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1.
水平井辅以压裂措施开发页岩气已成为世界趋势,但由于页岩气在页岩基质和人工裂缝中呈赋存状态,且具有独特的渗流性,其产能分析较为复杂。以常规压裂水平井产能研究理论为基础,考虑页岩气藏吸附、解吸作用,气体在裂缝中高速非达西流动以及裂缝与井筒的耦合,利用保角变换方法推导得到页岩气藏压裂水平井产能分析的半解析模型。实例分析表明,水平井筒压降对页岩气藏压裂水平井产能影响较小,产量较低时水平井筒压降可忽略不计,而随着储层厚度、裂缝半长、裂缝导流能力、裂缝条数以及基质内外浓度差的增大,页岩气藏压裂水平井产量逐渐增大,但是增大趋势越来越平缓,最终趋于稳定。因此页岩气开发过程中应优选裂缝参数,以达到开发效果最优化。  相似文献   
2.
水平井酸化工艺已在气田开发过程中广泛应用,但由于水平井渗流模式以及井筒附近污染方式的特殊性,酸化后地层渗流将变得更加复杂,因而酸化后的产能研究显得至关重要。以水平井周围污染带以及酸化带的非均匀分布为基础,将水平井酸化后井筒附近复合区域划分为若干个均质区域,利用相似流动替换法得到一个水平井酸化后表皮因子计算的新方法,同时考虑井筒压降,建立了水平井酸化后地层渗流与井筒管流的耦合模型。实例分析表明,酸化后水平井产量大大提高,且随着气层厚度、酸化带渗透率以及酸液作用距离的增大,增产倍比逐渐增大,而随着污染带渗透率以及泥浆浸入半径的增大,增产倍比则逐渐减小。  相似文献   
3.
由于水平井钻井技术及水力压裂工艺的进步,页岩气藏已经可以开采得到工业气流。基于页岩气藏特殊渗流机理及解吸扩散规律,建立了在水平井钻井及多级压裂生产条件下综合考虑井筒储集、表皮效应、水力裂缝参数等多种因素影响下的双重介质页岩气多级压裂水平井不稳定渗流模型。通过运用点源函数法、Laplace变换、特征值法、正交变换法及Stehfest数值反演得到了双重介质页岩气多级压裂水平井产量递减特征曲线,分析了产量递减特征曲线对于表皮因子、吸附因子、裂缝条数、水平井长度以及裂缝渗透率的敏感性。该模型及研究可以用于更精确有效地预测页岩气多级压裂水平井产量动态变化。  相似文献   
4.
水平井技术已在稠油油藏开发过程中广泛运用,但因稠油黏度较大,水平井井筒压降已成为产能研 究过程中不可忽视的问题。 基于常规水平井产能理论,利用 Joshi 提出的方法将水平井三维渗流场简化 为 2 个二维渗流场,运用保角变换方法以及等值渗流阻力法得到稠油油藏水平井地层渗流模型,同时考 虑井筒变质量流动,建立了地层渗流与水平井井筒管流的耦合模型。 实例分析表明,井筒压降使得水平井 的无阻流量减小了 7.7% ,且稠油油藏水平井井筒压降远远大于常规油藏水平井井筒压降。 敏感性分析表 明,随着水平段长度、幂律指数以及油层厚度的逐渐增大,井筒压降逐渐增大,而随着井筒半径的逐渐增 大,井筒压降则逐渐减小。 本次研究为稠油油藏水平井井筒压降规律的研究提供了新的思路  相似文献   
5.
随社会经济水平的增长,现在医疗产业和医疗卫生服务业迅速发展,人们对健康的需求也日益提高,药物人体的伤害性近些年也被广泛的关注,一些假冒伪劣产品在市场上大行其道,坑害了消费者的权益。生物制药因其产量高,药品性能有保障收到消费者的广泛好评。本文对国际和国内生物制药产业的发展现状及未来的发展前景进行了阐述,对未来人才的培养提供一定的建议。  相似文献   
6.
在城市建设中,我们经常需要调查城市建筑物的轮廓、外观、尺寸。传统的手段是派人到现场拍照,并用尺子或全站仪进行测量,这种方法不仅效率低,而且调查数据不准确,容易产生错误,出现漏测还需要到现场返工。随着倾斜摄影测量技术的发展,利用倾斜摄影技术制作城市实景三维模型成为可能。本文主要阐述了倾斜摄影技术在制作实景三维模型上的优势和方法。  相似文献   
7.
随着网络技术的发展,社交网络开始进入并影响人们的生活。本文探讨了在社交网络中引发的一系列伦理问题,如网络谣言、软暴力、盲目舆论、恶意炒作等等,从网络伦理素养、网络异化、网络技术、网络交往特点等方面阐述了这些伦理问题产生的原因,并给出了解决这些伦理问题的方案和对策。  相似文献   
8.
以不同温度和不同制备时间作为实验条件,采用溶剂热法制备了1#、2#、3#三类Ni-MOF材料。然后,将MOF材料中的3#和氧化石墨烯(GO)等多孔碳材料复合,测得其具有优异的电化学性能。3#在50mA/g时的比电容达700F/g,在500mA/g通过100次循环后仍有电容为222F/g,可保持3#器件初始电容的58.9%以上。3#/GO在500mA/g时表现出412F/g的高质量比电容,并且在100次循环后,保持其初始电容的72%以上。该器件的最大能量密度和最大功率密度分别为11.58Wh/kg和46.32W/kg。通过X射线衍射、X射线光电子能谱技术、比表面积和氮气吸脱附、红外光谱和扫描电子显微镜等测试,证实了GO能显著地改善MOF赝电容的电化学性能。  相似文献   
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