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采用一个最近发展起来的产生区宽度模型,导出了描述阶跃电压作用下MOS电容器的电容-时间瞬态特性方程,给出了阶跃电压法确定产生寿命的一个计算公式。 相似文献
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从玻尔-索末菲量子化条件出发,以抛物线势阱为模型,建立了硅MOS结构表面反型层中二维电子气能级E满足的超越方程,并从该方程得到了能级E的解析表达式。该式能够非常简单地确定出抛物线型势阱中的能级,而不需要数值求解薛定谔方程。 相似文献
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丁扣宝 《浙江大学学报(工学版)》2002,36(3):303-305
在分析已有的半导体表面产生区宽度模型的基础上,提出了可用于产生寿命直接计算且精度较高的产生区宽度新模型,它也可以看作是对Zerbst模型的一种修正。新模型的标准偏差小于Pierret模型的标准偏差。实验数据的分析表明,用该模型得到的产生寿命值与Rabbani模型的结果基本一致。 相似文献
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提出了MOS电容线性电压扫描法产生寿命测量的新方法。通过在MOSC t曲线上读取n个不同时刻的电容值 ,计算出相应的产生寿命值 ,其精度随读取点的增加而提高 ,该方法也特别适合于计算机辅助测量系统。 相似文献
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注入水平对测试少子扩散长度影响的计算机模拟 总被引:1,自引:0,他引:1
通过计算机数值求解半导体的基本方程,模拟了表面光伏(SPV)法测量N型硅少子扩散长度时注入水平对测量值的影响。结果表明,当注入水平较高时,少子扩散长度的测量值变长。模拟结果与已公开发表的实验结果一致。 相似文献
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提出了 MOS电容线性电压扫描法测量半导体少子产生寿命的新方法。通过在 MOS C-t瞬态曲线上读取 n个不同时刻的电容值 ,确定出相应的少子产生寿命值。该方法基于最小二乘法原理 ,可有效地消除测量误差的影响 ,其精度随读取点的增加而提高 ,特别适合于少子产生寿命的计算机辅助测量。 相似文献
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适用于PSPICE图形化输入的四端口MOSFET模型的创建 总被引:2,自引:0,他引:2
OrCAD PSPICE是一个在PC机上应用比较广泛的电路模拟工具.在模拟IC设计时为了考虑体偏效应,需要具有栅G、源S、漏D、体B四个端口的器件,但PSPICE并不提供该器件的图形化输入,而且对于不同的生产工艺其SPICE模型也不相同.本文建立了适用于特定工艺的用于图形化输入方式的四端口MOSFET模型.模拟结果表明所建模型具有正确的器件特性,而且在IC中模拟的结果也是正确的,适用在PC机上应用OrCAD PSPICE软件进行含四端口MOSFET的电路的图形化输入工作. 相似文献
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少子产生寿命计算机辅助测量及应用的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了半导体材料少子产生寿命的计算机辅助测量 ,设计了相应的产生寿命 C- t瞬态测量系统 ,能实现从阶跃信号产生直到测量结果输出全过程的自动化 ,提高了测量速度和准确度。应用于传统的“Zerbst图”法 ,可在原理和数据处理两方面得到较大的改善。 相似文献