在不改变原注水管柱的基础上，利用井下可调式堵塞器，通过地面电脑控制，实现了测试调配同步进行。通过7口井的现场试验及分析评价，表明该工艺具有测调精度高、测调时间短、测试资料准确等特点。     

聚甲亚胺改性尼龙6复合材料的等温结晶动力学

采用差示扫描量热法（DSC）对聚甲亚胺（PAM）/尼龙6复合材料等温结晶过程进行了研究。结果表明，PAM的加入使得基体的结晶速率增大，尤其是当含量为5%时，半结晶期明显减少。研究还发现，该体系的等温结晶过程完全可以用Avrami方程来描述，各试样的Avrami指数均在2-3之间，表明Avrami指数，球晶生长方式基本不受聚甲亚胺加入的影响。基体中原位形成的聚甲胺微纤起到了诱导结晶的作用，使得基体的结晶速率加快，但随着微纤含量的增加，由于分散性能变差而使得诱导结晶的能力减弱，表现为结晶速率又有所降低。     

线性调频的脉冲压缩雷达视频信号仿真

利用数字方法实现线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号具有诸多优点：信号模拟的精度高，灵活性好，幅度、相位补偿方便，可以模拟复杂情况，系统结构简单，可靠性高，可扩展性强。详细介绍了基于FPGA设计线性调频的脉冲压缩雷达视频目标模拟信号的原理、结构、具体实现以及简要的性能分析。结果表明该方案性能良好，具有现实可实现性。     

组合结构体的控制爆破拆除

根据待拆构筑物的结构特点和周围环境，分析论述构件倒塌的可能性。因地制宜选择，制定出合理的爆破方案。并通过对爆破参数，起爆网络，安全防护等进行精心设计和施工，拆除爆破达到了预期的效果。     

Formation and growth mechanism of TiC crystal in TiC_p/Ti composites

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＰａｒｔｉｃｌｅｓｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄｔｉｔａｎｉｕｍａｌｌｏｙｍａｔｒｉｘｃｏｍｐｏｓｉｔｅｓ(ＴＭＣｐ)ｈａｖｅｗｉｄｅａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｆｉｅｌｄｓｆｏｒｔｈｅｉｒａｔｔｒａｃｔｉｖｅｈｉｇｈｓｐｅｃｉｆｉｃｓｔｒｅｎｇ     

无掩模激光干涉光刻技术研究

介绍了一种不用掩模的光刻技术———激光干涉光刻技术的基本原理,给出了干涉光刻技术的主要特点及一些可能的应用,并对实验系统和初步实验结果进行了分析。研究表明,激光干涉光刻具有大视场和分辨率高和视场宽等优点。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ