班公湖-怒江缝合带西段亚龙日地区硅质岩地球化学特征及其沉积环境

通过对纳屋错蛇绿混杂岩带内硅质岩岩石学以及主量、微量和稀土元素地球化学特征研究,探讨其成因和沉积环境。结果表明:(1)该区硅质岩露头以岩片形式产出,与相邻地质体呈断层接触;(2)硅质岩的SiO_2质量分数为83.32%～94.37%,w(SiO_2)/w(Al_2O_3)为14.65～49.02,w(Al_2O_3)/w(Al_2O_3+Fe_2O_3+MnO)为0.58～0.79,表明其形成受陆源物质影响,含有较高比例的陆源泥质沉积物;(3)Al-Fe-Mn成因判别图显示为生物成因硅质岩而非热水成因;(4)w(Al_2O_3)/w(Al_2O_3+Fe_2O_3)为0.59～0.80,结合100×w(Fe_2O_3)/w(SiO_2)-100×w(Al_2O_3)/w(SiO_2)和w(Fe_2O_3)/w(TiO_2)-w(Al_2O_3)/w(Al_2O_3+Fe_2O_3)图解,以及稀土元素北美页岩标准化后显示出的平坦型稀土配分模式,Ce呈负异常特征,(w(La)/w(Ce))_N值为1.67～2.15,w(Ce)/w(Ce*)在0.46～0.61间,以上特征均显示其形成于大洋盆地到大陆边缘的构造环境。综合研究认为,纳屋错蛇绿混杂岩带内硅质岩为生物成因,其沉积环境为大洋盆地到大陆边缘构造环境。     

笼式砂土石分离施肥一体机的设计

在宁夏贺兰山东麓葡萄种植基地,由于当地的土层砂石比较多,并且有的块径也特别大,影响葡萄的种植、生长和培育。针对当地的土质特点,结合人工对砂土石分离的操作过程,本设计通过对土石分离的要求和原理进行研究,设计了一套笼式砂土石分离施肥一体机,本设计主要包括动力部分、传动部分、行走部分和分离混料部分等。该机器可以实现砂土石的分离和农家肥底肥施肥的自动化,极大的提高了葡萄种植过程中整地效率和施肥的均匀性,为后续葡萄的种植提供了较好的土壤条件。     

从陕西某尾矿中回收硫铅金的研究

针对陕西某尾矿中含有可以回收的硫、铅和金等有价元素,结合矿石性质,采用"重选预富集—混合浮选—硫铅分离"工艺对该尾矿进行了综合回收试验,最终获得品位为43.7%,回收率为81.12%的硫精矿和金铅混合精矿,其中铅品位为42.50%,回收率为69.10%,铅精矿中含金18.99g/t,其回收率为39.90%。本研究对类似尾矿的综合利用有一定的参考意义。     

单粒玉米种子水分近红外快速无损测定方法研究

玉米精量播种技术发展对种子质量检测提出了单粒、无损、快速测定等新需求,本研究重点探索了近红外光谱结合化学计量学方法建立单粒玉米种子水分检测模型的可行性。实验收集并测定了110份玉米样本的水分含量,应用傅里叶变换红外光谱仪及单粒测样附件扫描得到样本集近红外光谱,按照3:1随机划分训练集和测试集。首先采用多种光谱预处理方法消除单粒种子采集光谱时由于颗粒形态等引起的噪声干扰,然后分别建立基于PLS线性模型和SVM非线性模型的单粒玉米种子水分近红外检测模型,其中PLS模型测试集的R为0.93,RMSEP为0.86;SVM模型测试集的R达到0.96,RMSEP为0.71。实验结果表明,光谱预处理结合SVM非线性模型可以有效降低单粒玉米种子近红外光谱采集时引入的非线性干扰,有助于提升单粒玉米种子水分近红外快速无损检测实际应用可行性。     

情系三湘 雅写静山——记工艺美术师杨谷贻

一方水土养育一方人,艺术总会留下地域的烙印。人居环境对人的成长有着潜移默化而持久深远的影响。杨谷贻的父亲杨应修是闻名遐迩的书画家、首届中国工艺美术大师,从小的耳濡目染,渐渐培养成了他日后的艺术气质。他自小跟随父亲学习中国画,1968年,进入醴陵群力瓷厂试制组,师从著名陶瓷老艺人唐汉初先生,1985年入中央工艺美术学院,受教于中央工艺美术学院院长张仃先生,专攻"焦墨山水"。因此杨谷贻走上了将焦墨山水与釉下     

世茂服务:物业人的“党建担当”

<正>“我要为社区领导和小区的物业服务人员点赞,不是亲人胜似亲人,让我们感受到了温暖。”家住苏州市世茂运河城社区的两位八旬老人,在社区居委会与世茂服务的帮助下顺利完成了新冠病毒疫苗接种。为此,他们送来一封感谢信,激动地向在场的工作人员表达谢意。     

第三代OA系统的安全设计

针对第三代OA系统的安全需要及特点，结合Lotus Domino，从网络各个层次讨论了OA系统的网络安全和用户认证协议，着重论述了系统内部用户和网络用户的安全认证机制，协议及其基本原理，分析了信息加密技术，提出了一个实用的安全解决方案。     

一种基于保角变换的环形栅晶体管用作ESD防护器件的建模方法

This paper proposes a novel technique for modeling the electrostatic discharge （ESD） characteristic of the enclosed-gate layout transistors （ELTs）. The model consists of an ELT, a parasitic bipolar transistor, and a substrate resistor. The ELF is decomposed into edge and comer transistors by solving the electrostatic field problem through the conformal mapping method, and these transistors are separately modeled by BSIM （Berkeley Short- channel IGFET Model）. Fast simulation speed and easy implementation is obtained as the model can be incorporated into standard SPICE simulation. The model parameters are extracted from the critical point of the snapback curve, and simulation results are presented and compared to experimental data for verification.