纳米尺度全耗尽SOI MOSFET阈值电压的修正模型

针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响。结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型。     

国外扩张式随钻扩眼工具应用现状及发展趋势

随钻扩眼技术在处理复杂地层、提高钻井速度、提高套管环空间隙等方面具有应用价值。分析了国外几大油田服务公司的扩张式随钻扩眼工具的结构,介绍了其在现场的应用情况,总结了国外扩张式随钻扩眼工具的技术特点,并初步探讨了随钻扩眼工具的发展趋势。     

不压井修井作业装备发展现状分析

以不压井修井技术为背景,简述了不压井修井作业装备的类型、系统组成和工作原理。重点介绍了国内外不压井修井装备的发展现状,列出了国内外主要生产厂家产品的基本参数。分析了该技术与装备的发展趋势,并且针对目前我国不压井修井装备中油管内堵塞器的性能不稳定,堵塞工序占用作业时间过长;防喷器胶芯对管径变化的适应性不足;装备不配套,自动化程度低、操作复杂等问题提出了进一步开展不压井修井装备研究工作的四条建议。     

JC—70DB单轴绞车的设计研究

国内生产的变频绞车受功率偏小 ,速度范围较窄以及变频电动机性能还不够完善等方面的限制 ,导致其应用范围有限 ,发展速度较慢。为此 ,研制了JC— 70DB新型交流变频齿轮传动单轴绞车。该绞车由 2台交流变频电动机驱动 ,功率大 ,变频调速范围宽 ,可在 0～ 14 0Hz范围内平滑调速 ,最高转速达 2 80 0r/min ;绞车集机、电、气、液为一体 ,采用先进的交流变频(VFD)控制系统 ,触摸屏显示 ,全数字控制等新技术 ,自动化及智能化水平高。JC— 70DB单轴绞车从设计思路和设计方法上彻底改变了传统的思维模式 ,具有更好的适应性和先进性     

LIFTBOAT钻修机的研发和应用

针对我国对可快速移动、自带资源、既能钻井又能修井的钻修机需求越来越迫切的现象,宝鸡石油机械有限责任公司结合中海油田服务公司的要求,研制了LIFTBOAT钻修机。该钻修机是集钻井、完井、修井3项功能于一体的3000m模块移动式钻修井机。在该钻修机的研制过程中,采用三维仿真技术开展安装、拆搬模拟仿真,最大限度地满足了模块化设计要求。运输技术和模块化技术结合在一起,使LIFTBOAT钻修机能够迅速、经济地运输,实现近距离快速搬迁、快速工作,具有很高的经济效益。厂内试验表明,绞车、井架等各种模块的各项性能指标符合设计要求。     

自升式钻井平台的技术现状和发展趋势

自升式钻井平台是深海油气勘探开发的重要装备之一。在对自升式钻井平台的结构形式进行分析和归纳之后,介绍和讨论了自升式钻井平台的国内外技术现状,重点对当前占技术领先地位的Le Tourneau公司、FriedeGoldman公司和MSC公司的典型产品进行了分析研究,并对该项技术的国内现状做了简要说明,最后指出自升式钻井平台将向作业走向深水化、性能趋向自动化和智能化、功能实现多样化等方向发展。     

液压翻转式吊卡的研制

常规的手动机械式吊卡采用全手工作业,工人劳动强度大,工作安全性得不到保证,严重制约了钻、修井效率。为此,研制了液压翻转式吊卡。该吊卡采用液压驱动液压缸的伸缩,通过连杆机构实现左、右活门的打开和关闭;通过旋转油缸驱动翻转机构实现吊卡主体翻转±90°;吊卡内部设有锁舌体自锁机构,避免因振动等原因导致锁舌体解锁,造成安全事故。试验结果表明,吊卡各机构运转正常,工作稳定,各项数据均达到设计和使用要求。液压翻转式吊卡顺应井口自动化工具发展趋势,满足高效钻、修井和海洋开发需求,是今后吊卡技术发展的趋势。     

海洋平台折臂抓管机多工况参数化结构分析

在ANSYS WORKBENCH环境下对海洋平台抓管机进行整体参数化建模,通过改变主臂、折臂的工作角度,获得多工况下折臂抓管机的工作姿态。在进行结构分析时,对任一工作半径下折臂抓管机垂直起吊路径进行工况抽样,考虑环境载荷、吊臂自重、额定工作载荷,对折臂抓管机整体进行有限元强度分析,获得多工况下关键零件及关键节点的应力应变分析结果。实现了折臂抓管机整体强度分析的快速高效计算。     

考虑量子效应的超薄体双栅肖特基源漏MOSFET电流解析模型

推导了超薄体双栅肖特基势垒MOSFET器件的漏电流模型,模型中考虑了势垒高度变化和载流子束缚效应.利用三角势垒近似求解薛定谔方程,得到的载流子密度和空间电荷密度一起用来得到量子束缚效应.由于量子束缚效应的存在,第一个子带高于导带底,这等效于禁带变宽.因此源漏端的势垒高度提高,载流子密度降低,漏电流降低.以前的模型仅考虑由于镜像力导致的肖特基势垒降低,因而不能准确表示漏电流.包含量子束缚效应的漏电流模型克服了这些缺陷.结果表明,较小的非负肖特基势垒,甚至零势垒高度,也存在隧穿电流.二维器件模拟器Silvaco得到的结果和模型结果吻合得很好.     

异质栅非对称Halo SOI MOSFET亚阈值电流模型

在沟道源端一侧引入高掺杂Halo结构的异质栅SOI MOSFET,可以有效降低亚阈值电流.通过求解二维泊松方程,为该器件建立了亚阈值条件下的表面势模型.利用常规漂移.扩散理论,在表面势模型的基础上,推导出新结构器件的亚阈值电流模型.为了求解简单,文中给出了一种分段近似方法,从而得到表面势的解析表达式.结果表明,所得到的表面势解析表达式和确切解的结果高度吻合.二维器件数值模拟器ISE验证了通过表面势解析表达式得到的亚阈值电流模型,在亚阈值区二者所得结果吻合得很好.