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1.
在无线传感器网络中,利用骨架信息可以提高路由性能,也可以用于网络定位、导航以及分割等.以往的骨架算法往往假定边界节点被全部识别,但在绝大多数网络中,尤其是低密度网络,边界节点往往很难被全部正确识别.提出了一种基于距离变换的低复杂度、分布式骨架提取算法,该算法不要求所有边界节点被识别.实验结果表明,该算法对于边界不准确时能够得到较好骨架,同时对于边界点缺失具有鲁棒性. 相似文献
2.
为改善LaNi4.1 Co0.6 Mn0.3储氢合金的性能,研究了系列LaNi4.1-xCo0.6Mn0.3Alx(x=0,0.15,0.3,0.45)合金的结构和电化学储氢性能.结果表明:制备的合金为典型CaCu5型AB5储氢合金,随着A1替代量增加,LaNi5相的晶胞参数a、c、c/a值和晶胞体积逐渐增大,相应合金的放电容量有所降低,但合金电极的循环稳定性和不可逆自放电和高温容量得到明显改善.60个循环后的容量保持率(S60)分别为58.79% (x=0)、79.72%(x=0.3)、79.35%(x=0.45);合金电极不可逆容量损失率(贮存96 h)由14.41%(x=0)降到2.38% (x=0.45).在323 K的放电容量由266.04mA·h/g(x=0)增加到302.4mA·h/g(x=0.15)、302.12mA·h/g(x=0.3)和299.88 mA·h/g(x=0.45).但Al替代Ni后,合金电极的交换电流密度I0和氢原子在合金内部的氢扩散系数DH降低,导致其高倍率放电性能变差. 相似文献
3.
4.
应用苯并环丁烯(BCB)材料对硅片和玻璃片进行了250℃下的圆片级低温键合实验,同时进行了300℃下的硅片与玻璃片阳极键合实验,并对其气密性和剪切力特性进行了对比研究. 测试结果表明:在250℃的低温键合条件下,经过500kPa He气保压2h, BCB封装后样品的气密性达到(5.5±0.5)E-4Pacc/s He;剪切力在9.0~13.4MPa之间,达到了封装工艺要求;封装成品率达到100%. 这表明应用BCB材料键合是一种有效的圆片级低温气密性封装方法. 还根据渗流模型理论,讨论了简易模型下气密性(即渗流率)和器件腔体边缘到划片边缘的间距的关系. 相似文献
5.
四川盆地南部泸州深层页岩气是现阶段页岩气勘探的重点,天然裂缝发育对页岩气富集、压裂开发及天然产能具有重要影响。综合岩心、测井分析等地质手段,结合包裹体均一温度及岩石声发射实验,对泸203井区五峰组—龙马溪组页岩裂缝特征、期次及形成演化进行综合分析。结果表明:研究区五峰组—龙马溪组页岩以构造成因的剪切缝为主,发育少量水平滑脱缝及直立张性缝。裂缝充填程度高,充填物复杂,以直立缝及水平缝共同发育、延伸距离短为特点,纵向上裂缝在五峰组—龙一段Ⅰ亚段2小层及4小层中上部集中发育,底部直立缝及水平缝均较为发育,向上以水平缝发育为主。五峰组—龙马溪组页岩裂缝形成于3期构造运动:第1期形成于印支运动期(距今253.4~250.0 Ma),裂缝被方解石及黄铁矿高度充填,包裹体均一温度为130.4~150.6℃,构造应力方位为NNW—SSE向(335°±5°),形成近NS向及NWW向平面剪切缝与NEE向剖面剪切缝。第2期形成于燕山晚期—喜马拉雅早期(距今70.58~42.64 Ma),裂缝被方解石全充填,包裹体均一温度为194.8~210℃,构造应力方位为SEE—NWW向(110°±5°),形成NW向与N... 相似文献
6.
8.
本文对PECVD制备的红外热敏材料掺磷非晶硅薄膜的两个关键热电参数-红外吸收系数和电阻温度系数-采用红外透射谱、拉曼谱和电阻率测量进行了深入的研究。实验结果表明,对样品进行退火30min后,薄膜结构可以达到稳定;随着退火温度的增加,样品的红外透射率下降;当退火温度达到700℃时,薄膜完全晶化;与此同时,电阻率和电阻温度系数随掺杂浓度和退火温度的增加而减小。根据Lu的模型,对这些现象进行了解释并给出了制备和退火的优化条件。 相似文献
9.
随着CMOS工艺的发展,器件尺寸逐渐缩小,短沟道效应的影响日益突出。共源共栅电流源可以很好地抑制小尺寸效应,但其消耗的电压余度较大,偏置电路设计繁琐。因此介绍了一种采用自偏置低压共源共栅电流源的带隙基准电路结构,用两个电阻代替了偏置电路。仿真结果显示,该带隙基准电路的最低电源电压约为2.98V,相对于普通的共源共栅结构,降低了2个MOSFET阈值电压;工作在最低电源电压下,功耗约为270μW,相对于带偏置电路的结构,降低约75μW。仿真结果证明,该电路能够简化共源共栅电路的设计和调试,并减少低压共源共栅电路的功耗。 相似文献
10.