串联速率法研究仲钨酸铵晶体线生长速率

将结晶成核期后晶体的生长阶段作为线生长速率测定的时间范围,采用“串联速率法”研究了仲钨酸铵(APT)的晶体线生长级数。NH4Cl—NH3·H2O—H2O系和NH3·H2O—H2O系测定的APT晶体线生长级数分别为0.69和0.82。     

陶瓷金属卤化物灯用含稀土氧化物封接材料

陶瓷金属卤化物灯用封接材料是陶瓷金卤灯的关键材料。介绍了陶瓷金卤灯的特点，在国内外陶瓷金卤灯的发展现状的基础上，针对化学稳定性、线性膨胀系数、浸润性、软化和析晶、封接温度几个关键因素，讨论了陶瓷金卤灯用封接材料需要满足的条件。结合结晶性焊料和非结晶性焊料的特点及制备过程，指出陶瓷金卤灯用封接材料应为稀土氧化物结晶性焊料，并提出制备该焊料所需要解决的问题。     

仲钨酸铵成核速率常数和活化能研究

采用"成核期积分平均速率法",运用阿累尼乌斯实验定律,求出仲钨酸铵结晶成核的表观活化能E表= 181.400kJ／mol,得出仲钨酸铵结晶成核速率常数与温度的关系式为kN=2.16×1026exp(-181400/RT)。     

液相沉淀法制备WS2超细粉体

综述了近年来国内外WS2的应用及各种制备技术。以硫化钠与钨酸钠溶液为原料采用液相沉淀法制备WS2超细粉体，通过实验确定最佳工艺条件：采用1．5mol／L的Na2S溶液在85℃下硫化216．56g／L的WO4^2-3～4h，然后加入8mol／L的盐酸反应，可制得粒径分布区间0．1～1．5μm的二硫化钨。产物利用LS800欧美克粒度测试仪进行表征，结果显示：粉体的分散性良好，颗粒分布均匀，粒径D(50)为0．58μm。     

仲钨酸铵晶体生长速率常数和活化能研究

采用“成核期积分平均速率法”,运用阿累尼乌斯实验定律,求出仲钨酸铵晶体生长的表观活化能E表=94.657kJ/mol,得出仲钨酸铵晶体生长速率常数与温度的关系式为kn=8.46×1014exp(-94657/RT)。研究结果表明,温度升高,APT成核速率的增长幅度大于晶体生长速率的增长幅度,结晶产品粒度变细。     

陶瓷金卤灯用含稀土氧化物封接材料

封接材料是陶瓷金卤灯（陶瓷金属卤化物灯）的关键材料。在介绍陶瓷金卤灯的特点、以及国内外陶瓷金卤灯发展现状的基础上，针对陶瓷金卤灯封接材料的化学稳定性、线性膨胀系数、浸润性、软化和析晶、封接温度几个关键因素，讨论了陶瓷金卤灯用封接材料需要满足的条件。结合结晶性焊料和非结晶性焊料的特点及制备过程，指出陶瓷金卤灯用封接材料应为稀土氧化物结晶性焊料，并提出制备该焊料所需要解决的问题。     

基于PDCA循环法的能力验证提供者认可流程浅析

能力验证是评价实验室技术能力的有效手段, 能力验证提供者(proficiency testing provider, PTP)是对能力验证计划建立和运作中所有任务承担责任的组织。PTP认可是目前国内外常用的对PTP进行评价和正式承认的方式, 认可是一项综合、系统的工作。通过在PTP建立管理体系和认可申请中遵循全面质量管理的思想基础和方法—PDCA循环法,分步详细解读PTP认可中的策划阶段、实施阶段、检查阶段和改进阶段的重点工作, 并把各项工作统筹地联系起来, 为需要认可的PTP加强能力建设、提高技术及管理水平、快速熟悉认可的全流程提供帮助。     

NH_4Cl-NH_3·H_2O-H_2O系仲钨酸铵结晶成核级数研究

在不同初始浓度下,采用“最大成核速率法”和“成核期积分平均速率法”研究了仲钨酸铵(APT)结晶的成核级数。测出的APT结晶成核级数分别为1.88和2.15。