深亚微米工艺下集成电路的电磁兼容性设计（上）

随着IC设计逐步进入VDSM阶段，SOC逐步成为设计的主流，IC设计需要关注的问题也在逐步增加。以前设计时，主要关注芯片面积的大小；在80年代后期，延时(Delay)逐渐成为设计人员关注的问题；进入90年代芯片的功率消耗也成为必须考虑的问题；近来制造中的成品率(Yjeld)，芯片工作中的可靠性，以及电磁干扰噪声(EMI—Noise)也开始成为设计必需满足的条件了。     

格斗动作游戏漫谈

格斗动作游戏以其火爆的场面、令人眼花瞭乱的精彩动作吸引了众多的游戏发烧友,成为现代电脑游戏的重要组成部分。大侠郭靖、浪子令狐冲、捣蛋鬼韦小宝等脍炙人口的文学人物在游戏中尽显风采,《射雕英雄传》、《笑傲江湖》、《鹿鼎记》等杰作令武侠迷欲罢不能,在电脑武侠世界中大显身手。一、历史篇在风起云涌、英雄豪杰辈出的三国时代,关羽、张     

测绘数据的编码和文件组织

本文简要介绍了测绘数据库中数据编码的原则、方法和数据文件的分类、建立及其转换,并对有关方法的特点和适用范围予以评述。     

染色

0前言将“染色”定为科学,并使其发展的是以英国为首的欧洲。Vickerstaff编写的《PhysicalChemistryofDyeing(染色物理化学)》便是其研究精粹。解析纤维的化学结构,并将染色归结为“速度论(动力学)”和“平衡论(热力学)”的该著作,至今都属于名著,仍不觉得过时。而且该名著今后     

Fe－Cu包埋团簇的制备及其微观结构的研究

基于溅射－气体－聚集（ＳＧＡ）形成团簇的原理，提出了蒸发－气体－聚集（ＥＧＡ）共沉积方法，并在方华膜载网上成功地制备了Ｆｅ－Ｃｕ纳米磁性包理团簇样品。ＴＥＭ／ＥＤ分析表明，样品中Ｆｅ团簇被Ｃｕ原子所包裹，形成了以Ｆｅ团簇为芯，Ｃｕ膜为壳的良好的芯－壳式包埋结构。当衬底温度由２５℃变化到２００℃时，样品形貌由弥散状过渡到集团状，直至形成大的块状；其结构也相应的由Ｆｅ－Ｃｕ多晶共存变化为一种不规则的单晶形态。     

射频MEMS压控电容器

研究了射频 MEMS压控电容器的设计和制造工艺。压控电容器的制作采用了 MEMS制造技术 ,其主要结构为硅衬底上制作金属传输线电极和介质层 ,然后制作金属膜桥作为电容器的另一个电极。通过改变加在金属膜桥与传输线间的电压达到改变电容值的目的。这种压控电容器可以工作于射频和微波波段 ,具有很高的Q值。测试结果如下 :在 1 GHz、0 V时 Q值达到 3 0 0 ,0偏压电容值为 0 .2 1 p F,当加上驱动电压后 Cmax/ Cmin的变比约为 4∶ 1     

低氢型焊条手弧焊熔滴过渡特点的探讨

引言近年来,人们对气体保护电弧焊熔滴过渡的研究较多,取得了不少成果。但对低氢型焊条的熔滴过渡研究较少,通常是把它看作短路时间相同的规律性的短路过渡,用单一的或是平均的概念来研究这种短路过渡过程。事实上,它是一定焊接条件下受人为等因素影响的熔滴大小不均、短路时间不一的一种随机过程,因此     

2～12GHz GaAs单片行波放大器

报道了一个全平面超宽带ＧａＡｓ单片行波放大器的研究结果。该单片电路的核心部件是四个３００μｍ栅宽的ＭＥＳＦＥＴ，整个电路拓扑结构简单，芯片面积为３．０ｍｍ×１．８ｍｍ。电路经优化设计后在２～１２ＧＨｚ范围内，小信号增益为５±１ｄＢ，输入输出电压驻波比≤１．７５。上述频率范围内输出功率≥１６ｄＢｍ，噪声系数≤８ｄＢ。采用全离子注入、全平面工艺，均匀性、一致性良好。实验结果与设计预计值十分一致。