Epitaxy of cubic boron nitride on (001)-oriented diamond

Cubic boron nitride (c-BN), although offering a number of highly attractive properties comparable to diamond, like hardness, chemical inertness and a large electronic bandgap, up to now has not found the attention it deserves. This mostly has to do with preparational problems, with easy chemical routes not available and, instead, the necessity to apply ion-bombardment-assisted methods. Hence, most of the c-BN samples prepared as thin films have been nanocrystalline, making the prospect of using this material for high-temperature electronic applications an illusion. Although heteroepitaxial nucleation of c-BN on diamond substrates has been demonstrated using the high-pressure-high-temperature technique, none of the low-pressure methods ever succeeded in the epitaxial growth of c-BN on any substrate. Here, we demonstrate that heteroepitaxial c-BN films can be prepared at 900 degrees C on highly (001)-oriented diamond films, formed by chemical vapour deposition, using ion-beam-assisted deposition as a low-pressure technique. The orientation relationship was found to be c-BN(001)[100]||diamond(001)[100]. High-resolution transmission electron microscopy additionally proved that epitaxy can be achieved without an intermediate hexagonal BN layer that is commonly observed on various substrates.     

迈丹商业综合体

迈丹商业中心本身作为高效的商业综合体项目,还成为了伊斯坦布尔飞速发展区之一的真正核心。它坐落在城市亚洲区的近郊,基地包括宜家家居中心,不久后还将在此开发新的住宅区。通过其几何形体与交通策略,综合体与老城肌理融合,为传统的城外商业地产项目开辟了新的模式。合理组织不同的业态空间,将停车场置     

Toxoplasma gondii – Seroprävalenz in Mastschweinebeständen Ergebnisse aus einer deutschlandweiten Studie

Ohne Zusammenfassung     

Integrated Ka-band finline mixer/modulator

A new mixer/modulator for millimetre-wave applications is presented. The circuit is implemented with a combination of finlines, coplanar lines and microstrip lines. By applying the described mixer/modulator to millimetre-wave systems a twofold use of active elements such as the Gunn element and Schottky diodes is possible. The size of the whole planar structure is about 4 × 4 cm and there is no need for a variable short.     

An analysis of GCFR depressurization transients without scram

Four transients imposed on a gas cooled fast breeder reactor (GCFBR or GCFR) plant are analyzed. The transients are variations of a design basis depressurization accident (DBDA) [1], in which a rupture is postulated in the inlet plenum, the reactor is scramed and the circulator output is drastically reduced. Variations considered are, (1) in all cases the reactor is not scrammed; and (2) the rupture size is varied from 0.6 ft² to zero. In the limit of zero (no rupture) the transient imposed on the system is due to the behavior of the circulator and steam generator during a DBDA.     

Über das Verhalten kompressibler Medien bei der Strömung durch gerade Schaufelgitter

Zusammenfassung Mit Hilfe des Impulssalzes, des Energiesatzes, der Kontinuit?ts- und der Gasgleichung gelang es, eine grunds?tzlich eBeziehung für das Verh?ltnis der Zustr?m- zur Abstr?mgeschwindigkeit bei der reibungsfreien Str?mung durch Gitter aus dünnen, geraden Schaufeln herzuleiten. Eine besondere Untersuchung zeigte die Gültigkeitsgrenzen dieser Grundgleichung auf und erm?glichte es, Grenzkurven aufzuzeichnen, aus denen man die gerade noch m?gliche Zustr?m-Machzahl in Abh?ngigkeit von der Gasart, vom Sto?winkel der Str?mung und vom Gitterwinkel ablesen kann. Diese überlegungen wurden auch auf die reibungsbehaftete Str?mung ausgedehnt und zum Berechnen des adiabaten Verdichtungswirkungsgrades verwendet. Versuche mit schie?endem Wasser (Wasseranalogie), die nach einem eigens hierfür entwickelten Grenzkurven-Diagramm ausgewertet worden sind, und mit Luft in einem kleinen überschall-Versuchsstand best?ligten die Rechenergebnisse befriedigend genau. VDI Auszug aus der Dissertation des Verfassers, Technische Hochschule Hannover 1955; über die Ergebnisse wurde auf der 25. Tagung des Fachausschusses für W?rmeforschung im VDI am 20. und 21. Oktober 1955 in Braunschweig vorgetragen. Der Verfasser dankt an dieser Stelle Herrn Prof. Dr.-Ing.G. Flügel für viele Anregungen und Hinweise, Herrn Prof. Dr.-Ing.E. Martyrer für die bereitwillige Unterstützung bei den Wasserversuchen, den HerrenK. Richter, F. Engelhardt undH. Klatt für ihre Mithilfe bei den Versuchen sowie den Firmen Hannoversche Maschinenfabrik AG. vorm. Georg Egestorff (Hanomag), Hannover-Linden, und Dreyer, Rosenkranz & Droop, Hannover, für das überlassen von Ger?ten und Versuchseinrichtungen.     

Cryogenic ultra-low-noise SiGe transistor amplifier

An ultra-low-noise one-stage SiGe heterojunction bipolar transistor amplifier was designed for cryogenic temperatures and a frequency range of 10 kHz-100 MHz. A noise temperature T(N) ≈ 1.4 K was measured at an ambient temperature of 4.2 K at frequencies between 100 kHz and 100 MHz for a source resistance of ~50 Ω. The voltage gain of the amplifier was 25 dB at a power consumption of 720 μW. The input voltage noise spectral density of the amplifier is about 35 pV/√Hz. The low noise resistance and power consumption makes the amplifier suitable for readout of resistively shunted DC SQUID magnetometers and amplifiers.