静电感应晶闸管（SITH）的理论分析（续）

静电感应晶闸管（ＳＩＴＨ）的理论分析（续）兰州大学（兰州７３０００１）李思渊，刘瑞喜，刘肃，杨建红，李成３沟道电势的解析理论３．１　模型ＳＩＴＨ的开通与关断，从根本上说来决定于沟道势垒的存在及其随偏压的变化。因此，对沟道势垒的分析成为研究问题的核心。...     

浆砌石溢流坝水利枢纽工程施工技术

本文对浆砌石溢流坝的施工工序流程、施工放样、施工技术、工程质量控制和试验检测方法等方面进行了认真地总结阐述。工程实际证明,因地制宜,充分利用当地材料既能方便施工又能节省投资,缩短施工工期、保证工程质量、达到预期的目的,为小型水利工程建设积累了一定的经验。     

FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量

利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差.从放大的自发发射谱,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱.利用上述方法,测出的15 5 0nmInGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为2 4cm-1.     

BSIT开态的数值分析

对双极模式静电感应晶体管开通过程的理论分析和二维数值模拟清楚地表明，ＢＳＩＴ的完全开通须经过不同作用机制的两个阶段的转变，即正向小栅压下的势垒控制机制转变为大栅压下的少子注入电流控制机制。数值计算给出的结果有：小栅压下沿沟道中心线的电势分布；沿沟道的少子和电场分布；开态的Ｉ－Ｖ特性；通态压降和饱和电流随正栅压的变化；通态电阻随栅压和材料参数的变化；特别是电流增益随栅压、漏电流以及材料参数的变化。上     

静电感应晶体管I—V特性的控制

静电感应晶体管（ＳＩＴ）的Ｉ－Ｖ特性（包括类三极管，类五极管以及三－五极管的混合特性）与器件的结构及参数密切相关。沟道长度ｌｃ，沟道厚度ｄｃ，比值ｌｃ／ｄｃ以及沟道掺杂浓度ＮＤ等均为确定ＳＩＴ工作方式的重要参数。给出了上述参数控制的一般原则，方法，引入了一个控制因子β，特别是对混合特性的控制进行了讨论。     

SIT耐压容量的控制和工艺调节

对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿民压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。     

FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差的测量

利用一种拟合方法测量FP腔半导体激光器的腔内损耗和准费米能级差.从放大的自发发射谱,利用Cassidy方法得到用于拟合过程的增益谱和单程放大的自发发射谱.利用上述方法,测出的1550nm InGaAsP量子阱脊型波导结构激光器的腔内损耗大约为24cm-1.     

100A/1200V静电感应晶闸管参数设计的探讨

讨论了电力静电感应晶闸管的主要电参数与器件结构的关系,以及电参数的工艺调节。设计了１００Ａ／１２００Ｖ的器件并给出了研制结果。     

静电感应晶闸管（SITH）的理论分析

首先对ＳＩＴＨ正向通态和阻断态的Ｉ－Ｖ特性给出了物理考察和解释。然后通过解析方法得到了ＳＩＴＨ沟道的电势分布，在此基础上，用有限差分法和迭代法求解了精确的沟道电势，得到马鞍状的势分布，进而研究了沟道势垒随偏压的变化。发现栅压对沟道势垒的控制是直接而灵敏的，为栅极强迫关断提供了物理基础，所得结果可使我们对ＳＩＴＨ作用机制的理解更加清楚，同时为器件的设计制造提供了参考依据。