一种简易的CO_2脉冲激光能量计

这里介绍的脉冲CO_2激光能量计,采用机械压接触的方法使热电堆与接收片均匀而紧密接触,摒弃了传统的粘结方法,一旦接收片损坏可以很方便地更换。改变接收片涂层吸收频率,可用于其它波段激光能量测量。我们所做的能量计在φ2.5厘     

氧等离子体处理条件对聚硅烷制备SiO2/Si结构平带电压的影响

氧等离子体处理高阻P型（100）硅片上的聚硅烷涂层制备SiO2/Si结论。其MOS结构平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压、射频功率等条件的改变而变化,平带电压最小可达-0.55～-0.88V比同一环境热氧化制备的SiO2/Si结构平带电压小得多。     

聚硅烷(紫外光敏材料)的氧等离子体处理特性

红外吸收谱分析表明,聚硅烷（ＰｏｌｙｍｅｔｈｙｌＰｈｅｎｅｔｈｙｌＳｉｌａｎｅ,ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜,ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５～２之间,其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正,大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关．