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1.
2.
农网改造工作结束后,低压线损由原来的电力用户承担改由供电企业承担,低压线损管理工作也显得越来越重要。因此,必须重新制定线损管理制度和考核办法,加大管理力度,努力降低低压线损率,提高供电企业的经济效益。为了搞好低压线损管理工作,山东电力昌邑市供电公司对低压线损实行了包干考核奖惩,将全年线损以考核指标的形式按季度分站、分线、分片、分台区进行分解下达,并逐季度考核奖惩兑现。 相似文献
3.
用MOCVD方法在α-Al2O3(0001)衬底上外延生长了InxGa1-xN合金薄膜.测量结果显示:所制备的InxGa1-xN样品中In的组分随外延生长温度而改变,生长温度由620℃升高到740℃,In的组分由0.72降低到0.27.这是由于衬底温度越高,In进入InxGa1-xN薄膜而成键的效率越低.样品的X射线衍射谱和X射线光电子能谱均显示:在生长温度为620℃和690℃时所生长的InxGa1-xN样品中均存在明显的In的表面分凝现象;而生长温度升至740℃时所得到的InxGa1-xN样品中,In的表面分凝现象得到了有效抑制.保持生长温度不变而将反应气体的Ⅴ/Ⅲ比从14000增加到38000,In的表面分凝现象也明显减弱.由此可以认为,较高的生长温度使得In原子的表面迁移能力增强,In原子从InxGa1-xN表面解吸附的几率增大,而较高的Ⅴ/Ⅲ比则能增加N与In成键几率,从而有利于抑制In的表面分凝. 相似文献
4.
采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法生长六方相InN薄膜,利用氮化镓(GaN)缓冲层技术制备了高质量薄膜,得到了其能带带隙0.7eV附近对应的光致发光光谱(PL). 通过比较未采用缓冲层,同时采用低温和高温GaN缓冲层,以及低温GaN缓冲层结合高温退火三种生长过程,发现低温GaN缓冲层结合高温退火过程能够得到更优表面形貌和晶体质量的InN薄膜,同时表征了材料的电学性质和光学性质. 通过对InN薄膜生长模式的讨论,解释了薄膜表面形貌和晶体结构的差异. 相似文献
5.
直孔双心掏槽法在中硬岩石矿山中提高一次循环掘进深度,降低爆破器材成本,充分发挥凿岩设备,总结在中硬岩层金属矿山中应用成功的经验。 相似文献
6.
直孔双心掏槽法在中硬岩石矿山中提高一次循环掘进深度,降低爆破器材成本,充分发挥凿岩设备,总结在中硬岩层金属矿山中应用成功的经验。 相似文献
7.
液体静压导轨恒流量控制的设计与分析 总被引:3,自引:2,他引:1
阐述了液体静压导轨优点和基本原理;详细分析了采用多头泵进行恒流量控制静压导轨的方法和步骤,并进行了静态分析和动态分析. 相似文献
8.
9.
10.
为深入了解微胶囊化技术对牡丹籽油储藏稳定性和货架期的影响,采用Avrami’s公式分析牡丹籽油微胶囊的油保留率,考察牡丹籽油微胶囊在储藏期间的释放动力学;通过监测过氧化值(POV)的变化,对牡丹籽油微胶囊进行氧化动力学研究。结果表明:牡丹籽油微胶囊的释放反应介于扩散限制动力学和一级释放动力学之间;经过微胶囊化,牡丹籽油的POV上升速率降低,25℃储藏条件下货架期显著延长,45℃储藏条件下仍然可保持较高不饱和脂肪酸含量。研究表明微胶囊化可有效降低牡丹籽油的氧化速度,提高牡丹籽油的储藏稳定性,延长货架期。 相似文献