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项目现场使用的钻机是一套由美国IPS(Integrated Power System)公司生产的以直流电机作为主要驱动方式的电动钻机,该钻机配备了加拿大Canrig顶驱公司的一套1050E-500顶驱。现针对该套50D钻机和Canrig 1050E-500顶驱在使用中常见的故障进行了原因分析和分类总结,并提供了相应的解决方案,也提出了一些维护建议以供参考。 相似文献
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为了解决传统LVTSCR易发生闩锁效应的问题,提出了一种增强型嵌入P浅阱可控硅(EEP_LVTSCR)结构。通过在传统LVTSCR中NMOS管漏极与阳极之间植入PSD/NSD有源区,引入了额外的复合作用,降低了发射极注入效率;通过NMOS管下方P浅阱增强基区的复合作用,同时降低了PNP、NPN管的电流增益,提高了维持电压。基于0.18 μm BCD工艺,采用TCAD软件模拟了新型EEP_LVTSCR和传统LVTSCR的电流电压(I-V)特性。仿真结果表明,新型EEP_LVTSCR的维持电压从传统的1.73 V提升到5.72 V。该EEP_LVTSCR适用于3.3 V电源的ESD防护。 相似文献
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添加起泡剂是调节泡沫性能的重要手段。为研究表面活性剂十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)的泡沫衰变过程,利用复合泡沫扫描分析仪Foam Scan测定了不同浓度下CTAB的起泡速率(单位时间单位体积起泡剂溶液所产生的泡沫量)、起泡时间、泡沫体积、排液速率及泡沫所含的液体体积等。结果表明,CTAB的临界胶束浓度(CMC)为0.90mmol/L。起泡速率起初随CTAB浓度的增加而增大,直至浓度增加到CMC时,起泡速率达到最大值0.09m L/(m L·s),超过CMC后起泡速率不再随浓度变化;起泡时间随浓度的变化趋势与之相反,最小起泡时间为38s。低浓度下CTAB的泡沫稳定性随浓度的增加而增强,当浓度增加到CMC时稳定性最强,超过CMC后稳定性有所减弱,但与CMC时的稳定性相比差异不大。起泡剂通过影响泡沫的衰变过程以调控泡沫的稳定性,起泡和衰变过程在CTAB浓度达到CMC后不再出现明显变化。 相似文献
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CdS薄膜是一种n型半导体材料,用于CdTe多晶薄膜太阳电池的窗口层,其质量直接影响太阳电池的光电转换效率和寿命。用磁控溅射法制备了CdS薄膜,通过对薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、光致发光和紫外-可见光谱等测试,研究了CdS薄膜的制备工艺对薄膜结晶度、表面形貌和禁带宽度的影响关系。研究发现,随着CdS薄膜溅射功率的升高,薄膜的结晶度变好,晶粒增大,薄膜增厚,光致发光峰强度增加,禁带宽度减小;随着溅射气压减小,薄膜厚度增大,光致发光峰强度减小,禁带宽度减小。 相似文献
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辉钼矿是典型各向异性矿物,其表面性质显著影响矿物的浮选行为.为了研究不同粒级辉钼矿表面性质差异及浮选响应,本文采用Washburn动态法分析了-74+38,-38+20,-20μm 3个粒级辉钼矿表面热力学性质,进而研究了不同粒级辉钼矿颗粒的浮选行为,并计算了烃类油捕收剂分子与辉钼矿不同解理面作用差异.研究结果表明:辉钼矿"面"和"棱"亲疏水差异显著,随着粒度减小,辉钼矿表面的疏水性明显降低,且颗粒表面能增加显著,非极性分量降低,极性分量增加明显,-20μm粒级辉钼矿升至高表面能表面,极性强.随着粒度减小,辉钼矿浮选速度及产率均下降,对于-20μm粒级尤为明显;C12H26分子优先在(001)面吸附,而水分子则优先在(010)面吸附,C12H26在(001)面的吸附能远高于(010)面.因此常规烃类油难以有效改善微细辉钼矿表面疏水性,对微细粒辉钼矿浮选性能改善有限. 相似文献
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针对嵌入式系统的双目图像采集,给出了基于STM32硬件平台和嵌入式操作系统μC/OS-II软件平台的图像采集系统设计。并且采用应用AL422B视频缓存芯片、四线制电阻触摸屏和SD卡实现图像采集、显示、存储功能。实验结果表明,该系统具有较好的实时性,采集到的图像对于进行进一步图像处理有重要的实际意义。 相似文献