VO2/GaAs异质结的制备及其光电特性研究

采用直流磁控溅射和后退火氧化工艺在p型GaAs单晶衬底上成功制备了n-VO_2/pGaAs异质结,研究了不同退火温度和退火时间对VO_2/GaAs异质结性能的影响,并分析其结晶取向、化学组分、膜层质量以及光电特性。结果表明,在退火时间2 h和退火温度693 K下能得到相变性能最佳的VO_2薄膜,相变前后电阻变化约2个数量级。VO_2/GaAs异质结在308 K、318 K和328 K温度下具有较好的整流特性,对应温度下的阈值跳变电压分别为6.9 V、6.6 V和6.2 V,该结果为基于VO_2相变特性的异质结光电器件的设计与应用提供了可行性。     

堰筑湖底隧道围护结构选型分析——以竺山湖隧道为例

隧道基坑围护方案的选择是隧道建设中的一个关键环节,文章结合工程实例,根据隧道所处的位置环境、开挖深度以及地质条件等,对几种围护方案的选择进行了分析论述,同时阐述了围护结构构造设计及计算结论,对类似工程的实施具有一定的参考意义.     

Fabrication and joining mechanism of Nano-Cu/Si3N4 ceramic substrates

A novel method for fabricating a nano-Cu/Si₃N₄ ceramic substrate is proposed. The nano-Cu/Si₃N₄ ceramic substrate is first fabricated using spark plasma sintering (SPS) with the addition of nanoscale multilayer films (Ti/TiN/Ti/TiN/Ti) as transition layers. The microstructures of the nano-Cu metal layer and the interface between Cu and Si₃N₄ are investigated. The results show that a higher SPS temperature increases the grain size of the nano-Cu metal layer and affects the hardness. The microstructure of the transition layer evolves significantly after SPS. Ti in the transition layer can react with Si₃N₄ and with nano-Cu to form interfacial reaction layers of TiN and Ti–Cu, respectively; these ensure stronger bonding between nano-Cu and Si₃N₄. Higher SPS temperatures improve the diffusion ability of Ti and Cu, inducing the formation of Ti₃Cu₃O compounds in the nano-Cu metal layer and Ti₂Cu in the transition layer. This study provides an important strategy for designing and constructing a new type of ceramic substrate.     

提升我国电磁安全能力的战略思考

阐述电磁安全的战略背景,分析电磁兼容到电磁安全的演化过程,剖析"自扰、互扰、敌扰"等现实迫切问题,阐明电磁干扰、电磁兼容等基本概念和相互关系,提出新需求、新技术、新趋势引发电磁兼容与电磁安全的"六大技术挑战",指出只有在认识和思维上系统性地实现"三个转变",才能实现电磁安全整体能力的提升,最后提出"电磁强国"的"五维布局"建议.     

OBE-CDIO理念下“集成电路版图分析与设计”课程教学改革与探索

针对目前集成电路版图分析与设计课程存在教学方法老化、教学模式形式化等问题,本文以OBE-CDIO教育理念为指导,对”集成电路版图分析与设计”课程的课程教学模式、课程设计、项目式教学方式和课程考核方式等方面的改革进行有益的探索与实践。将工程教学认证中对学生的专业毕业要求作为制定教学目标的依据,将BB网络平台、ISO9001等现代化教学资源和质量标准融入课堂教学,采用OBE-CDIO能力教学理念指导课程设计,实现教学环节与考核环节的科学化与多元化,通过引入课程思政激发学生学习热情,树立社会主义核心价值观,全面地培养学生的综合版图分析与设计能力和素养。     

床温及SNCR脱硝对CFB锅炉NOx和N2O排放影响的试验研究

为了研究循环流化床（CFB）锅炉燃用无烟煤时床温及选择性非催化还原（SNCR）脱硝对于NO和N2O排放的影响，在1 MW CFB试验装置上开展了试验研究。结果表明:床温由880 ℃提高到970 ℃，NO排放质量浓度由119.5 mg/m3上升到226.0 mg/m3，N2O排放质量浓度由216.0 mg/m3降低到102.2 mg/m3；在氨氮摩尔比（NSR）为0~3.7之间，随着NSR的提高，脱硝效率从0上升到50.72%；进一步提高NSR到5.2，脱硝效率升至53.61%，增加较为缓慢；随着NSR从0提高到1.7，N2O排放质量浓度由84.3 mg/m3上升至118.3 mg/m3，增长较为缓慢；进一步提高NSR至2.0，N2O排放质量浓度上升至187.7 mg/m3，增长速度提高；继续提高NSR至5.2，N2O排放质量浓度上升至381.4 mg/m3；CFB锅炉采用以尿素为还原剂的SNCR脱硝工艺时，单纯通过加大NSR来提高脱硝效率不仅效果有限，过量喷入的还原剂会造成N2O排放量的显著提高。     

干巴菌多糖提取工艺优化及抗氧化活性的研究

以产于云南曲靖的干巴菌为原料,以多糖提取率为评价指标,采用单因素实验及正交实验优化干巴菌多糖的提取工艺,通过测定干巴菌多糖对DPPH自由基及羟基自由基的清除率来评价其抗氧化活性。结果表明,干巴菌多糖的最佳提取工艺为:提取温度70℃、提取时间2.5 h、料液比1∶15(g∶mL),在此条件下,多糖提取率达到10.08%;当干巴菌多糖浓度为5 mg·mL~(-1)时,其对DPPH自由基的清除率为86.99%,对羟基自由基的清除率为87.46%,有较好的抗氧化作用。     

一种基于FPGA的可变速率帧结构设计与实现

在简述V.35接口的基础上针对V.35接口速率可变的应用需求提出了一种速率可变的帧结构,该帧结构可支持N×64kb/s(3≤N≤32)速率,从而在V.35接口上实现了多种速率的低速业务传输.