电磁精细探测法在隐伏型导水地质裂缝勘探中的应用

针对传统隐伏型导水地质裂缝勘探方法存在勘测精度较差的问题,提出电磁精细探测法探析隐伏型导水地质裂缝。依照屏蔽系数、实测场强和理论场强数据绘制综合曲线图,通过该图获取隐伏型导水地质裂缝所处位置几何阴影范围,采用层析成像法得到网格化的工作面,获取隐伏型导水地质图像。通过图像直接观测隐伏型导水地质工作面裂缝所处位置,在此基础上,观测四个电磁场分量,采用正交电磁场分量计算介质视电阻率,依据计算视电阻率数值和视电阻率分布状态研究裂缝发育情况和裂缝富水程度。结果表明:采用该方法能较为精准地获取隐伏型导水地质裂缝位置。通过裂缝位置进一步检测出隐伏型导水地质裂缝最大发育高度为63.5 m。当视电阻数值不断增加时,隐伏型导水地质裂缝和裂缝富水性逐渐减小,与实际情况较为相符,说明该种方法探析效果较好。     

取代苯并噻唑类化合物的制备工艺

本专利公开了工业化制备取代苯并噻唑类化合物(1)的新工艺,取代苯并噻唑类化合物可作为制备医药或农药的中间体.具体合成方法如下:     

噻吩系列化合物

中间体专利工艺栏目介绍的是最新中间体专利信息,其内容大多选自近期出版的美国化学文摘(CA)等文献,如需专利原文者,请与编辑部联系。 电话:010-64444032-835 E-mail:shengy@cheminfo.gov.cn     

第一再生器装卸催化剂口过滤器的设计及应用

针对 2 5万t a催化裂化装置第一再生器装卸催化剂口频繁堵塞问题 ,设计并安装特制的过滤器 ,解决了因堵塞影响装置生产的难题     

退火对GaAs窗口晶体断裂模数的影响

LEC GaAs晶片经高温退火后，残余应力得以部分释放；从而减小残余应力诱生断裂的可能性，提高了GaAs晶体的断裂模数。原生GaAs晶片加工的样品的断裂模数平均值约为135MPa，经退火的GaAs晶片加工样品的断裂模数平均值更高，约为150MPa，断裂模数最高值达163MPa。     

注氢硅中微结构缺陷的TEM观察

通过透射电子显微镜观察到注氢硅片中存在损伤带，损伤带的位置和注人氢的分布几乎一致，推断损伤带是由于氢的注入引起的。损伤带内主要以平行于正表面的{111}面状缺陷为主，另外还有斜交于正表面的{111}面状缺陷以及{100}面状缺陷，这是由于氢朝能量低的位置的迁移聚集而形成的。在损伤带的中间还可见到晶格紊乱团块和空洞，这是由于损伤带中间存在高浓度的氢和高密度的面状缺陷面导致形成的。     

河南某雄黄—雌黄矿石的选矿富集

河南某雄黄矿矿石及食用油作捕收剂，浮选精矿获得含砷６３．８８％，回收率８１．１７％的较好指标。由于雄黄矿物的可浮性好，所以捕收剂的用量低，仅为２５ｇ／ｔ。该雄黄矿石性脆易泥化，需要四次精选才能得一以合格的砷精矿。而雌黄矿物的可浮性差，浮选时大部分残留在尾矿中，砷的损失较大，因而雌黄矿物的回收有待进一步研究。     

X射线三轴晶衍射法测量半绝缘GaAs单晶的化学配比

采用X射线三轴晶衍射法,根据As间隙原子对作为过量As在GaAs单晶材料中存在的主要形式的模型,可以无损、高精度测量半绝缘GaAs单晶的化学配比.并探讨了引起晶格变化的原因及其与熔体组分的关系,对于制备高质量GaAs单晶及其光电器件具有重要的意义.