快速灵敏的LC-MS/MS法测定人血浆中阿莫西林并应用于两种制剂的一致性评价

目的: 建立快速灵敏的LC-MS/MS法测定人血浆中阿莫西林浓度，并用于两种阿莫西林胶囊的一致性评价。方法: 采用岛津公司LCMS-8060型LC-MS/MS仪，以MRM模式测定阿莫西林（m/z 366.00/114.00）的浓度，d4-阿莫西林作内标（m/z 370.10/114.05），离子源为ESI源。色谱柱选用Waters ACQUITY BEH C18（2.1×50 mm，1.7 μm），梯度洗脱。血浆样本加入内标，经甲醇沉淀蛋白后取上清液进样检测。结果: 所建方法经验证，其线性、准确度、精密度、最低定量限、提取回收率、特异性、基质效应、稳定性等各项指标均符合CFDA的指导原则及最新核查标准要求，并较文献报道中的方法有处理简单、灵敏度高、色谱峰形好的优点。结论: 所建方法快速、灵敏，适用于人血浆中阿莫西林浓度的检测。用于一致性评价的样本实测，两种制剂生物等效。     

并行组合扩频系统中混沌序列优选的研究

在结合并行组合扩频通信基础上，研究系统中的Logistic—Map混沌扩频序列优选准则。仿真结果表明，Logistic—Map混沌扩频序列可以提供数量众多的适于并行组合扩频通信系统的扩频序列族。     

并行算法在软件无线电多DSP平台的应用

近年来，随着软件无线电的发展，用于软件无线电平台中的多DSP并行结构受到越来越多的关注，因为这种结构能提高数字信号处理的速度。提出了一种适合在该平台上并行运算的算法，以多阶FIR滤波器为例，验证了算法，并探讨算法的性能，给出了该算法在多处理器条件下，与单处理器处理结果的比较。对选取合适的软件无线电中频处理多处理器平台具有一定的参考价值，并对舰载软件无线电的实现提供了科学参考。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

HP700圆锥破碎机动锥的有限元分析

对HP700圆锥破碎机的主要部件动锥建立了有限元分析模型，用ANSYS软件对动锥进行了有限元强度和刚度分析，结果输出了动锥分布及变形图，对圆锥破碎机的结够设计提供了依据。     

超分子主体化合物在分析化学中的应用研究进展

综述了近年来超分子主体化合物在分析化学领域的应用研究与进展。分别以冠醚、环糊精、杯芳烃、卟啉4类超分子为主体功能化合物的研究进行了详细的评述，并对这几类主体化合物在分析化学中的应用研究进行了展望。     

铅锌选矿厂废水回用研究

简述了铅锌选厂废水回用小型试验及工业试验情况，在基本上不改变工艺结构基础上改变药剂制度达到废水回用的目的，使选矿废水回用率达到80％，实现尾矿库废水零排放。     

从铅阳极泥处理后的渣料中综合回收有价金属的生产实践

叙述了从铅阳极泥回收金银后的渣料中综合回收有价金属的生产实践。根据渣料性质，将火法和湿法工艺相互结合，使渣料中的锑、铋、金、银、铅、铜得以较彻底的分离和回收。     

计算机技术在电子装备测试系统中的应用研究

在现代测试技术快速发展的今天，计算机已成为武器装备自动测试系统中不可缺少的重要组成部分。高性能的计算机软件技术更是构建智能型、集成化自动测试系统的关键所在。分析了先进的软件技术在自动测试系统中的应用状况；并以导弹地面测量雷达系统为例，具体介绍了利用系统仿真方法进行装备自动检测的技术实现。     

Thermal Characterization of 1.3 μm InAsP/InGaAsP Ridge Waveguide MQW Lasers Based on Spectroscopy Method

An experimental way to analyze the thermal characterization of semiconductor lasers based on spectroscopy method under pulse driving conditions has been developed. By using this way the thermal characteristics of strain compensated 1.3 μm InAsP/InGaAsP ridge waveguide MQW laser diodes have been investigated. Results show that by measuring and analyzing the lasing spectra under appropriate driving parameters and temperature ranges, the thermal resistance of the laser diodes could be deduced easily. A higher thermal resistance of 640 K/W has been measured on a narrow ridge laser chip without soldering. Other thermal and spectral properties of the lasers have also been measured and discussed.