一种应用于12 GHz的AlN多层陶瓷外壳

以AlN材料为陶瓷基材,采用陶瓷绝缘子的射频传输端口结构及陶瓷焊球阵列封装形式,结合多层陶瓷加工工艺,设计并制备了一款可封装多个芯片的X波段AlN陶瓷外壳。采用应力仿真软件对外壳进行结构设计,利用电磁仿真软件对该外壳的射频端口进行仿真优化。采用微带线直接穿墙形式,设计了共面波导-带状线-共面波导的射频传输结构,并与陶瓷外壳进行一体化设计和制作。利用GSG探针对外壳样品进行测试,实测结果表明,在0~12 GHz频段内,外壳射频端口的插入损耗不小于-0.5 dB,回波损耗不大于-15 dB,AlN一体化外壳尺寸为10.25 mm×16.25 mm×4 mm,可广泛应用于高频高速信号一体化封装领域。     

粉末冶金高速钢W12Cr4V5Co5的热处理及其组织

本文研究了W12Cr4V5Co5(FT15)粉冶高速钢热处理过程中的显微组织,并与铸锻T15高速钢进行了比较,粉冶高速钢的初始碳化物十分细小,并均匀分布,消除了偏析。淬火后,得到细晶粒组织,这是因为奥氏体化时,细小碳化物对晶粒的长大有强烈遏制作用的缘故。细小碳化物在奥氏体化时易溶解,提高了基体的强度,也增多了淬火后的残留奥氏体量,所以应增加回火次数三到四次。对碳含量较高的FT15应适当降低奥氏体化温度,反之亦然。从显微组织的分析研究确定了W12Cr4V5Co5粉冶高速钢的热处理规范:在860℃保温二小时,750℃保温四小时等温退火,退火硬度HB270左右。奥氏体化温度1220～1260℃,直接油淬。回火温度520～560℃,回火三次,每次保温二小时。热处理后硬度为HRC66～68。     

焊盘阵列陶瓷封装外壳手动搪锡方法研究

针对某型号陶瓷封装DC-DC电源稳压器手动搪锡过程中的瓷裂现象,通过失效分析发现其失效原因为300℃搪锡条件下陶瓷局部热应力过大。通过有限元分析,发现塘锡前增加预热工艺可将陶瓷局部应力降低到安全范围。采用预热方案(140℃预热,烙铁温度设置为260℃)对该陶瓷封装产品进行验证,搪锡后无瓷裂现象,且产品满足200次温循(-65℃～150℃)、10000 g恒定加速度的可靠性要求,解决了300℃手动搪锡条件导致的瓷裂问题。     

陶瓷基板研究现状及新进展

近年来,电力机车、电动汽车和微波通信等行业发展迅速,系统所用的电子器件具有大功率、小尺寸、高集成和高频率等特点.为满足电子器件散热、密封和信号传输优良的需求,陶瓷基板以较高的热导率、与半导体材料相匹配的热膨胀系数、致密的结构和较高的机械强度等特性得到广泛的应用.首先综述了不同陶瓷基板材料的性能、发展历史和新进展,分析了各自的优缺点;然后综述了陶瓷基板的制备工艺,对多层共烧陶瓷技术进行了详细介绍,并简述了陶瓷基板的应用;最后指出了陶瓷基板的研究方向和面临的挑战.     

浅析工业设计院在混凝土预制构件生产线中的重要作用

在"建筑工业化+住宅产业化"浪潮中,装配式建筑已经成为大势所趋,从生产实际与市场动向可以看出:在混凝土预制构件(PC构件)生产线项目中,工业设计院发挥着重要作用。     

合成氨装置冷冻系统冷热模式运行对比

简要介绍天野化工合成氨和尿素装置氨流程采用冷热模式的生产情况,分析冷、热模式下装置消耗及相应的操作措施。     

TA2/3A21/AZ31B复合板界面表征及力学性能研究

通过爆炸焊接法制备TA2/3A21/AZ31B三层复合板,利用光学显微镜(OM)、扫描电镜(SEM)、能谱仪(EDS)和万能试验机对复合材料的界面、金相组织和力学性能进行测试与分析。实验结果表明:通过一次爆炸焊接制备的TA2/3A21/AZ31B复合材料,其抗拉强度约为303 MPa,屈服强度约为233 MPa,断后伸长率约为9.7%;在钛/铝界面与铝/镁界面均形成爆炸焊接特有的波状结构,界面处分别形成了厚度约5 μm的Ti-Al扩散层和30 μm的Al-Mg扩散层,其剪切强度分别为132.6 MPa和116.3 MPa。与TA2/AZ31B复合材料相比较,该复合材料的力学性能有较大提升。      

一种20GHz0.65mm节距CQFP外壳

提出了一种应用频率达20 GHz的0.65 mm节距陶瓷四边引线扁平封装(CQFP)外壳,对高频信号的传输采用共面波导-垂直过孔-共面波导-引线的结构。对成型引线附近的阻抗不连续性进行了分析,通过信号传输引线的非等宽设计,改善了引线部位的阻抗突变,提高了信号的传输带宽。通过板级联合仿真和布线优化,将外壳应用频率提升至20 GHz。利用GSG探针对外壳样品进行测试,实测结果表明,该结构在DC～20 GHz插入损耗优于-1 dB,回波损耗不大于-15 dB。该CQFP外壳通过了机械和环境可靠性试验,可应用于高频高可靠封装领域。     

高密度陶瓷外壳焊盘位置度的标注与测量方法全文替换

高密度陶瓷焊盘阵列外壳的焊盘位置度偏差直接影响着封装质量和可靠性。对国内外的位置度相关标准和标注方法进行了对比分析,给出了目前较为合理的位置度公差标注方法。在对现有位置度的测量方法进行分析的基础上,结合理论及数据分析,提出了一种采用抽取特征部位的焊盘测量的方法,该方法能够高效且准确地获得高密度外壳焊盘的位置度。将采用该测量方法测试合格的样品进行了封装验证,证明了标注与测量方法的合理性。