高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

IP城域网健壮性改造方案分析

以东营联通IP城域网为例,分析了现网结构、承载业务及面临的软、硬两方面的安全威胁.本文从实际应用角度出发,针对软风险从设备自身安全建设、基础安全防护技术手段建设和信息管理平台建设三个方面提出了解决方案,针对硬风险提出了异路由、异板卡、链路聚合,等多重保护措施,总结了东营联通城域网的健壮性改造方案.     

计及分布式电源的配电网故障恢复研究

针对配电网中一旦发生故障,受影响的负荷将被从网络中断开,并在网络重构过程中恢复供电这一现状,研究了引入分布式电源(DG)在故障恢复和网络重构中产生的影响。建立了考虑DG的网络重构数学模型,对目标函数和约束条件进行了相应的修改,加入了DG和电能质量因素,使用一种改进的粒子群优化算法(BPSO)解决此网络重构问题,最后采用IEEE69节点系统进行测试。研究结果表明提出的模型是合理和有效的。     

高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析

制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.     

在矿山排水系统中应用远距离变频控制

合理地选用变频器并加装适当的变频保护器,通过变频控制采用不同的控制方式,可以满足一些生产要求比较多的高性能变矩特性。矿山立井井筒深660多米,井筒内各落平点,空气潮湿,闷热不通风。井窝排水设计采用二级排水,即从立井井窝排到-525落平点附近水仓,再从水仓排到地表,选用MD离心式多级泵,电动机功率为110kW,本文将探讨在增加排水可靠性和减少水泵维修量的前提下,如何解决远距离、大功率、高扬程且又实现自动化程度的问题。     

Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长

采用Al N插入层技术在Si(1 1 1 )衬底上实现无微裂Ga N MOCVD生长.通过对Ga N外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了Ga N所受张应力与Al N插入层厚度的变化关系.当Al N厚度在7～1 3nm范围内,Ga N所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,Ga N微裂得以消除.同时研究了Al N插入层对Ga N晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有Al N插入层的Ga N样品有明显提高     

钻井污水ζ电位的影响因素试验研究

钻井污水是一种含有粘土粒子、电解质、钻井液添加剂及少量油的多组分分散体系,粘土颗粒基本处于胶体范围,ζ电位是该体系的重要特征。以模拟粘土悬浮液和实际钻井污水为对象,研究ζ电位的变化规律。研究表明,pH值和添加剂是影响ζ电位的主要因素。由于钻井液添加剂的存在,钻井污水ζ电位性质不同于单一粘土悬浮液,无机絮凝剂对ζ电位的影响大于有机絮凝剂,有机絮凝剂对ζ电位影响不明显。试验结果表明钻井污水絮凝机理是无机絮凝剂以吸附电中和与压缩双电层为主,有机絮凝剂则以吸附架桥为主。钻井污水的最佳处理工艺宜采用先投加无机絮凝剂后投加有机絮凝剂的处理方式。     

GaN基蓝紫光激光器的材料生长和器件研制

报道了国内首次研制成功的GaN基蓝紫光激光器的材料外延生长、器件工艺和特性.用MOCVD生长了高质量的GaN及其量子阱异质结材料,以及异质结分别限制量子阱激光器结构材料.GaN材料的X射线双晶衍射摇摆曲线(0002)对称衍射和(10(-1)2)斜对称衍射半宽分别为180″和185″;3μm厚GaN薄膜室温电子迁移率达到850cm2/(V·s).基于以上材料,分别成功研制了室温脉冲激射增益波导和脊型波导激光器,阈值电流密度分别为50和5kA/cm2,激光发射波长为405.9nm,脊型波导结构激光器输出光功率大于100mW.     

Si(111)衬底无微裂GaN的MOCVD生长

采用AlN插入层技术在Si(111)衬底上实现无微裂GaN MOCVD生长.通过对GaN外延层的a,c轴晶格常数的测量,得到了GaN所受张应力与AlN插入层厚度的变化关系.当AlN厚度在7～13nm范围内,GaN所受张应力最小,甚至变为压应力.因此,GaN微裂得以消除.同时研究了AlN插入层对GaN晶体质量的影响,结果表明,许多性能相比于没有AlN插入层的GaN样品有明显提高.