首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   163篇
  免费   23篇
  国内免费   87篇
电工技术   4篇
综合类   6篇
化学工业   1篇
机械仪表   5篇
能源动力   1篇
水利工程   2篇
无线电   226篇
一般工业技术   9篇
原子能技术   8篇
自动化技术   11篇
  2023年   1篇
  2021年   2篇
  2020年   3篇
  2019年   3篇
  2018年   1篇
  2017年   2篇
  2016年   4篇
  2015年   5篇
  2014年   15篇
  2013年   15篇
  2012年   24篇
  2011年   12篇
  2010年   31篇
  2009年   22篇
  2008年   30篇
  2007年   13篇
  2006年   28篇
  2005年   19篇
  2004年   18篇
  2003年   6篇
  2002年   6篇
  2001年   5篇
  2000年   5篇
  1999年   2篇
  1997年   1篇
排序方式: 共有273条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
讨论了主因素分析法以及神经网络法在等离子体刻蚀工艺中的应用.结果表明主元素分析法可以实现对数据的压缩,而神经网络算法则显示出比传统的统计过程控制算法更好的准确性.  相似文献   
2.
x射线光刻非常适合用于深亚微米T形栅的制作,这是因为它的高分辨率、大的曝光视场和高的生产效率足以满足MMIC制造工艺的要求。本文中我们首先对我们的x射线掩模制造工艺进行介绍,然后论述了一种用于制造深亚微米T形栅的两层胶工艺,介绍了所取得的一些研究结果,最后对国内的深亚微米光刻现状进行了简要分析。  相似文献   
3.
高密度等离子体刻蚀已经广泛运用于深亚微米的微电子制造工艺中,并成为制约着产能及器件性能的关键步骤,因而有必要对等离子体刻蚀过程进行原位的实时监控.而利用传统的线性回归方法已经无法对包含有数目众多的变量的谱图数据进行实时分析了,必须采用新的数学模型,对原始数据进行压缩处理.本文结合实例讨论了目前在等离子体刻蚀系统中用到的诊断模型:主元素分析法以及神经网络法.  相似文献   
4.
杨乐  叶甜春  吴斌  张瑞齐 《半导体学报》2015,36(7):075003-5
本文提出一种可以用于lte小基站的turbo码解码器设计, 它支持LTE标准中的188种不同长度的TURBO码解码。设计采用了最多16路的并行解码,迭代次数可设定。解码器提采用了一种改进的软输入软输出设计。设计采用了轮流计算前向状态矩阵,和后项状态矩阵。这样可以缩短基二算法的关键路径,同时分支传输概率也可以直接用于计算不再需要保存。分组数据利用列地址映射,和行数据交换完成整个码的交织计算,利用相反的过程完成解交织计算。每个时钟都可以产生交织与解交织数据,用于解码和存储运算。  相似文献   
5.
赵坤  满家汉  叶青  叶甜春   《电子器件》2006,29(4):1042-1045
在分析锁相环线性模型的基础上,分析了影响锁相环系统的各种因素,采用相应的优化方法设计了一款4.1GHz LC锁相环。详细介绍了该锁相环中各模块电路(包括Lc型压控振荡器,高速分频器,数字分频器,鉴频/鉴相器,电荷泵以及无源滤波器等)的设计,并且给出了仿真结果。其中高速分频器采用TSPC逻辑电路,速度快功耗低。该锁相环采用SMIC 0.18um CMOS工艺设计,当VCO工作在4.1GHz时,在频偏为600kHz的相位噪声为-110dBc。  相似文献   
6.
提出了一种应用于流水线型模数转换器(ADC)的增益提高型套筒式全差分跨导放大器(OTA)的设计与分析方法.通过ADC的性能要求推导出OTA的设计指标.该设计中OTA的架构由主运放、增益辅助运放及共模反馈电路3部分子电路组成.设计采用SMIC CMOS 0.18mm工艺平台.该设计方法的实验结果表明:1pF负载下,跨导放大器.的直流增益达到145dB,单位增益带宽超过750MHz,相位裕度达到58°.闭环增益为4时,放大器在20ns内稳定到0.05%的精度.  相似文献   
7.
提出了一种新结构单片集成增强/耗尽型(E/D)InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMTs).外延层材料通过分子束外延技术生长,在室温下,其电子迁移率和二维电子气浓度分别为5410cm2/(V·s)和1.34×1012cm-2.首次提出了普通光学接触曝光分步制作增强与耗尽型的栅技术方法.研制出了单片集成E/D型PHEMTs,获得良好的直流和交流特性,最大饱和漏电流密度分别为300和340mA/mm,跨导为350和300mS/mm,阈值电压为0.2和-0.4V,增强型的fT和fmax为10.3和12.4GHz,耗尽型的fT和fmax为12.8和14.7GHz.增强/耗尽型PHEMTs的栅漏反向击穿电压都为-14V.  相似文献   
8.
铜电镀工艺后表面的不平整度通常取决于版图关键特征,包括线宽,线间距和金属密度。本文设计了一款测试芯片并在一家半导体厂加工制造。版图特征效应被真正的测试数据所检查和验证。通过分析金属蝶形、介质腐蚀、金属厚度和SEM照片,得出一些结论。线宽是决定表面形貌及产生铜金属蝶形和介质层腐蚀的最关键因素。经过铜电镀工艺发现,铜线越细铜生长的越厚,铜线越宽铜金属蝶形越大,发现了3种典型表面形貌。而且,通过测试数据,量化版图特征的影响并用曲率增强加速剂覆盖率的理论解释,这可以用于开发铜电镀工艺模型和开展可制造性设计研究。  相似文献   
9.
介绍了纳米线的研究发展历史、纳米线应用在新型太阳电池上的特点和优势、Si基纳米线结构应用在太阳电池方向的制备方法的研究进展、纳米线作为新型一维平面结构所具有的电学特性和特殊的光学减反特性。重点介绍了国内外对Si基纳米线阵列应用在太阳电池上的研究现状和最新研究进展,同时指出了研究中存在的问题以及今后的研究重点。由于纳米线特殊的载流子分离机制以及显著的光学减反特性,它在提高太阳电池效率、降低成本上仍具有很大潜力,在太阳电池领域的研究中占有重要地位。今后,纳米线太阳电池的研究仍将是国内外研究的热点问题之一。  相似文献   
10.
本文提出了一种应用于双通道卫星导航接收机的高效率低噪声电源解决方案,主要包括降压型DC-DC转换器和低压差稳压器。为了获得更好的噪声抑制和抗干扰性能,应用脉冲宽度调制(PWM)作为DC-DC转换器的控制方式。提出了一种改进的低功耗PWM控制电路,通过周期性的关断跨导放大器,将转换器的平均静态功耗降低了一半,并且具有较高的工作频率。针对双通道接收机的特点,对输出级功率管的尺寸进行了优化,使效率最优。另外,提出了一种基于限流原理的新型软启动电路,无须使用片外大电容或数模转换器,降低了设计复杂度。电路使用180nm CMOS工艺流片,测试结果显示,DC-DC转换器在2MHz的工作频率下拥有最高93.1%的转换效率,整个双通道接收机在3.3V电源供电下仅消耗电流20.2mA。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号