气动夯管法铺设大直径钢管

本文详细介绍了夯管法铺设管线的工作原理并以穿越武汉解放大道铺设电力套管为例。全面说明了采用气动夯管法铺设管线的施工工艺以及有关设计计算方法。     

供电企业的创新与发展

通过创新使企业在经营管理、供电服务手段、营销现代化建设以及建造和谐的营销环境等方面呈现出一派欣欣向荣的气象,企业充满了活力,干部和职工纷纷以创新为荣,坚定了勇于实践,勇于创新的意志。真正地体会到创新是供电企业实现突围的必由之路。     

拒称AMD为友商英特尔刺出服务器芯片利剑

英特尔一改往日的克制,他们终于在公开场合不再称呼AMD为“友商”,而是点名道姓。激怒英特尔的是AMD近阶段来一直的咄咄逼人之势,尤其是后者在6月26日的挑衅被前者视为不可容忍。     

建筑施工安全管理问题研究

建筑业发展离不开建筑施工安全管理,两者之间是息息相关的,建筑安全管理对建筑可持续发展起着非常重要的作用,这就需要我们不断地努力、探索、进取。要采取有效的对策,确实落实安全管理,从根本上减少重大事故以及事故损失是非常重要的,这样才能更好地完成安全管理工作。本文结合工程实践经验,提出了完善建筑施工企业施工安全管理的措施,为施工作业安全管理提供了合理的建议。     

以金属为缓冲层在Si(111)上分子束外延GaN及其表征

用电子束蒸发方法在Si(111)村底蒸发了Au/Cr和Au/Ti/AI/Ti两种金属缓冲层,然后在金属缓冲层上用气源分子束外延(GSMBE)生长GaN.两种缓冲层的表面部比较平整和均匀,都是具有Au(111)面掸优取向的立方相Au层.在Au/Cr/Si(111)上MBE生长的GaN,生长结束后出现剥离.在Au/Ti/Al/Ti/Si(111)上无AIN缓冲层直接生长GaN,得到的是多品GaN;先在800℃生长一层AIN缓冲层,然后在710℃生长GaN,得到的足沿GaN(0001)面择优取向的六方相GaN.将Au/Ti/Al/Ti/Si(111)在 800℃下退火20min,金属层收缩为网状结构,并且成为多晶,不再具有Au(111)方向择优取向.     

Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RF-MBE InN表面形貌的影响

由于生长InN所需平衡氮气压较高,而且InN分解温度比较低,因此在生长InN时In原子很容易在表面聚集形成In滴,使InN外延膜的表面形貌变差,影响InN外延膜质量的提高.通过研究Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对RFMBE生长InN外延膜表面形貌的影响,发现Ⅴ/Ⅲ比和生长温度对InN外延膜表面In滴的量有重要影响.通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ比和生长温度,得到了表面平整光亮、无In滴的InN外延膜.     

操作票在线生成系统的设计与实现

介绍一种操作票在线生成系统的设计与实现。该系统通过网络通信方式将变电站现场的设备状态信息和运行信息引入 ,并通过数据校核 ,保证了数据的一致性。     

Si衬底和Si-SiO_2-Si柔性衬底上的GaN生长

使用MBE方法在Si(111)衬底和Si SiO2 Si柔性衬底上生长了GaN外延层 ,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析 .在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层 ,其表面粗糙度为 0 6nm .研究了GaN外延层中的应力及其光学性质 ,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值 .研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量     

Si衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上的GaN生长

使用MBE方法在Si(111)衬底和Si-SiO2-Si柔性衬底上生长了GaN外延层,并对在两种衬底上生长的样品进行了对比分析.在柔性衬底上获得了无裂纹的外延层,其表面粗糙度为0.6nm.研究了GaN外延层中的应力及其光学性质,光致发光测试结果表明柔性衬底上生长的外延层中应力和杂质浓度明显低于直接生长在Si衬底上的样品的值.研究结果显示了所用柔性衬底有助于改善GaN外延膜的质量.     

在复合衬底γ-Al2O3/Si(001)上生长GaN

采用分子束外延(MBE)生长方法,使用γ-Al2O3材料作为新型过渡层,在Si(∞1)衬底上获得了没有裂纹的GaN外延层,实验结果表明使用γ-Al2O3过渡层有效地缓解了外延层中的应力.通过生长并测试分析几种不同结构的外延材料,研究了复合衬底γ-Al2O3/Si(001)生长GaN情况,得到了六方相GaN单晶材料,实现了GaN c面生长.预铺薄层Al及高温AlN层可以提高GaN晶体质量,低温AlN缓冲层可以改善GaN表面的粗糙度.为解决Si(001)衬底上GaN的生长问题提供了有益的探索.