一种新型的模糊推理及模糊类比学习的实现

1.前言 在工业控制中,人工智能技术的引入有着重要意义,传统的控制方法,无论是基于经典控制理论还是基于现代控制理论,均是以数学方法为基础,有很大局限性,特别是复杂的工业过程中,精确模型很难开发,这就需引入以处理知识信息为标志的人工智能技术,扩大信息来源与信息手段,为此在转炉后期补吹控制中,建立了一个智能控制专家系统,基于处理系统的不确定性(模糊性)和实时性,提出了一种新的知识表达与推理机制,并在此系统中实现了一种用模糊贴近度定义相似度的类比学习方法。     

对《基于模式识别方法的智能控制器设计》的一点异议及改进

指出「１」的一处错误并作出修改，改进后的控制器已纳入ＨＳ２０００分布式控制系统。对该控制器和普通ＰＩＤ控制器的性能作了一系列仿真研究，以说明改进后的控制器是有效的。     

一种新型燃烧装置的探索

热声现象是放热过程和声学脉动之间的一种正向的相互激励，利用热声效应的Ｒｉｊｋｅ型燃烧器具有高燃烧效率，低过剩空气系数等特点，本文探讨了开发新型燃烧装置需要解决的问题，以及国内研制新型燃烧器的作用和意义。     

乳酸杆菌半连续式高密度培养的研究

研究了乳酸杆菌的半连续高密度培养,探讨更换新鲜培养基对菌体浓度、解除代谢产物抑制等的影响,结果表明,经3次培养后菌体浓度达到9.3×1012cfu/mL。并对3次培养过程进行动力学分析,设计了培养-分离耦合生物反应器,用于恒浊连续高密度培养。     

纳豆激酶的分离纯化及其特性研究

从实验室保存的1株高产纳豆激酶菌株出发,进行发酵产酶,确立具有纤溶活力的纳豆激酶的分离纯化工艺,主要通过硫酸铵分级盐析法和Phenyl Sepharose疏水柱层析进行分离纯化,用纤维蛋白平板法测定酶活力,用SDS-PAGE电泳验证为电泳纯,分子质量为28 ku。试验了不同作用温度、pH值和金属离子对NK活力的影响。结果表明,NK的适宜温度为25~50℃,适宜pH值为7.0,Cu2+,Mn2+,Hg2+是其抑制剂,而Mg2+,Ca2+为激活剂。     

脉冲电场技术在食品工业上的应用进展

当前食品工业加工方法主要依赖于传统的热处理与化学方法,这些方法往往会对食品质量和安全性产生负面影响,且存在高成本、环境不友好等弊端,开发高效、绿色的食品加工方法已成为食品业界亟待解决的难题。脉冲电场(Pulsed Electric Field,PEF)技术是一种利用高电压振幅的电磁脉冲对物料进行处理的物理方法,作为一种新兴的非热加工技术,PEF技术因其独特的优势吸引了广大学者对其进行广泛而深刻的讨论,以期将其应用于食品工业。该研究综述了脉冲电场技术的原理、应用机制,包括电穿孔理论、电流体、等离子体以及电化学反应与自由基激活假说,并对其在食品工业上的应用进行总结与归纳,为食品加工领域提供了有效的解决方法,有利于推动脉冲电场技术在食品加工领域的发展与应用。     

Rijke燃烧装置中热源位置的数学模型

根据Ｒａｙｌｅｉｇｈ准则建立了一个简化的数学模型,对Ｒｉｊｋｅ燃烧装置中热源的特性位置进行了研究,避免了线性化分析方法的不足,同时将理论分析的结论和实验结果进行对比,得出Ｒｉｊｋｅ燃煤装置的热源相对高度可取０．１２～０．１３,能够发生声波作用下的燃烧。图３表１参５     

以L-谷氨酰胺-锌(II)配合物为供体酶法制备茶氨酸及其反应机理

针对酶法合成茶氨酸中存在的自转肽副反应,合成了L-谷氨酰胺-锌(II)配合物Zn(Gln)2,以其为供体、乙胺为受体、枯草芽孢杆菌B. subtilis GGT为催化剂,酶法制备茶氨酸. 结果表明,Zn(Gln)2在反应主体相稳定性良好,以Zn(Gln)2为供体可有效抑制自转肽副反应;B. subtilis GGT对Zn(Gln)2和Gln的亲和力常数分别为0.53 mmol/L和1.01 mmol/L. 在Zn(Gln)2 6.0 mmol/L、乙胺200 mmol/L及GGT 0.5 U/mL条件下,经37℃反应2 h,茶氨酸浓度最高可达7.38 mmol/L,较以Gln为供体时提高了14.42%.     

紫外光催化辅助SiC抛光过程中化学反应速率的影响

目的为了探究紫外光催化辅助抛光过程中,化学反应速率对SiC化学机械抛光的影响规律。方法通过无光照、光照抛光盘和光照抛光液3种光照方式,研究紫外光催化辅助作用对单晶SiC抛光过程中材料去除率的影响。测量不同条件下光催化反应过程中的氧化还原电位(ORP)值,来表征光催化反应速率,并进行了单晶SiC的紫外光催化辅助抛光实验,考察光催化反应速率对抛光效果的影响规律。结果实验表明,引入紫外光催化辅助作用后,材料去除率提高14%～20%,随着材料去除率的增加,光催化辅助作用对材料去除率的影响程度变小。光照射抛光液方式的材料去除率明显高于光照射抛光盘。不同条件下的抛光结果显示,化学反应速率越快,溶液的ORP值越高,材料去除率越大,表面粗糙度越低。在光照抛光液、H_2O_2体积分数4.5%、TiO_2质量浓度4 g/L、光照强度1500 mW/cm~2、pH=11的条件下,用W0.2的金刚石磨料对SiC抛光120 min后,能够获得表面粗糙度Ra=0.269 nm的光滑表面。结论在单晶SiC的紫外光催化辅助抛光过程中,光催化反应速率越快,溶液ORP值越高,抛光效率越高,表面质量越好。在H_2O_2浓度、TiO_2浓度、光照强度、pH等4个因素中,对抛光效果影响最大的是H_2O_2浓度,光照强度主要影响光催化反应达到稳定的时间。