转移电子光电阴极电子传输特性的蒙特卡罗模拟

本文利用蒙特卡罗模拟方法计算了转移电子光电阴极的光电子输运特性，其中包括阴极的内部量子效率，电子的能量分布函数，谷间转移效率，同时也给出了阴极的时间响应特性．     

ZnO薄膜的制备和结构性能分析

ZnO作为一种宽带隙半导体材料,近几年来已经成为国际上紫外半导体光电子材料和器件领域的研究热点.激光分子束外延(L-MBE)系统是获得器件级ZnO外延薄膜的先进技术之一.高质量精密ZnO陶瓷靶材对于该工艺的实施是十分关键的,本文中采用高纯原料,在洁净条件下制备了大面积、薄片型、尺寸可控的符合理想化学配比的高纯ZnO陶瓷靶材.采用所制备的靶材,利用L-MBE技术在(0001)蓝宝石基片上进行了ZnO薄膜的外延生长,在280 ℃～300 ℃低温条件下所生长的薄膜样品具有(0001)取向的纤锌矿晶体结构,薄膜光学性能良好,论文中对ZnO薄膜的低温L-MBE生长机理进行了探讨.     

新型二维材料碳化钛纳米片光限幅特性研究

作为一类新型二维纳米材料,金属碳/氮化物纳米片（MXene）具有高的比表面积和电导率,以及组分、层数与厚度灵活可控的优点,在储能、催化、传感和光学等领域具有潜在应用价值。研究了一种MXene材料碳化钛（Ti3C2TX）纳米片分散液的非线性光学效应及其响应机制。发现Ti3C2TX纳米片分散液在532、1 064 nm纳秒脉冲激光作用下表现出优异的光限幅性能,其限幅阈值分别为0.14 J/cm2和0.12 J/cm2;通过测量非线性散射光强度随入射光功率密度的依赖关系,发现该材料光限幅响应机制主要起源于非线性光学散射效应。与传统的光限幅材料C60比较,该材料具有光限幅阈值低、响应波长范围宽等优点。     

对PPV衍生物非线性折射率的测量

利用532nm的连续激光对烷氧基非对称聚对苯撑乙烯衍生物的氯仿溶液进行诱导衍射实验,通过观察衍射环的个数可以估算出材料的克尔常数及非线性折射率。实验发现,当入射激光功率达到阈值0.77mW而小于3.36mW时,通过在接收屏处观察光克尔效应对激光横截面上的空间自相位调制而产生的衍射环个数,可以估算出样品溶液的克尔常数γ的大小近似为5.55×10-10m2/W及非线性折射率n2的大小为9.21×10-4esu。当入射激光功率继续增大时,由于热效应对激光横截面上的空间自相位调制产生的衍射环逐步淹没光克尔效应引起的衍射环,接收屏上的衍射图案将发生显著的变化。     

半导体激光器泵浦的Cr：LiSAF激光器研究

半导体激光器泵浦的Ｃｒ：ＬｉＳＡＦ激光器研究Ｃｒ：ＬＩＳＡＦ晶体是一种宽带可调谐激光晶体，它的上能级寿命长（６７μｓ），增益系数高，激发态吸收小，并且在红光区域有吸收，可以用红光半导体激光器泵浦。我们利用光纤耦合的半导体激光器（６７０ｎｍ）作为泵浦源...     

双极晶体管g－r噪声模型与深能级分析

本文根据发射结空间电荷区深能级缺陷诱生ｇ－ｒ噪声机构，建立了双极晶体管ｇ－ｒ噪声定量分析模型，从而对实验上观察到的双极晶体管ｇ－ｒ噪声的偏置特性作出了合理的解释．基于该模型，提出了一种利用ｇ－ｒ噪声测量确定双极型器件深能级参数的新方法．     

π共轭聚吡咯衍生物非线性响应时间的测量

合成一种新型π共轭聚吡咯衍生物———聚吡咯 { 2 ,5 二 [(对硝基 )苯甲烯 ]} (PPNB) ,制备了该高分子的N 甲基 2 吡咯烷酮 (NMP)溶液和聚乙烯醇 (PVA)复合薄膜。用 5 32nm ,8ns脉冲激光作抽运光源 ,氦氖激光 (6 32 8nm ,CW)为探测光源 ,测量了该高分子的非线性光学响应过程 ,测得PPNB/NMP溶液和PPNB/PVA薄膜的激光诱导折射率的建立时间分别为 4μs和 5 μs,恢复时间分别为 30ms和 5ms。引起这种非线性效应的机制可能主要是热光非线性效应。     

900℃空气退火对L-MBE生长的ZnO薄膜发光特性的影响

采用激光分子束外延法在蓝宝石衬底(0001)上生长了高度c轴择优取向的高质量ZnO薄膜,在空气中对生长的薄膜进行900℃退火处理,并对退火前后样品的结晶质量、发光特性采用X射线衍射(XRD)、变温光致发光(PL)研究.退火处理后的ZnO薄膜(0002)面XRDθ-2θ扫描曲线强度明显增强.在光致发光实验中,观测到薄膜分别在3.352,3.309和3.237eV附近有3个明显的近紫外发光峰,分别对应自由激子发射、中性施主或受主束缚激子I9及其声子伴线1Lo.随着温度升高,峰位逐渐向长波方向移动(即所谓"红移"),半高宽(FWHM)逐渐展宽;在发光谱中,来自于晶体缺陷的深能级(DL)区发光强度极小.     

LMBE法生长Mg0.2Zn0.8O及MSM型紫外探测器的制备

采用激光分子束外延(LMBE)方法在蓝宝石(0001)面生长了高质量的Mg0.2Zn0.8O薄膜,并对薄膜在空气中900℃进行了1h的退火处理,然后采用剥离方法在薄膜表面制作了Al叉指电极,制备出MSM型Mg0.2Zn0.8O光电导紫外探测器.对响应时间的测试表明,探测器的上升时间仅为14.3ns,下降时间为6.5μs.