电路开关速度与输入偏置方式无关的二输入端与非门电路的设计

前言 为了制造高超CMOS逻辑IC,引进微细加工技术、等平面全离子注入技术及减薄氧化膜厚度等变更工艺参数,固然是十必要的。但在电路上下功夫,选择更适合高速的电路形式也是相当重要的。本报告讨论了常规的二输入端与非门电路的两个输入端的开关特性受输入偏置方式的影响而有明显差异的问题,分析了造成差异     

适合于高速度高密度MOS集成电路的一种新的掩埋氧化物隔离

新的掩埋氧化物BO-MOS概念被提出来了。BO—MOS具有一个广大的氧化物隔离结构,它不仅使得扩散的侧(比土)隔离,而且也使源、漏扩散的底部隔离,与SOS/MOS类似,然而它保留有高的载流子过移和低的泄漏结特性。因此,在速度、密度和成本方面,它具有显著的优点。试验BO-MOS在LSI生产中应用,1024位静态NMOS RAM已成功地制造出来了,它采用的是重新设计的高密度体NMOS RAM的光掩模(通MBM 8115)。采用现有的SOS/CMOS光掩模制造的环形振荡电路,显示出与原来的SOS器件相等的速度—功耗特性。BO—MOS的制造程序,需要和常规MOS器件同样数量的光掩模,叙述了极重要的制造细节和器件特性。     

功率BiMos——作为开关和控制应用的一种多功能IC技术

功率BiMos是一种IC技术,它兼有双极型和MOS器件的优点,具有高压纵向pnp输出晶体管。本文将讨论工艺技术、器件性能和参数以及特殊电路的应用。     

磷陶瓷片状扩散源在CMOSIC中的试用

固态片状扩散源有扩散均匀性,重复性好,操作简便,装炉量大等优点,一直为人们所向往,但六十年代,未找到合适的片状磷源材料,至1972年,日本首先发表了片状氮化磷源专利,但由于有热稳定性差等原因,在满足半导体器件和集成电路要求方面不甚理想,因而受到限制,直至1976年美国NJones等报导了PH-1050片状磷源,其所得结果可与pocl3液态     

5微米全掺磷硅栅CMOS工艺

本文报道了5微米全掺磷硅栅CMOSIC封闭栅结构和封闭——条状混合栅结构的工艺技术.已于1983年研制成功了电源电压为5伏,门电路延迟时间为8～15毫微秒,双D触发器最高时钟频率达31兆赫的低压高速电路.本工艺技术适用于目前国内多数集成电路生产工厂的工艺水平,提供了提高CMOS电路速度的有效途径.     

SOS/CMOS和BO/CMOS介绍

前言 Ⅰ. 　SOS/CMOS介绍 一、S0S/CMOS的优点 二、SOS/CMOS的制造工艺 三、SOS/CMOS的缺点 四、SOS/CMOS的现状和展望 Ⅱ. BO/CMOS介绍 一、何谓BO/MOS 二、BO/MOS制造工艺 1、m沟增强型Si栅、BO/MOS制造程序 2、BO/MOS的关键工艺及解决办法 a. 单晶一多晶硅同步淀积问题. b. F离子注入的作用。