反射式投影光刻物镜系统设计原理

<正> 近年来反射式扫描投影光刻机得到了很大的发展。无论其设计思想或结构形式都以其独到之处赢得了人们的好评。在大规模和超大规模集成电路工业生产中显示出很大的优越性,如高分辨率,高效率等。本文将结合有关资料     

准分子分步投影光刻机问世

<正>1987年12月,半导体设备与材料协会(SEMI)在日本东京举办的展览会上,美国GCA公司展出了最新产品——准分子激光分步投影光刻机。据报导,约有875个公司参加了这次展览会,其中175个公司是首次参加SEMI/东京展览会,观众达5万多人。 一名GCA公司职员说:“我们原以为日本尼康公司、佳能公司也会有同类产品参加展出,所以把我们的设备带来了。”GCA公司将其展台部分遮蔽,以免机器完全曝露在大庭广众之下。日本Sumitomo/GCA公司的一名职员站在展台门口,接待排长队等候     

准分子激光在微光刻技术中的应用

<正>IBM公司研究人员于1982年首先将准分子激光技术应用在半导体光刻工艺中。此后,逐步商品化的准分子激光技术成功的用在接触式光刻和掩膜制造工艺中。但其最终目标是将这一技术用于分步投影光刻机中,因为它是当前半导体器件制造的关键设备。自从1986年AT&T贝尔实验室报导了他们研制的世界上第一台准分子激光分步投影光刻机之后,许多实验室及光刻机制造厂商开展了这个项目的研究工作。一些厂商开始接受用户订单。准分子激光用于分步投影光刻技术的前景看来是光明的。     

CMP综合终点检测研究

在对电机电流终点检测、光学终点检测以及抛光垫温度检测三种终点检测技术的检测原理、特点及其装置分析讨论的基础上,对终点检测硬件电路的设计效果进行了验证。采用STRASBAUGH的Nvision软件进行移植,设置其增益、漂移量、数字过滤器的频率和类型。以W作为抛光对象,以TiN作为阻挡层,优化了工艺参数菜单设置并实施抛光,在实时形成信号曲线的基础上,由主机综合三种终点检测信号的情况,判断出精准的终点位置,为CMP抛光终点的监测和抛光垫的修整和更换提供科学的依据。     

光刻技术及其战略选择

光刻是集成电路及其它半导体器件制造的核心工艺,号称关键性和战略性技术。本文首先对光刻的概念及其相关词语的含义进行了探讨,试图澄清一些模糊的认识,而后简要地回顾了光刻技术发展的历史教训,重点讨论90年代的光刻技术及其最佳选择。     

第十六届世界“三束”会议概况

<正> 第十六届电子束、离子束、光子束学术讨论会,于5月26日至29日在美国德克萨斯州达拉斯召开。我国代表连同在国外访问的学者共7人出席了这次学术会议。参加这次会议的科技人员共约300余名。     

一种新型的曝光系统

我们应用的各种制版、光刻设备,其目的不外乎将各种掩模图形复制到基片上去。其常用的复制方法,我国目前仍采用光学曝光。无视这一技术对微细图形复印的影响,羌论在国外、国内已经多年了。随着硅片尺寸的不断增大,单元图形尺寸的减小,人们不能不对常规曝光系统进行改革。我们从1976年着手研制新型的曝光系统,并在兄弟厂、所的协助下先后开展了一些工艺实验。这种新型的曝光系统,目前已用于GK—4型光刻机和复印机。