基于DCIV法对pMOSFET热载流子损伤的研究

利用新型的直流电流电压(DCIV)法研究了热载流子应力下的亚微米pMOSFET的氧化层陷阱电荷和表面态产生行为,并对热载流子应力下pMOSFET的阈值电压和线性区漏端电流的退化机制做出了物理解释.实验发现在栅极电压较高的热载流子应力条件下,热载流子引发表面态密度随时间变化的两个阶段:第一阶段,电负性的氧化层陷阱电荷起主导作用,使线性区漏端电流随时间增加;第二阶段,表面态逐渐起主导作用,导致线性电流随时间逐渐减小.     

基于钴硅化物电迁移现象的电熔丝器件的优化设计与研究

设计了一种完全兼容现有0.18μm标准CMOS工艺的,利用电迁移现象的,价格低廉的电熔丝器件结构.结果表明,在该结构下,通过优化参数,所获得的eFUSE器件结构,熔断后电阻高达107欧姆数量级,熔断率高达99%,解决了传统结构下中熔丝熔断后电阻太小,局部过热可能产生爆裂的问题.     

华润上华先进工艺技术简介

华润上华成立于1997年12月,是一家位于江苏省无锡市高新技术开发区的纯晶圆代工企业,也是目前国内五大纯晶圆代工企业之一。华润上华是中国第一家从事开放式晶圆代工的企业,从成立以来经过一系列的公司并购,技术转移和资本注入,至今已拥有两个具有0.35μm及以上加工能力的6英寸厂,以及一个由华润上华与华润集团共同投资设立,具有0.11μm及以上加工能力的8英寸厂（以下简称＂8英寸厂＂）,员工总数约3000余人,目前能够为客户提供逻辑（Logic）、混频/射频（Mix/RF）、静态存储器（SRAM）、闪存（Flash）、高压（HV）、模拟（Analog）等一系列技术的晶圆代工服务,覆盖的终端市场包含了消费类电子、通讯、汽车电子、计算机、控制等领域。