横向消失场分布反馈沟道衬底平面结构半导体激光器

使用一次液相外延制作出了具有横向消失场分布反馈的 GaAs—Al_xGa_(1-x)As沟道衬底平面结构激光器。在室温脉冲条件下,二极管能稳定地以单(基)横模和单纵模工作。     

减小键合应力改进(GaAl)As可见光(740nm)激光器寿命

业已证明将顶层和衬底厚度调整到一适当值,可减小因键合工艺而引起的有源层应力。激射波长为740nm的(GaAI)As V形沟道衬底内部条形激光器在50℃的寿命试验说明:采用厚顶层(～40μm)和减薄了的衬底(～80μm)使其寿命得到很大改进。     

大光腔0.81μm波长的AlGaAs/GaAs双沟道平面隐埋异质结激光器

作为模拟光通信系统用的光源,大光腔0.8Pμm波长AlGaAs/GaAs双沟道平面隐埋异质结(DC—PBH)激光二极管已研制成功。在调制频率f=100MHZ和调制度m=0.9时获得了线性光输出/电流特性和单纵模光谱。     

老家宴席往事

在我的老家,每一户人家里凡遇生日、嫁娶、婚丧、建新房等红白之事,大多要庆祝一番。对于乡村宴席的记忆,更多的是些感动的场面,身处宴席当中,常被纯朴热情的民风所感染。只要谁家里要办红白之事,整个村子的人几乎都行动起来了。一般在主人正式办宴席的前两三天,乡里乡亲就来帮忙做准备工作了。     

具有雪崩二极管输出结构的CCD

电荷耦合器件(CCD)基本性质的许多应用是探测最小电荷量。特殊电荷注入法和埋沟的采用、最佳时钟频率的选择、相关双取样的应用(DCS)等等能降低CCD寄存器中的噪声。这样,寄存器输出放大器中的噪声就成了决定因素,它主要是由与CCD同片的FET沟道热噪声引起的电动势决定的。使用这种晶体管的放大器可提供探测50—100个电子。通过使用分布浮置栅放大器(FGDA)能减少这种噪声的影响,这里由于使用n个平行级,能增加信/噪比n~(1/2)。使用FGDA可检测出非常小的电荷(10—20     

Ag离子注入的立方形ZnS强兰色发射波段和P型传导

业已确认结晶的ZnS是制作发光二极管(LED)的有希望的材料。近来已成功地利用碘输运法存温度低到850℃时制成立方形单晶(C-ZnS:I)。最近我们发现生长的晶体和高电导n型晶体两者在室温以上和2.65eV附近都呈现出强兰光发射带。它表明这样的立方体是制作MIS或pn结结构ZnS兰色LED和可见光激光二极管的理想材料。因此需要寻找利用离子注入存C-ZnS:I中产生P型传导的必要条件。图1示出了在10~(14)/cm~2额定剂量下Ag离子注入和经S蒸汽压(在10~(15)/cm~2)下退火     

带有一个用来与光纤进行有效耦合的球面透镜的新型发光二极管结构

我们研制了一种带有一个球面透镜的实用化高亮度 GaAs-GaAlAs 新型发光二极管结构,用以与光纤进行有效耦合而作为光纤通信的光源。在这种新结构中,球形透镜通过一个涂有透明环氧树脂的腐蚀孔,自动地嵌放进发光面的中心。当其将一发光区直径为35μm,透镜直径为100μm,折射率为2.0的发光二极管结构与一低损耗光纤(NA=0.14,直径为80μm)进行耦合时,可重复实现大于9%的耦合效率。用一发光层载流子浓度为3×10~(18)cm~(-3)的发光二极管,可重复地将150～200μw 的光功率耦合进入这种光纤,其截止频率(功率下降到1/2)约为90MH_Z。     

如何推动大学生社团文化建设的健康发展——以陕西理工学院大学生社团为例

大学生社团文化已成为高校校园文化的重要载体和重要组成部分,但同时社团文化建设存在着一些突出问题.本文在分析陕西理工学院大学生社团文化发展过程中所存在问题的基础上,提出了推动大学生社团文化建设健康发展的相关措施.