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用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10 nm SiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构.研究了电子从〈100〉和〈111>不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏电流和高场F-N隧穿电流.研究结果表明:经RTN SiO2膜比原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象.比较RTN后两种不同晶向样品,低场漏电流没有多大的差别而在高场从<100>晶向比从<111>晶向Si隧穿SiOxNy膜的F-N电流却明显增加,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象. 相似文献
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对等离子体增强化学汽相起积(PECVD)法制成SiOxNy薄膜组成的MIS结构样品,由集成测试系统测量Ⅰ-Ⅴ特性,用晶体管特性图示仪测试击穿行为。分析研究了该薄膜的Ⅰ-Ⅴ特性和击穿机理,探讨了膜的击穿电场及其随混合气体比例、反应空气压、衬底工作温度的变化关系。 相似文献
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用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化(RTN)10nmSiO2膜,制备了<100>和<111>晶向Si衬底上的Si-SiOxNy-Al电容结构,研究了电子从<100>和<111>不同晶向N型硅积累层到RTN后SiO2膜(或原始SiO2膜)的漏电流和高场F-N隧穿电流。研究结果表明:经RTN SiO2膜化原始SiO2膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象,比较RTN后两种不同晶向样品,低场漏电流没有多大的差别而在高场从<100>晶向比从<111>晶向Si隧穿SiOxNy膜的F-N电流却明显增加,借用一种基于横向晶格动量守恒的理论模型解释了这种现象。 相似文献
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PECVD形成纳米级薄膜界面陷阱的物理模型 总被引:1,自引:0,他引:1
采用雪崩热电子注入技术研究了纳米级富氮 Si Ox Ny 薄膜界面陷阱的物理模型。证实了 PECVDSi Ox Ny 薄膜中界面陷阱来源于悬挂键的物理模型。观察到该纳米膜内存在着受主型电子陷阱 ,随着注入的增长 ,界面上产生的这种陷阱将起主导作用。发现到 Dit随雪崩热电子注入剂量增加而增大 ,禁带上半部 Dit的增大较下半部显著。指出了雪崩注入过程中在 Si Ox Ny 界面上产生两种性质不同的电子陷阱 ,并给出它们能级位置及密度大小关系。揭示出 PECVD法形成的这种纳米膜与快速热氮化制备的薄膜中、氮氧含量不同、界面陷阱特性变化不一样 ,并从薄膜氮化机制予以物理解析。给出了 PECVD形成纳米级薄膜的优化工艺条件 ,该工艺条件制成膜的界面陷阱及其它物理电学特性都比较好 相似文献