Ru/MCM-41催化剂上苯的液相加氢反应

 以Si-MCM-41、Al-MCM-41(1) (n(Si)/n(Al)=15)、Al-MCM-41(2) (n(Si)/n(Al)=10)以及用NH4NO3或HAc的醇溶液分别与Si-MCM-41离子交换所得的H-MCM-41(N)和H-MCM-41(H)为载体制备了系列Ru/MCM-41催化剂。采用N2吸附、XRD和H2-TPR表征了负载Ru前后催化剂的结构及Ru在各种载体表面上的分散状态。以0.5%（质量分数）苯的环己烷溶液为模型化合物，在298K、3.0MPa反应条件下，考察了上述催化剂的苯液相加氢反应性能，并与Ru/HY、Ru/H和Pt/MCM-41催化剂进行了比较。结果表明，载体MCM-41的n(Si)/n(Al)和表面化学组成等性质对Ru在其表面上的分散状态、还原性及催化性能均有影响。对苯的转化率与反应时间的关系曲线进行拟合，发现其遵循一级动力学方程，加氢反应速率常数按照Ru/Al-MCM-41(2)相似文献   

一种新型注入剖面组合测井仪及其应用

为了提高注入剖面测井的准确性，研制了一种新型注入剖面组合测井仪。该仪器由流量处理单元、伽马处理单元、井温处理单元、磁性定位处理单元、调制式传输、电源电路六部分组成。一次下井可同时测取流量、伽马、井温、磁性定位四组参数。具有测取资料精度高、单芯电缆传输、流量可单点测量也可连续测量以厦现场监测和维修方便等特点。     

加油站油品防盗的措施

为防止加油站油品被盗，应采取加强夜间值班管理、加强油品的计量管理和加强安全管理的高科技建设三项措施。     

基于矢量平均的信道估计算法

提出一种适用于DS-CDMA无线通信系统的低计算量而性能良好的信道估计算法。在DS-CDMA系统中，当接收信号经过解扩或多用户检测等时域预处理后，可以认为干扰大大减弱、期望信号在处理后的信号中占主要地位。这样，用预处理后信号相关阵的最大特征值对应的特征矢量可以很好地近似期望信号的信道矢量。但是，直接特征分解需要很大的计算量，特征跟踪计算量较低，但瞬态性能较差。本文提出一种基于相关矩阵列矢量平均的信道估计算法，该算法不需要特征分解或跟踪。仿真结果表明：新算法在降低计算量的情况下可以获得同直接特征分解方法几乎相同的性能。     

光通信技术发展的新亮点

自光通信问世以来，经历了研究探索、实用化、推广应用、快速发展等时期，直至2001年，达到急剧发展的高潮。随着世界经济的滑坡，通信行业的不景气，使光通信也进入了寒冷的冬天。实际上，即使在经济低速的时期，光通信的技术依然没有停止发展，而且出现了不少继续将光通信推向前进的新亮点。从技术和应用的角度，简要介绍一些光通信的新技术。     

钻井液用BDY-1便携式堵漏仪

在堵漏过程中，对堵漏材料和堵漏浆配方的优选是决定堵漏成功的关键。为了能在现场对堵漏进行评价，研制出BDY－1便携式堵漏仪，该堵漏仪主要由不锈钢钢柱圈钢，压力表等加工而成，该堵漏仪体积小，重量轻，价格低，仅为国产堵漏仪的1／20。试验结果表明BDY－1便携式堵漏仪操作简便，可快速对堵漏材料进行评价并筛选出堵漏配方；数据重复性好，准确可靠，能达到进口或国产堵漏仪的水平；在模拟漏层选定后，可采用多套压力梯度，对堵漏浆封堵效果进行评价，在压力梯度选定后，可评价堵漏浆对不同类型漏层的封堵效果；如果扩大压力范围，可对封堵后的漏层进行破裂试验，从而确定合理的钻井施工参数；适用现场操作和应用。     

空投水雷空中弹道设计与仿真

文中对空投水雷的空中弹道进行了研究.在建立了六自由度的水雷空中弹道模型的基础上,在Matlab/Simulink环境下对水雷的空中弹道进行了仿真,并分析了投雷速度、水雷初始俯仰角、空中自然风对水雷空中弹道的影响.     

同位素中子源活化瞬发分析装置

一、基本原理自六十年代中期以来,中子活化瞬发γ射线元素分析技术(PNAA)得到人们广泛重视。与通常的中子活化分析(NAA)技术相比,它分析的是样品中的主要成分,若用同位素中子源,还可进行实时在线连续测定及现场分析。PNAA技术是用热中子与待测元素发生中子俘获反应,处于激发态的产物核在瞬间     

A new polysilicon CMOS self-aligned double-gate TFT technology

In this paper, a new polysilicon CMOS self-aligned double-gate thin-film transistor (SA-DG TFT) technology is proposed and experimentally demonstrated. The self-alignment between the top- and bottom-gate is realized by a backlight exposure technique. The structure has an ultrathin channel region (300 /spl Aring/) and a thick source/drain region. Experimental results show that this technology provides excellent current saturation due to a combination of the effective reduction in the drain field and the full depletion of the ultrathin channel. Moreover, for n-channel devices, the SA-DG TFT has a 4.2 times higher on-current (V/sub gs/=20V) as compared to the conventional single-gate TFT. Whereas for the p-channel devices, the SADG TFT has a 3.6 times higher on-current (V/sub gs/=-20V) compared to the conventional single-gate device.